一种水位检测电路的保护结构制造技术

本发明专利技术公开了一种水位检测电路的保护结构，所述电容检测模块端连接有电阻R3，所述电阻R3与压敏电阻RZ1之间安装有静电保护器件ESD‑RZ2，压敏电阻RZ1连接下耦合器，所述水位检测金属电极与上耦合器连接之间设置有一组阻抗保护器件，所述压敏电阻RZ1电路正常工作时，压敏电阻RZ1的作用与电容一样，作为水位检测电路的匹配电容，当要进行电气强度检测时，AC3000V的电压加在L,N和水位检测金属电极之间，压敏电阻RZ1把下耦合器对L,N之间的电压钳位在耦合器的击穿电压值以下，保护器具电路不损坏，所述下耦合器底部安装有外露金属触点时，所述压敏电阻RZ1与下耦合器之间设置多一组阻抗保护器件2，防止触碰到外露金属触点而发生触电等安全事故。

A protection structure of water level detection circuit

【技术实现步骤摘要】
一种水位检测电路的保护结构
本专利技术属于水位检测电路
，具体涉及一种水位检测电路的保护结构。
技术介绍
液体加热容器在使用时，需要时刻对水位进行观测，避免液位过低造成器具干烧缩短器具使用寿命，严重的发生火灾造成生命财产损失，或者由于水位过高加水过多导致溢出或者煮沸溢出，造成危险或者不便，但是现行水位检测电路在生产过程中或者在国家检测机构进行电气强度检测时会造成器具电路损坏，所以必须设计一种保护结构对它进行保护。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种水位检测电路的保护结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种水位检测电路的保护结构，包括电容检测模块和电阻R3述电容检测模块端连接到电阻R3，所述电阻R3压敏电阻RZ1之间连接有静电保护器件ESD-RZ2，所述电容检测模块一端且位于压敏电阻RZ1的一侧连接有下耦合器、上耦合器、和水位检测金属电极连接之间设置有一组阻抗保护器，水位检测金属电极的一侧设置有温度探头，所述水位检测金属电极与温度探头位于液体加热容器中。优选的，所述水位检测金属电极与上耦合器之间设置有阻抗保护电路，所述阻抗保护电路为通过一组由Y电容，电容CY2和电容CY1组成。优选的，所述下耦合器的外侧安装有一个外露金属触点，所述压敏电阻RZ1与下耦合器之间连接一组阻抗保护器件2。优选的，所述下耦合器延伸结构，下耦合器底部安装有外露金属触点时，压敏电阻RZ1直接连接或者通过一组由Y电容组成的阻抗保护电路2连接水壶底部的下耦合器，所述阻抗保护器件2由电容CY3和电容CY4组成。本专利技术的技术效果和优点：该水位检测电路的保护结构，电容检测模块端连接电阻R3,静电保护器件ESD-RZ2,压敏电阻RZ1，耦合器组件，阻抗保护组件（电容CY1，电容CY2），水位检测金属电极，单片机端检测充放电时间，并将检测的充放电时间与标准充放电时间范围比较，此时的压敏电阻RZ1工作在电容状态，水位检测电路正常工作，当要进行电气强度检测时AC3000V的电压加在L,N和水位检测金属电极之间，压敏电阻RZ1把下耦合器对L,N之间的电压钳位在耦合器的击穿电压值以下，保护器具电路不损坏，所述下耦合器延伸结构，所述下耦合器底部安装有外露金属触点时，所述压敏电阻RZ1与下耦合器之间设置多一组阻抗保护器件2，防止触碰到外露金属触点而发生触电等安全事故。附图说明图1为本专利技术压敏电阻RZ1保护的电路示意图；图2为本专利技术为下耦合器延伸结构，下耦合器有可触及外露金属触点示意图；图3为本专利技术的下耦合器延伸电路示意图。图中：1、电容检测模块；2、电阻R3；3、静电保护器件ESD-RZ2；4、压敏电阻RZ1；5、下耦合器；6、上耦合器；7、温度探头；8、水位检测金属电极；9、阻抗保护电路；10、外露金属触点；11、阻抗保护器件2。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供了如图1所示的一种水位检测电路的保护结构，包括水位检测电路组件和保护组件压敏电阻RZ1，所述电路包括但不限于以下所述：电容检测模块1和电阻R32，压敏电阻RZ14,静电保护器ESD-RZ23,一组及一组以上的由Y电容组成的阻抗保护电路9及水位检测金属电极8，所述电容检测模块1端连接有电阻R32，电阻R32与压敏电阻RZ14之间连接有静电保护器件ESD-RZ23，所述静电保护器ESD-RZ23可根据需要而选装，所述下耦合器5延伸结构，下耦合器5底部安装有外露金属触点10时，压敏电阻RZ14直接连接或者通过一组由Y电容组成的阻抗保护电路9连接水壶底部的下耦合器5，防止触碰到外露金属触点10而发生触电等安全事故，水壶的上耦合器6通过一组由Y电容组成的阻抗保护电路9连接到水位检测金属电极8，且水位检测金属电,8的一侧设置有温度探头7，所述水位检测金属电极10与温度探头7位于液体加热容器中。具体的，所述水位检测金属电极8与上耦合器6之间设置有阻抗保护电路9，所述阻抗保护电路9为通过一组由Y电容，电容CY2和电容CY1组成。具体的，所述下耦合器5的外侧安装有一个外露金属触点10，所述压敏电阻RZ14与下耦合器之间连接一组阻抗保护器件211。具体的，所述下耦合器5延伸结构，下耦合器5底部安装有外露金属触点10时，压敏电阻RZ14直接连接或者通过一组由Y电容组成的阻抗保护电路211连接水壶底部的下耦合器5，所述阻抗保护器件211由电容CY3和电容CY4组成。该水位检测电路的保护结构，电容检测模块1端连接电阻R32，静电保护器件ESD-RZ23，压敏电阻RZ14，耦合器组件（5，6），阻抗保护组件CY1，CY2，水位检测金属电极8，单片机端检测充放电时间，并将检测的充放电时间与标准充放电时间范围比较来判断壶内水位情况，此时的压敏电阻RZ14工作在电容状态，当要进行电气强度检测时，AC3000V的电压加在L,N和水位检测金属电极8之间，压敏电阻RZ1把下耦合器对L,N之间的电压钳位在耦合器的击穿电压值以下，保护器具电路不损坏。专利技术提供的如图2和图3所示，所述下耦合器5延伸结构，下耦合器5底部安装有外露金属触点10时，压敏电阻RZ14直接连接或者通过一组由Y电容组成的阻抗保护电路211连接水壶底部的下耦合器5，防止触碰到外露金属触点10而发生触电等安全事故。该水位检测电路的保护结构，电容检测模块1端连接电阻R2，静电保护器件3，压敏电阻4，耦合器组件，电容CY2，电容CY1，水位检测金属电极8，单片机端检测充放电时间，并将检测的充放电时间与标准充放电时间范围比较，此时的压敏电阻4电容状态工作，当水位检测金属电极8是可触及外露金属当有高压接入时或产生静电时，压敏电阻4就会变成钳位作用，使耦合器或相关电路不会打火，且静电保护器件ESD-RZ23吸收保护电路的作用。最后应说明的是：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种水位检测电路的保护结构，包括电容检测模块（1）和电阻R3（2），其特征在于：所述电容检测模块（1）端连接有电阻R3（2），所述电阻R3（2）与压敏电阻RZ1（4）之间连接有静电保护器件ESD‑RZ2（3），所述电容检测模块（1）一端且位于压敏电阻RZ1（4）的一侧连接有下耦合器（5）、所述上耦合器（6）通过一组由Y电容组成的阻抗保护电路（9）连接到水位检测金属电极（8），且水位检测金属电极（8）的一侧设置有温度探头（7），所述水位检测金属电极（8）与温度探头（7）位于液体加热容器中。

【技术特征摘要】
1.一种水位检测电路的保护结构，包括电容检测模块（1）和电阻R3（2），其特征在于：所述电容检测模块（1）端连接有电阻R3（2），所述电阻R3（2）与压敏电阻RZ1（4）之间连接有静电保护器件ESD-RZ2（3），所述电容检测模块（1）一端且位于压敏电阻RZ1（4）的一侧连接有下耦合器（5）、所述上耦合器（6）通过一组由Y电容组成的阻抗保护电路（9）连接到水位检测金属电极（8），且水位检测金属电极（8）的一侧设置有温度探头（7），所述水位检测金属电极（8）与温度探头（7）位于液体加热容器中。2.根据权利要求1所述的一种水位检测电路的保护结构，其特征在于：所述水位检测金属电极（8）与上耦合器...

【专利技术属性】
技术研发人员：何文东，
申请(专利权)人：何文东，
类型：发明
国别省市：广东,44