盖体装置及真空容器装置制造方法及图纸

一种盖体装置，用于开闭形成在本体上的开口部，其特征在于，具备：　　　　盖体，具有开闭所述开口部的作用面和其相反侧的背面；　　　　摇臂，将所述盖体可开闭地安装在所述本体上，所述摇臂具有将所述摇臂在所述开口部的周围可旋转地支持在所述本体上的第１轴、和将所述盖体借助所述背面可摇动地支持在所述摇臂上的第２轴，所述第２轴配置在所述盖体的重心和所述第１轴之间；　　　　限制部件，在所述第１轴及第２轴之间的限制位置，介于所述摇臂和所述盖体的所述背面之间，所述限制部件控制所述限制位置上的所述摇臂和所述盖体的所述背面之间的距离，以使所述盖体的所述作用面与所述开口部平行。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种盖体装置及真空容器装置，特别涉及在制造半导体器件的半导体处理中使用的技术。此处，所谓半导体处理，是指通过在半导体晶片或LCD(liquid crystal display，即液晶显示器)或FPD(FlatPanel Display，即平板显示器)用玻璃基板等被处理基板上，按预定的图形来形成半导体层、绝缘层、导电层等，由此在该被处理基板上制造半导体器件或包括连接在半导体器件上的布线、电极等构造物时所实施的种种处理。
技术介绍
在半导体器件的制造中，在被处理基板例如半导体晶片上，实施成膜处理或刻蚀处理等各种处理。作为进行此种处理的系统，使用真空处理系统。真空处理系统具有规定真空室的多个真空容器。真空室的例子，有包括收容被处理基板并实施预定处理的处理室、进行大气压和真空之间的压力调节的预载室(ロ一ドロツク室)、配设被处理基板的搬送装置的搬送室等。在真空容器中，形成用于进行内部维修等的开口部。开口部由可开闭的盖密封。在盖体和真空容器之间设置O型圈等密封部件，以确保盖体封闭时的密封性。为此，在开闭盖体时，重要的是不摩擦或扭曲密封部件。在美国专利第6,050,446号说明书中，公开了以防止密封部件的摩擦或扭曲为目的的盖体装置。在该盖体装置中，开闭真空容器的开口部的盖体被配设于真空容器侧部的轴承部可旋转地支持。此外，在盖体上，在通过其重心的位置设置支承轴，其两端被配设于容器本体侧部的驱动气缸可转动地支持。盖体随着驱动气缸的伸缩，以轴承部为中心，进行开闭动作。由于盖体的轴承部形成长孔，所以在关闭时，盖体能够与开口部平行。但是，在该装置中，存在盖体的驱动部的体积大、装置大型化的问题。
技术实现思路
本专利技术，其目的在于提供一种装置可小型化的盖体装置及真空容器装置。本专利技术的第1专利技术的盖体装置，用于开闭形成在本体上的开口部，其特征在于，具备盖体，具有开闭所述开口部的作用面和其相反侧的背面；摇臂，将所述盖体可开闭地安装在所述本体上，所述摇臂具有将所述摇臂在所述开口部的周围可旋转地支持在所述本体上的第1轴、和将所述盖体借助所述背面可摇动地支持在所述摇臂上的第2轴，所述第2轴配置在所述盖体的重心和所述第1轴之间；限制部件，在所述第1轴及第2轴之间的限制位置，介于所述摇臂和所述盖体的所述背面之间，所述限制部件控制所述限制位置上的所述摇臂和所述盖体的所述背面之间的距离，以使所述盖体的所述作用面与所述开口部平行。本专利技术的第2专利技术的真空容器装置，其特征在于，具备气密的容器本体，具有开口部和包围所述开口部的底座；真空排气部，对所述本体内进行排气；密封部件，沿所述开口部的周围配设在所述底座上；盖体，通过落座在所述底座上，用所述密封部件气密性关闭所述本体，所述盖体，具有开闭所述开口部的作用面和其相反侧的背面；摇臂，将所述盖体可开闭地安装在所述本体上，所述摇臂具有将所述摇臂在所述开口部的周围可旋转地支持在所述本体上的第1轴、和将所述盖体借助所述背面可摇动地支持在所述摇臂上的第2轴，所述第2轴配置在所述盖体的重心和所述第1轴之间；限制部件，在所述第1轴及第2轴之间的限制位置，介于所述摇臂和所述盖体的所述背面之间，所述限制部件控制所述限制位置上的所述摇臂和所述盖体的所述背面之间的距离，以使所述盖体的所述作用面与所述开口部平行。附图说明图1是表示采用本专利技术的实施方式的盖体装置及真空容器装置的半导体处理用真空处理系统的俯视图。图2是表示图1所示的真空处理系统中的形成搬送室的真空容器装置的剖面图。图3是为简化附图，将图2所示的真空容器装置以变形的形态示出的立体图。图4是表示图3所示的真空容器装置中所用的支持机构的放大立体图。图5是图4所示的支持机构的分解立体图。图6是表示图3所示的真空容器装置的俯视图。图7是沿图6中的A-A线的剖面图。图8是表示在与图7相同的断面中，盖体与配设于底座上的密封部件相抵接的状态的剖面图。图9是表示在与图7相同的断面中，盖体通过空室内的减压压紧在底座上的状态的剖面图。具体实施例方式以下，参照附图，说明本专利技术的实施方式。另外，在以下的说明中，对于具有大致相同功能及结构的构成要素，标注同一标记，只在必要时重复说明。图1是表示采用本专利技术的实施方式的盖体装置及真空容器装置的半导体处理用真空处理系统的俯视图。如图1所示，该真空处理系统1，形成了在公共搬送室5的周围连接多个例如4个处理室2a、2b、2c、2d的所谓多室型。在搬送室5上，还连接有多个例如2个预载室3a、3b。处理室2a、2b、2c、2d分别收容一枚被处理基板例如半导体晶片W，并实施预定处理例如成膜处理、刻蚀处理等。预载室3a、3b构成为能够在搬送室5和大气压的外部之间进行用于晶片W的出入的压力调节。在搬送室5内，配设搬送臂机构4，用于在处理室2a、2b、2c、2d或预载室3a、3b之间搬送晶片W。搬送室5，在此图示例中，形成为俯视的大致六角形。在搬送室5外周的4个面上，分别通过闸阀G1、G2、G3、G4连接处理室2a、2b、2c、2d。在搬送室5外周的另外2个面上，分别通过闸阀G5、G6，连接作为搬入用或搬出用预载室3a、3b。在预载室3a、3b的外部邻接形成的晶片的出入口处，配置用于开闭该出入口的闸阀G7、G8。处理室2a～2d、搬送室5及预载室3a、3b，分别通过可进行抽真空为预定压力的真空容器装置形成为真空室。各真空容器装置包括在顶板上具有维修等用开口部的容器本体、开闭该开口部的盖体。以下，作为这些真空容器装置的代表例，说明形成搬送室5的真空容器装置。图2是表示形成搬送室5的真空容器装置6的剖面图。如图2所示，真空容器装置6包括在内部挖通形成真空室(伴送室)5的铝制容器本体8。在容器本体8上，连接可将其内部真空排气到例如10-8Pa左右的真空排气部(例如，包括真空泵)10。此外，在容器本体8上，还连接用于供给氮气或惰性气体的气体供给部11。在容器本体8的顶板8a上，形成用于维修等的开口部12。通过利用支持机构18操作的铝制盖体14，开闭开口部12。在盖体14和容器本体8之间，配设密封开口部12的周围的由O型圈等构成的密封部件16。在盖体14落座的容器本体8的底座20上，沿开口部12的周边部形成用于插装密封部件16下部的安装槽22。形成在容器本体8的顶板8a上的开口部12，形成4角形或6角形等任意的多角形状。关闭开口部12的盖体14，也形成与开口部12相似的多角形状。在本实施方式中，搬送室5、开口部12及盖体14，在俯视图中形成6角形状。但是，图3是表示真空容器装置6的立体图，此处，为简化图面，以在俯视图中形成矩形状的变形形态示出真空容器装置6。图4～图9是表示用于盖体14的支持机构18的详细结构的图。如图3所示，在开口部12的周围，在容器本体8的顶板8a上，一对支持机构18相对于盖体14的重心C1对称地配置。支持机构18从与开闭开口部12的盖体14的作用面(下面)相反侧的背面(上面)支持盖体14，能够开闭操作盖体14。各支持机构18包括将盖体14安装在容器本体8上的摇臂24。如后面详述，摇臂24在第1轴26上可旋转地支持在容器本体8上，另外，在第2轴34上可摇动地支持盖体14。第2轴34配置在盖体14的重心C1和第1轴26之间。在第1轴26及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：木村彻，成岛大，广木勤，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，日本发条株式会社，
类型：发明
国别省市：