基片载置装置和基片载置方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在载置台载置基片时，以水平的姿态载置基片的技术。载置台在表面形成有各自支承基片的多个突起，在该载置台载置基片时，由吸引孔对与载置与上述载置台的基片的、位于上述突起的上方的区域不同的区域进行了吸引的状态下，将基片吸附在载置台，之后减小吸引孔的吸引。因此，能够在消除了基片的翘曲的状态下将基片载置在载置台，并且能够抑制因较强地吸引晶片W的下表面而产生的基片的形变，能够将基片以水平的姿态载置在载置台。

【技术实现步骤摘要】
基片载置装置和基片载置方法
本专利技术涉及基片载置装置和基片载置方法。
技术介绍
例如，在半导体制造工序中，将半导体晶片(以下称为“晶片”)等基片以水平的姿态载置到载置台，进行加热处理、冷却处理等处理。在专利文献1中，公开了作为这样的基片的载置台的真空吸附部件。该真空吸附部件包括：在与基片的背面相对的基体以支承该基片的周缘部的方式设置有环状凸部；和在基体的环状凸部所包围的区域配置有多个的、各自用于支承基片的背面的小柱(凸部)。另外，基体设置有：与基片的背面的中心部相对的吸引口；和相对于该吸引口形成为同心圆状的环状突起(环状间隔壁部)。而且，通过由吸引口进行吸引而在各环状突起与基片之间产生的伯努利效应，将基片吸引到基体并且将基片平坦化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-199790号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术是基于这样的情况而完成的，提供一种当在载置台上载置基片时，以基片的平坦性变高的方式载置基片的技术。用于解决技术问题的技术手段本专利技术的基片载置装置的特征在于，包括：能够载置基片的载置台；多个突起，其设置在所述载置台的表面，各自支承所述基片；吸引孔，其在所述载置台的表面的与所述突起不同的位置开口，吸引载置于所述载置台的基片的下表面；和控制部，其输出控制信号来执行：第一步骤，其由所述吸引孔吸引载置于所述载置台的所述基片以将所述基片吸附在所述载置台；和第二步骤，其接着所述第一步骤，使作用在基片的吸引力小于在所述第一步骤中作用在基片的吸引力，以将所述基片吸附在所述载置台。专利技术效果依照本专利技术，能够在载置台载置基片时，以水平的姿态载置基片。附图说明图1是表示涂敷显影装置的处理晶片的工序的流程图。图2是本专利技术的实施方式的冷却装置的纵截侧视图。图3是本专利技术的实施方式的冷却装置的俯视图。图4是表示本专利技术的实施方式的冷却装置的作用的说明图。图5是表示本专利技术的实施方式的冷却装置的作用的说明图。图6是表示本专利技术的实施方式的冷却装置的作用的说明图。图7是表示本专利技术的实施方式的冷却装置的作用的说明图。图8是表示本专利技术的实施方式的冷却装置的作用的说明图。图9是表示本专利技术的实施方式的冷却装置的作用的说明图。图10是表示本专利技术的实施方式的基片载置装置的另一例的俯视图。图11是表示本专利技术的实施方式的基片载置装置的又一例的俯视图。图12是本专利技术的实施方式的PAB的纵截侧视图。图13是本专利技术的实施方式的PAB的俯视图。图14是表示涂敷显影装置的立体图。图15是表示涂敷显影装置的俯视图。图16是表示涂敷显影装置的纵截面图。图17是表示本专利技术的实施方式的基片载置装置的另一例的截面立体图。图18是表示实施例的晶片的高度随时间的变化的特性图。附图标记说明11第一吸引孔12第二吸引孔20载置台24间隔销W晶片。具体实施方式对将冷却装置(CPL)应用于本实施方式的基片载置装置中的例即冷却装置10进行说明，但首先使用图1，对设置有冷却装置10的涂敷显影装置1简单地进行说明。利用输送机构90将收纳于载体C的圆形的基片即晶片输送到冷却装置10，进行冷却使得晶片的面内的温度成为均匀的。之后，将晶片输送到抗蚀剂涂敷装置5，通过旋涂，将抗蚀剂涂敷从而形成抗蚀剂膜。为了在晶片的面内均匀地进行该抗蚀剂涂敷，利用上述的冷却装置10进行冷却。将涂敷有抗蚀剂的晶片输送到预烘焙(pre-appliedbaking)装置(PAB)6，进行加热处理(预烘焙(pre-baking)处理)，除去抗蚀剂膜中的溶剂。接着，将经预烘焙处理后的晶片输送到曝光装置D4以进行曝光处理。在曝光处理后，使晶片返回涂敷显影装置1，在曝光后烘焙装置(PEB)7中进行加热处理，在显影装置8中进行抗蚀剂膜的显影处理而后返回载体C。接着，说明上述的冷却装置10。图2、图3分别表示冷却装置10的纵截面图、俯视图。冷却装置10具有能够水平地载置晶片W的大致圆板形状的载置台20。载置台20以从下层侧开始依次层叠底板22、橡胶板23和上板21的方式构成。在载置台20的表面分散地形成有多个作为支承晶片W的突起的间隔销(gappin)24。利用该间隔销24进行支承，能够减小晶片W与载置台20的接触面积，并且如后所述从与该间隔销24不同的位置吸引晶片W。利用这样的构成，如后所述更容易在使作用于晶片W的吸引力减小时消除晶片W的翘曲。间隔销24的高度例如为0.05mm以上，0.1mm以下。此外，将由间隔销24形成的、晶片W的下表面与载置台20的表面的间隙设为24A。以其中心位于图3中的P1所示的载置台20的表面的中心位置的方式载置晶片W。因此，该位置P1是基片载置区域的中心，图3中的晶片W表示基片载置区域。另外，载置台20的表面的、与上述间隔销24不同的位置，形成有各自对载置于载置台20的晶片W的下表面进行吸引的第一吸引孔11和第二吸引孔12，它们各自在垂直上方开口。而且，在晶片W的下表面，与上述第一吸引孔11、第二吸引孔12相对的各区域(第一区域、第二区域)被吸引。第一吸引孔11在俯视时以载置台20的中心为中心的圆周上设置多个，将各第一吸引孔11设置成等分该圆周。此外，将晶片W的半径设为R时，在载置台20的表面，上述第一吸引孔11设置于以上述位置P1为中心的半径为1/3×R的圆与以位置P1为中心的半径为2/3×R的圆之间的环状区域内。因此，能够吸引晶片W中距中心1/3×R的位置与距中心半径的2/3×R的位置之间的区域。在俯视时以载置台20的中心P1为中心，比配置有第一吸引孔11的圆周靠载置台20的外周的圆周上，以等分该圆周的方式设置有多个第二吸引孔12。此外，分别通过图3中的第一吸引孔11、第二吸引孔12的圆R1、R2，是为了容易理解第一吸引孔11、第二吸引孔12各自的配置而假设的圆。各第一吸引孔11经由向下方去的气体流路13与沿第一吸引孔11的排列方向形成为环状的第一吸引路径15连接。第一吸引路径15与第一吸引管17的一端连接，第一吸引管17的另一端侧按照如下顺序经由压力计99、用于调节第一吸引管17中的排气流量的流量调节部M1和阀V1与排气机构19连接。另外，第二吸引孔12经由气体流路14与沿第二吸引孔12的排列方向形成为环状的第二吸引路径16连接。第二吸引路径16与第二吸引管18的一端连接，第二吸引管18的另一端侧经由压力计99、流量调节部M2和阀V2与排气机构19连接。第一吸引路径15、第二吸引路径16由形成于上板21的下表面的槽和橡胶板23的上表面构成。而且，将上述的第一吸引路径15、第二吸引路径16互相划分出来。因此，利用阀V1、V2的开闭，分别切换由第一吸引孔11、第二吸引孔12进行的吸引动作的开、关。另外，在该实施方式中，利用流量调节部M1、M2，使由第一吸引孔11进行吸引的期间的第一吸引管17的排气流量、由第二吸引孔12进行吸引的期间的第二吸引管18的排气流量各自为一定的。另外，载置台20具有与第一吸引路径15和第二吸引路径16划分开地设置的制冷剂流路25。制冷剂流路25例如与第一吸引路径15和第二吸引路径16同样，由上板21的下表面的槽和橡胶板23构成。制冷剂流路25与例如制冷单元等冷却机构26连接，以使冷却水等冷却介质在制冷剂流路25内流通，从而能够将载置台20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片载置装置，其特征在于，包括：能够载置基片的载置台；多个突起，其设置在所述载置台的表面，各自支承所述基片；吸引孔，其在所述载置台的表面的与所述突起不同的位置开口，用于吸引载置于所述载置台的基片的下表面；和控制部，其输出控制信号来执行：第一步骤，其由所述吸引孔吸引载置于所述载置台的所述基片，以将所述基片吸附在所述载置台；和第二步骤，其接着第一步骤，使作用在基片的吸引力小于在所述第一步骤中作用在基片的吸引力，以将所述基片吸附在所述载置台。

【技术特征摘要】
2018.04.23 JP 2018-0825351.一种基片载置装置，其特征在于，包括：能够载置基片的载置台；多个突起，其设置在所述载置台的表面，各自支承所述基片；吸引孔，其在所述载置台的表面的与所述突起不同的位置开口，用于吸引载置于所述载置台的基片的下表面；和控制部，其输出控制信号来执行：第一步骤，其由所述吸引孔吸引载置于所述载置台的所述基片，以将所述基片吸附在所述载置台；和第二步骤，其接着第一步骤，使作用在基片的吸引力小于在所述第一步骤中作用在基片的吸引力，以将所述基片吸附在所述载置台。2.如权利要求1所述的基片载置装置，其特征在于：所述吸引孔包括第一吸引孔和第二吸引孔，所述第一吸引孔和所述第二吸引孔分别独立地吸引载置于所述载置台的基片的下表面的彼此不同的第一区域、第二区域，所述第一步骤中，吸引载置于所述载置台的所述基片的所述第一区域和所述第二区域，以将所述基片吸附在所述载置台，所述第二步骤中，吸引所述第二区域，并且使作用在所述第一区域的吸引力小于在所述第一步骤中作用在该第一区域的吸引力。3.如权利要求2所述的基片载置装置，其特征在于：所述第二步骤中，使作用在第一区域的吸引力小于作用在第二区域的吸引力。4.如权利要求3所述的基片载置装置，其特征在于：以所述第一区域和第二区域各自成为沿基片的周向的区域的方式分别由所述第一吸引孔、第二吸引孔进行吸引。5.如权利要求4所述的基片载置装置，其特征在于：所述第一区域和第二区域是以所述基片的中心为中心的同心圆的区域，以该第一区域比第二区域靠该基片的中心的方式分别由所述第一吸引孔、第二吸引孔进行吸引。6.如权利要求5所述的基片载置装置，其特征在于：以所述第一区域成为距所述基片的中心1/3基片半径的位置与距该基片的中心2/3基片半径的位置之间的区域的方式由所述第一吸引孔进行吸引。7.如权利要求1至6中任一项所述的基片载置装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛丸浩二，糸永将司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP