半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括：模式设置电路，其被配置为基于事件信号将任何一个值分配给模式信号；地址转换器，其被配置为基于模式信号通过转换至少一个地址来产生转换地址；以及存储电路，其被配置为执行与转换地址相对应的操作。

semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年4月27日提交的第10-2018-0048931号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
本公开的实施例涉及一种半导体器件，更具体地涉及一种用于执行地址转换以防止单元特性劣化的半导体器件。
技术介绍
诸如快闪存储器或相变存储器的非易失性存储器在仅一个单元中能够执行的写入操作为有限次。因此，如果仅密集使用非易失性存储器的某些区域，则可能使非易失性存储器的总寿命减少。诸如DRAM的易失性存储器可能遭受行锤击现象。下面将详细描述行锤击现象。当特定子线因该特定字线的大量使能次数而在使能状态与禁止状态之间切换时，储存在耦接到相邻字线的单元电容器中的电荷量被改变，使得储存在存储单元中的数据恶化。上述操作被称为行锤击现象。在使用包括至少一个存储器的半导体器件的情况下，存储器的某些区域被密集访问，使得在所访问的区域中可能发生不期望的恶化。结果，可能使半导体器件的寿命减少或者在半导体器件中可能发生不期望的故障。
技术实现思路
本公开的各种实施例旨在提供一种半导体器件，其基本上消除了由于传统技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。本公开的实施例涉及一种用于防止对半导体器件中包括的某些区域的密集访问的技术。根据本公开的一方面，一种半导体器件包括：模式设置电路，其被配置为基于事件信号将多个值中的任何一个值分配给模式信号；地址转换器，其被配置为通过基于所述模式信号转换至少一个地址来产生转换地址；以及存储电路，其被配置为执行与所述转换地址相对应的操作。根据本公开的另一方面，一种半导体器件包括：模式设置电路，其被配置为基于事件信号将多个值中的任何一个值分配给模式信号；地址转换器，其被配置为通过转换地址或内部地址来产生转换地址；存储电路，其被配置为执行与所述转换地址相对应的操作；以及备用存储电路，其被配置为基于所述模式信号来储存在所述存储电路中储存的数据，在将所述内部地址发送至所述地址转换器时将储存的数据发送至所述存储电路，从而将数据储存在所述存储电路的所述转换地址中。根据本公开的另一方面，一种半导体器件包括：模式设置电路，其被配置为基于事件信号将从多个值之中选择的任何一个值分配给模式信号，其中，所选择的值与来自所述多个值之中的先前值不同；以及地址转换器，其被配置为通过转换相同地址来产生不同的转换地址，以及基于所述模式信号将所述多个转换地址中的任何一个转换地址输出。应当理解，前述一般性描述和以下实施例的详细描述都是示例性和说明性的。附图说明当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，本公开的上述和其他特征以及优点将变得显而易见，其中：图1是示出根据本公开的一个实施例的半导体器件的示例的框图。图2是示出图1中所示的模式设置电路的示例的框图。图3A是示出图1中所示的存储电路中包括的存储单元阵列的示例的图。图3B是示出根据图3A中所示的存储单元阵列的图1中所示的地址的示例的图。图4是示出图1中所示的地址转换器的示例的图。图5是示出根据本公开的一个实施例的半导体器件的示例的框图。图6是示出图5中所示的模式设置电路的示例的框图。图7是示出图5中所示的地址转换器的示例的图。图8是示出图5中所示的备用存储电路的操作的流程图。具体实施方式现在将详细参考某些实施例，其示例在附图中示出。在描述之前，本公开和权利要求中使用的术语或词语不被解释为具有通用含义或字典含义，而应基于专利技术人可以适当地定义术语的概念的原则而被解释为具有与本公开的技术范围和精神一致的含义和概念，从而以最佳模式描述本公开。因此，在说明书中描述以及在附图中示出的实施例纯粹是说明性的，并不旨在代表本专利技术的所有方面，因此可以在不脱离本专利技术的精神的情况下进行各种等同和修改。此外，应注意，本文使用的术语仅用于描述实施例的目的，并不旨在限制本专利技术。如本文所使用的，单数形式也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确说明。还应理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“包括有”和/或“包含有”指示存在所述特征，但不排除存在或添加一个或更多个其他未说明的特征。如本文所使用的，术语“和/或”指示一个或更多个相关的所列项目的任意的和全部的组合。还应注意，在本说明书中，“连接/耦接”是指一个组件不仅直接耦接另一个组件而且还指通过中间组件而间接耦接另一个组件。应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件也可以被称为第二元件或第三元件。除非另外定义，否则鉴于本公开，所有术语，包括本文所使用的技术术语和科学术语，都具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，诸如在通用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与其在本公开的上下文和相关领域中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过于形式化的含义，除非本文明确这样定义。在以下描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本专利技术的透彻理解。可以在没有这些具体细节中的某些或全部的情况下实施本专利技术。附图不一定按比例绘制，并且在某些情况下，比例可能被夸大以便清楚地说明实施例的特征。图1是示出根据本公开的一个实施例的半导体器件1的示例的框图。参考图1，半导体器件1可以包括模式设置电路100、地址转换器200和存储电路300。模式设置电路100可以基于事件EVENT来建立或设置模式MD。例如，事件EVENT可以是设置有半导体器件1的系统的上电信号与掉电信号中的任何一个。例如，事件EVENT可以形成为脉冲形状。根据实施例，模式设置电路100可以基于事件EVENT来改变模式MD。地址转换器200可以基于模式MD来改变地址ADD。地址转换器200可以利用地址ADD产生转换地址，以及基于模式MD将转换地址中的一个输出为转换地址TADD。存储电路300可以接收转换地址TADD并执行与转换地址TADD相对应的必要操作。尽管未在图1中示出，存储电路300可以从外部接收命令，并且可以执行与接收到的命令和转换地址TADD相对应的必要操作。存储电路300可以是诸如DRAM的易失性存储电路或诸如快闪存储器或相变存储器的非易失性存储电路。图2是示出图1中所示的模式设置电路100的框图。参考图2，模式设置电路100可以包括增加信号发生器110和计数器120。增加信号发生器110可以基于事件EVENT来产生增加信号INC。增加信号INC可以形成为脉冲形状。针对增加信号INC，计数器120可以来逐1增加模式MD的值。在该实施例中，每当接收到增加信号INC时，计数器120可以依序增加模式MD的值。如果当模式MD被设置为3时计数器120接收到增加信号INC，则模式MD的值可以被设置为零“0”。计数器120可以是循环计数器，其使值(即，0、1、2和3)以0→1→2→3的顺序循环。上述计数器120是本领域技术人员公知的，因此，为了便于描述，本文将省略其详细描述。图3A是示出图1中所示的存储电路300中包括的存储单元阵列的图。图3B是示出根据图3A中所示的存储单元阵列的图1中所示的地址ADD的图。参考图3A和图3B，存储电路300的存储单元阵列可以包括沿水平方向延伸的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：模式设置电路，其被配置为基于事件信号将多个值中的任何一个值分配给模式信号；地址转换器，其被配置为通过基于所述模式信号转换至少一个地址来产生转换地址；和存储电路，其被配置为执行与所述转换地址相对应的操作。

【技术特征摘要】
2018.04.27 KR 10-2018-00489311.一种半导体器件，包括：模式设置电路，其被配置为基于事件信号将多个值中的任何一个值分配给模式信号；地址转换器，其被配置为通过基于所述模式信号转换至少一个地址来产生转换地址；和存储电路，其被配置为执行与所述转换地址相对应的操作。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模式设置电路包括：增加信号发生器，其被配置为基于所述事件信号来产生增加信号；和计数器，其被配置为基于所述增加信号来增加所述模式信号的值。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述地址转换器包括：多个子地址转换器，其被配置为对应于所述多个值且具有所述地址的不同的转换结果。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述地址转换器包括：存储区地址反相器，其被配置为通过将来自所述至少一个地址之中的存储区地址反相来产生存储区反相地址；行地址反相器，其被配置为通过将来自所述至少一个地址之中的行地址反相来产生行反相地址；以及全地址反相器，其被配置为通过将所述至少一个地址反相来产生全反相地址。5.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：地址选择器，其被配置为选择所述多个子地址转换器的输出信号中的任何一个输出信号作为所述转换地址。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：备用存储电路，其被配置为：基于所述模式信号来储存在所述存储电路中储存的数据，将内部地址发送至所述地址转换器，以及将写入命令和与所述内部地址相对应的储存的数据发送至所述存储电路。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述模式设置电路被配置为基于所述事件信号来产生内部地址使能信号。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述地址转换器基于所述内部地址使能信号来选择所述地址和所述内部地址中的任何一个，并执行对所选择的地址的转换。9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述事件信号是待机信号。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中：所述半导体器件安装在车辆上；以及所述事件信号指示所述车辆的换档杆位于空档模式。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述事件信号是上电信号和掉电信号中的任何一个。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：所述半导体器件安装在车辆上；以及所述事件信号指示第...

【专利技术属性】
技术研发人员：边嬉珍，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR