一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法技术

技术编号:22296909 阅读:25 留言:0更新日期:2019-10-15 05:49
本发明专利技术涉及显示技术领域,公开了一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法,包括初始化阶段:电源电压处于低电位状态,数据信号线处于关断状态或者低电位使有机发光二极管中无电流通过,有机发光二极管不发光;调整阶段:第二薄膜晶体管打开;数据写入阶段:第二节点写入数据信号线提供的电压,第二薄膜晶体管关闭;保持阶段:第二节点保持数据写入阶段写入的数据信号线提供的电压;驱动阶段:第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开,有机发光二极管发光。上述时序控制方法中,通过对电源电压高低电平的调节实现对有机发光二极管亮暗的控制,由于通过对电源电压高低电平的控制,减小了延迟时间,提高了有机发光二极管的调节效果。

A Time Sequence Control Method for AMOLED Time Sequence Control Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法。
技术介绍
如图1所示,现有的一种AMOLED时序控制电路,AMOLED像素驱动电路为7T1C结构,即七个薄膜晶体管加一个电容的结构,包括:第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、第三薄膜晶体管T30、第四薄膜晶体管T40、第五薄膜晶体管T50、第六薄膜晶体管T60、第七薄膜晶体管T70及电容C10,其中,第一薄膜晶体管T10的栅极电性连接于第二扫描控制信号线S2,第一端电性连接于数据信号线DATA,第二端经由第一节点N10电性连接于第二薄膜晶体管T20的第一端及第四薄膜晶体管T40的第一端;第二薄膜晶体管T20的栅极经电性连接于第二节点N20,第一端电性连接于第一节点N10,第二端电性连接于第三节点N30;第三薄膜晶体管T30的栅极电性连接于第二扫描控制信号线S2,第一端电性连接于第三节点N30,第二端电性连接于第二节点N20及第六薄膜晶体管T60的第一端;第四薄膜晶体管T40栅极电性连接于发光信号线En,第一端电性连接于第一节点N10,第二端电性连接于电源电压ELVDD;第五薄膜晶体管T50栅极电性连接于发光信号线En,第一端电性连接于第三节点N30,第二端电性连接于有机发光二级管D10的阳极及第七薄膜晶体管T70的第二端;第六薄膜晶体管T60的栅极电性连接于第一扫描控制信号线S1,第一端电性连接于第三薄膜晶体管T30的第二端,第二端电性连接于第七薄膜晶体管T70的第一端及参考电压信号线VINT;第七薄膜晶体管T70的栅极连接第二扫描控制信号线S2,第一端电性连接于第六薄膜晶体管T60的第二端及参考电压信号线VINT,第二端电性连接于第五薄膜晶体管T50的第二端及有机发光二级管D10的阳极;电容C10的第一端电性连接于第二节点N20,另一端连接连接于电源电压ELVDD;有机发光二极管D10的阳极电性连接于第五薄膜晶体管T50的第二端及第七薄膜晶体管T70的第二端,阴极接地。上述AMOLED时序控制电路中,通过控制电源电压的通断电实现对有机发光二极管亮暗的调节,但由于对电源电压的通断电过程中,存在延迟时间,对有机发光二极管的调节效果较差。
技术实现思路
本专利技术提供了一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法,该时序控制方法通过对电源电压高低电平的调节实现对有机发光二极管亮暗的控制,由于通过对电源电压高低电平的控制,减小了延迟时间,提高了有机发光二极管的调节效果。为达到上述目的,本专利技术提供一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法,包括:进入初始化阶段,电源电压处于低电位状态,发光信号线提供低电位,第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开,第三节点的电压等于有机发光二极管阳极的电压,扫描控制信号线提供低电位,第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管打开,第二节点的电压等于有机发光二极管阳极的电压,第二薄膜晶体管打开,电源电压处于低电位状态、数据信号线处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管中无电流通过,有机发光二极管不发光;进入调整阶段,所述调整阶段结束时,电源电压等于电源负电压或提供高电位状态,发光信号线提供高电位,第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭,有机发光二极管不发光,扫描控制信号线提供高电位,第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭,第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压,第二薄膜晶体管打开;进入数据写入阶段,电源电压处于低电位状态,发光信号线提供高电位,第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭,有机发光二极管不发光,扫描控制信号线提供低电位,第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管打开,数据信号线提供高电位,第二节点写入数据信号线提供的电压,第二薄膜晶体管关闭;进入保持阶段,电源电压等于电源负电压或提供高电位状态,发光信号线提供高电位,第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭,有机发光二极管不发光,扫描控制信号线提供高电位,第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭,第二节点保持数据写入阶段写入的数据信号线提供的电压,第二薄膜晶体管关闭;进入驱动阶段,扫描控制信号线提供高电位,第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭,电源电压提供高电位,发光信号线提供低电位,第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开,第二薄膜晶体管处于打开状态,有机发光二极管发光。上述AMOLED时序控制电路的时序控制方法中,通过对电源电压高低电平的调节实现对有机发光二极管亮暗的控制,由于通过对电源电压高低电平的控制,减小了延迟时间,提高了有机发光二极管的调节效果。优选地,上述调整阶段包括:第一调整阶段,电源电压等于电源负电压,发光信号线提供低电位,第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开,扫描控制信号线提供高电位,第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭,第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压,第二薄膜晶体管处于打开状态但没有电流通过,此时有机发光二极管不发光;第二调整阶段,电源电压等于电源负电压或提供高电位状态,发光信号线提供高电位,第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭,有机发光二极管不发光,扫描控制信号线提供高电位,第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭,第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压,第二薄膜晶体管打开。优选地,当AMOLED时序控制电路包括第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管时:上述初始化阶段中,电源电压处于低电位状态,发光信号线提供低电位,第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开,第三节点的电压等于有机发光二极管阳极的电压,扫描控制信号线提供低电位,第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管打开,第二节点的电压等于有机发光二极管阳极的电压,第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管打开,电源电压处于低电位状态、数据信号线处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管中无电流通过、有机发光二极管不发光;上述调整阶段中,所述调整阶段结束时,电源电压等于电源负电压或提供高电位状态,发光信号线提供高电位,第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭,有机发光二极管不发光,扫描控制信号线提供高电位,第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭,第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压,第二薄膜晶体管打开、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管打开;上述数据写入阶段中,电源电压处于低电位状态,发光信号线提供高电位,第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭,扫描控制信号线提供低电位,第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管打开,数据信号线提供高电位,第六薄膜晶体管首先处于打开状态,数据信号线提供的电压经第一薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第三薄膜晶体管写入第二节点,当第二节点即第六薄膜晶体管栅极的电压达到Vdata+Vth6后第六薄膜晶体管关闭、第二薄膜晶体管和第七薄膜晶体管关闭,其中Vth6为第六薄膜晶体管的阈值电压,Vdata为数据信号提供的电压;上述保持阶段中,电源电压等于电源负电压或提供高电位状态,发光信号线提供高电位,第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭,有机发光二极管不发光,扫描控制信号线提供高电位,第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭,第二节点的电压保持数据写入阶段写入的数据信号线提供的电压,第二薄膜晶体管关闭、第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管关闭;上述驱动阶段中,扫描控制信号线提供高电位,第一本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法,其特征在于,包括:进入初始化阶段,电源电压(ELVDD)处于低电位状态,发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,第三节点(N3)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,扫描控制信号线(Sn)提供低电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开,第二节点(N2)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)打开,电源电压(ELVDD)处于低电位状态、数据信号线(Data)处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管(D1)中无电流通过,有机发光二极管(D1)不发光;进入调整阶段,所述调整阶段结束时,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)打开;进入数据写入阶段,电源电压(ELVDD)处于低电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供低电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开,数据信号线(Data)提供高电位,第二节点(N2)写入数据信号线(Data)提供的电压,第二薄膜晶体管(T2)关闭;进入保持阶段,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)保持数据写入阶段写入的数据信号线(Data)提供的电压,第二薄膜晶体管(T2)关闭;进入驱动阶段,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,电源电压(ELVDD)提供高电位,发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,第二薄膜晶体管(T2)处于打开状态,有机发光二极管(D1)发光。...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法,其特征在于,包括:进入初始化阶段,电源电压(ELVDD)处于低电位状态,发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,第三节点(N3)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,扫描控制信号线(Sn)提供低电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开,第二节点(N2)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)打开,电源电压(ELVDD)处于低电位状态、数据信号线(Data)处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管(D1)中无电流通过,有机发光二极管(D1)不发光;进入调整阶段,所述调整阶段结束时,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)打开;进入数据写入阶段,电源电压(ELVDD)处于低电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供低电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开,数据信号线(Data)提供高电位,第二节点(N2)写入数据信号线(Data)提供的电压,第二薄膜晶体管(T2)关闭;进入保持阶段,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)保持数据写入阶段写入的数据信号线(Data)提供的电压,第二薄膜晶体管(T2)关闭;进入驱动阶段,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,电源电压(ELVDD)提供高电位,发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,第二薄膜晶体管(T2)处于打开状态,有机发光二极管(D1)发光。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,上述调整阶段包括:第一调整阶段,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS),发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)处于打开状态但没有电流通过,此时有机发光二极管(D1)不发光;第二调整阶段,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)打开。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当AMOLED时序控制电路包括第六薄膜晶体管(T6)和第七薄膜晶体管(T7)时:上述初始化阶段中,电源电压(ELVDD)处于低电位状态,发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,第三节点(N3)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,扫描控制信号线(Sn)提供低电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开,第二节点(N2)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)打开,电源电压(ELVDD)处于低电位状态、数据信号线(Data)处于关...

【专利技术属性】
技术研发人员:周兴雨
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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