【技术实现步骤摘要】
一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法。
技术介绍
如图1所示,现有的一种AMOLED时序控制电路,AMOLED像素驱动电路为7T1C结构,即七个薄膜晶体管加一个电容的结构,包括:第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、第三薄膜晶体管T30、第四薄膜晶体管T40、第五薄膜晶体管T50、第六薄膜晶体管T60、第七薄膜晶体管T70及电容C10,其中,第一薄膜晶体管T10的栅极电性连接于第二扫描控制信号线S2,第一端电性连接于数据信号线DATA,第二端经由第一节点N10电性连接于第二薄膜晶体管T20的第一端及第四薄膜晶体管T40的第一端;第二薄膜晶体管T20的栅极经电性连接于第二节点N20,第一端电性连接于第一节点N10,第二端电性连接于第三节点N30;第三薄膜晶体管T30的栅极电性连接于第二扫描控制信号线S2,第一端电性连接于第三节点N30,第二端电性连接于第二节点N20及第六薄膜晶体管T60的第一端;第四薄膜晶体管T40栅极电性连接于发光信号线En,第一端电性连接于第一节点N10,第二端电性连接于电源电压ELVDD;第五薄膜晶体管T50栅极电性连接于发光信号线En,第一端电性连接于第三节点N30,第二端电性连接于有机发光二级管D10的阳极及第七薄膜晶体管T70的第二端;第六薄膜晶体管T60的栅极电性连接于第一扫描控制信号线S1,第一端电性连接于第三薄膜晶体管T30的第二端,第二端电性连接于第七薄膜晶体管T70的第一端及参考电压信号线VINT;第七薄膜晶体管T70的栅极连接 ...
【技术保护点】
1.一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法,其特征在于,包括:进入初始化阶段,电源电压(ELVDD)处于低电位状态,发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,第三节点(N3)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,扫描控制信号线(Sn)提供低电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开,第二节点(N2)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)打开,电源电压(ELVDD)处于低电位状态、数据信号线(Data)处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管(D1)中无电流通过,有机发光二极管(D1)不发光;进入调整阶段,所述调整阶段结束时,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)打开;进入数据写入阶段 ...
【技术特征摘要】
1.一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法,其特征在于,包括:进入初始化阶段,电源电压(ELVDD)处于低电位状态,发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,第三节点(N3)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,扫描控制信号线(Sn)提供低电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开,第二节点(N2)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)打开,电源电压(ELVDD)处于低电位状态、数据信号线(Data)处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管(D1)中无电流通过,有机发光二极管(D1)不发光;进入调整阶段,所述调整阶段结束时,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)打开;进入数据写入阶段,电源电压(ELVDD)处于低电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供低电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开,数据信号线(Data)提供高电位,第二节点(N2)写入数据信号线(Data)提供的电压,第二薄膜晶体管(T2)关闭;进入保持阶段,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)保持数据写入阶段写入的数据信号线(Data)提供的电压,第二薄膜晶体管(T2)关闭;进入驱动阶段,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,电源电压(ELVDD)提供高电位,发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,第二薄膜晶体管(T2)处于打开状态,有机发光二极管(D1)发光。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,上述调整阶段包括:第一调整阶段,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS),发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)处于打开状态但没有电流通过,此时有机发光二极管(D1)不发光;第二调整阶段,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)打开。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当AMOLED时序控制电路包括第六薄膜晶体管(T6)和第七薄膜晶体管(T7)时:上述初始化阶段中,电源电压(ELVDD)处于低电位状态,发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,第三节点(N3)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,扫描控制信号线(Sn)提供低电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开,第二节点(N2)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)打开,电源电压(ELVDD)处于低电位状态、数据信号线(Data)处于关...
【专利技术属性】
技术研发人员:周兴雨,
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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