一种静电保护电路、半导体集成电路装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种静电保护电路，涉及集成电路设计技术领域，该静电保护电路应用于集成电路芯片，所述集成电路芯片中的内部电路分别与焊盘端、内部供电端以及接地端连接，所述静电保护电路包括：第一保护电路，所述第一保护电路的输入端连接于所述内部电路以及所述焊盘端之间，所述第一保护电路的输出端与所述内部供电端连接，其中，所述第一保护电路用于所述集成电路芯片与所述内部供电端之间的静电防护。本发明专利技术的有益效果是：避免所述焊盘端与所述内部供电端之间产生的ESD电流对所述内部电路造成破坏，以实现集成电路芯片与所述内部供电端之间的静电防护。本发明专利技术还提出了一种半导体集成电路装置以及提出了一种电子设备，具有上述效果。

An electrostatic protection circuit, semiconductor integrated circuit device and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
一种静电保护电路、半导体集成电路装置及电子设备
本专利技术涉及集成电路设计
，尤其涉及一种从ESD(Electro-StaticDischarge:静电释放)中保护集成电路芯片的内部电路的静电保护电路，还涉及一种内置了该静电保护电路的半导体集成电路装置以及使用了该半导体集成电路装置的电子设备。
技术介绍
静电无处不在，当正、负电荷在局部范围内失去平衡就会产生静电，而不同静电电位的两个物体之间相互靠近或者接触，就会发生静电放电。半导体集成电路装置从生产、封装、测试、运输到应用，每一个环节都会存在着ESD风险，导致半导体集成电路装置手段损伤。但是，随着集成电路工艺不断发展，半导体集成电路的特征尺寸不断缩小，晶体管的栅氧厚度越来越薄，而且半导体集成电路装置的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，但是外围的使用环境却越来越复杂。因此，如何进一步优化半导体集成电路装置的抗ESD性能，以使半导体集成电路装置的版图面积尽可能小，并提高ESD性能的可靠性且不需要增加额外的工艺步骤成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术正是基于上述技术问题，提出了一种能够从ESD中有效地保护集成电路芯片的内部电路的静电保护电路，以及提出了一种内置了该静电保护电路的半导体集成电路装置以及使用了该半导体集成电路装置的电子设备。有鉴于此，本专利技术提成一种静电保护电路，应用于集成电路芯片，所述集成电路芯片中的内部电路分别与焊盘端、内部供电端以及接地端连接，所述静电保护电路包括：第一保护电路，所述第一保护电路的输入端连接于所述内部电路以及所述焊盘端之间，所述第一保护电路的输出端与所述内部供电端连接，其中，所述第一保护电路用于所述集成电路芯片与所述内部供电端之间的静电防护。优选地，在上述静电保护电路中，所述第一保护电路包括PMOS晶体管P1，其中：所述PMOS晶体管P1的漏极连接于所述内部电路以及所述焊盘端之间，所述PMOS晶体管P1的源极以及栅极分别与所述内部供电端连接。优选地，在上述静电保护电路中，所述第一保护电路还包括电阻R1，其中：所述电阻R1的第一端与所述PMOS晶体管P1的栅极连接，所述电阻R1的第二端与所述内部供电端连接。优选地，在上述静电保护电路中，还包括：第二保护电路，所述第二保护电路的输入端连接于所述内部电路以及所述焊盘端之间，所述第二保护电路的输出端与所述接地端连接，其中，所述第二保护电路用于所述集成电路芯片与所述接地端之间的静电防护。优选地，在上述静电保护电路中，所述第二保护电路包括NMOS晶体管N1，其中：所述NMOS晶体管N1的漏极连接于所述内部电路以及所述焊盘端之间，所述NMOS晶体管N1的源极以及栅极分别与所述接地端连接。优选地，在上述静电保护电路中，所述第二保护电路还包括电容C1以及电阻R2，其中：所述电容C1的第一端与所述内部供电端连接，所述电容C1的第二端与所述电阻R2的第一端连接，所述电阻R2的第二端与所述接地端连接；且所述NMOS晶体管N1的栅极与所述电阻R2的第一端连接。优选地，在上述静电保护电路中，还包括：第三保护电路，所述第三保护电路连接与所述内部供电端以及所述接地端之间，其中，所述第三保护电路用于所述内部供电端与所述接地端之间的静电防护。优选地，在上述静电保护电路中，所述第三保护电路包括NMOS晶体管N2以及电阻R3，其中：所述NMOS晶体管N2的漏极与所述内部供电端连接，所述NMOS晶体管N2的栅极与所述电阻R3的第一端连接，所述电阻R3的第二端与所述接地端连接，所述NMOS晶体管N2的源极与所述接地端连接。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种半导体集成电路装置，包括如权利要求上述实施例任一项所述的静电保护电路。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种电子设备，包括如上述实施例所述的半导体集成电路装置。本专利技术由于采用以上技术方案，其具有以下优点：所述第一保护电路的输入端连接在所述内部电路以及所述焊盘端的连线的任一点上，所述第一保护电路的输出端连接在所述内部供电端上。通过所述第一保护电路将所述焊盘端与所述内部供电端之间产生的ESD电流引入所述内部供电端上进行释放，使得ESD电流不通过所述焊盘端与所述内部电路间的连线进入所述内部电路中，从而避免ESD电流对所述内部电路造成破坏，以实现集成电路芯片与所述内部供电端之间的静电防护。附图说明通过结合附图阅读下文示例性实施例的详细描述可更好地理解本公开的范围。其中所包括的附图是：图1示出了本专利技术实施例提出的一种静电保护电路的结构示意图一；图2示出了本专利技术实施例提出的一种静电保护电路的电路连接示意图一；图3示出了本专利技术实施例提出的一种静电保护电路的电路连接示意图二；图4示出了本专利技术实施例提出的一种静电保护电路的结构示意图二；图5示出了本专利技术实施例提出的一种静电保护电路的电路连接示意图三；图6示出了本专利技术实施例提出的一种静电保护电路的电路连接示意图四；图7示出了本专利技术实施例提出的一种静电保护电路的结构示意图三；图8示出了本专利技术实施例提出的一种静电保护电路的电路连接示意图五；附图中，各标号所代表的部件列表如下：10、内部电路，11、焊盘端，12、第一保护电路，13、第二保护电路，14、第三保护电路。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方法，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是，本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本专利技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。根据本专利技术的实施例，提供了一种静电保护电路，图1示出了本专利技术实施例提出的一种静电保护电路的结构示意图，如图1所示，该静电保护电路应用于集成电路芯片，所述集成电路芯片中的内部电路10分别与焊盘端11、内部供电端VDD以及接地端VSS连接，包括：第一保护电路12，所述第一保护电路12的输入端连接于所述内部电路10以及所述焊盘端11之间，所述第一保护电路12的输出端与所述内部供电端VDD连接，其中，所述第一保护电路12用于所述集成电路芯片与所述内部供电端VDD之间的静电防护。其中，该集成电路芯片的内部电路10与所述内部供电端VDD以及所述接地端VSS连接，获得供电电压。所述第一保护电路12的输入端连接在所述内部电路10以及所述焊盘端11的连线的任一点上，所述第一保护电路12的输出端连接在所述内部供电端VDD上。另外，该焊盘端11可以包括半导体集成电路装置上的信号输入/输出端(I/OPAD)。由此，通过所述第一保护电路12，在ESD电流发生时，能够将ESD电流引入所述内部供电端VDD中，使得ESD电流不通过所述焊盘端11与所述内部电路10的连线进入所述内部电路中，从而避免ESD电流对所述内部电路10中的P型MOS晶体管P2以及N型MOS管N3的栅极氧化薄膜、源极以及漏极的结构造成破坏，以实现集成电路芯片与所述内部供电端VDD之间的静电防护。图2示出了根据本专利技术实施例提出的一种静电保护电路的电路连接示意图一，如图2所示，所述第一保护电路12包括PMOS晶体管P1，其中：所述PMOS晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电保护电路，应用于集成电路芯片，所述集成电路芯片中的内部电路分别与焊盘端、内部供电端以及接地端连接，其特征在于，所述静电保护电路包括：第一保护电路，所述第一保护电路的输入端连接于所述内部电路以及所述焊盘端之间，所述第一保护电路的输出端与所述内部供电端连接，其中，所述第一保护电路用于所述集成电路芯片与所述内部供电端之间的静电防护。

【技术特征摘要】
1.一种静电保护电路，应用于集成电路芯片，所述集成电路芯片中的内部电路分别与焊盘端、内部供电端以及接地端连接，其特征在于，所述静电保护电路包括：第一保护电路，所述第一保护电路的输入端连接于所述内部电路以及所述焊盘端之间，所述第一保护电路的输出端与所述内部供电端连接，其中，所述第一保护电路用于所述集成电路芯片与所述内部供电端之间的静电防护。2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一保护电路包括PMOS晶体管P1，其中：所述PMOS晶体管P1的漏极连接于所述内部电路以及所述焊盘端之间，所述PMOS晶体管P1的源极以及栅极分别与所述内部供电端连接。3.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一保护电路还包括电阻R1，其中：所述电阻R1的第一端与所述PMOS晶体管P1的栅极连接，所述电阻R1的第二端与所述内部供电端连接。4.根据权利要求1至3任一项所述的静电保护电路，其特征在于，还包括：第二保护电路，所述第二保护电路的输入端连接于所述内部电路以及所述焊盘端之间，所述第二保护电路的输出端与所述接地端连接，其中，所述第二保护电路用于所述集成电路芯片与所述接地端之间的静电防护。5.根据权利要求4所述的静电保护电路，其特征在于，所述第二保护电路包括NMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：何林飞，杨卫平，刘俊涛，张馨然，李耿民，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44