【技术实现步骤摘要】
一种磁性和电涡流涂层测厚系统及便携式涂层测厚装置
本技术属于厚度测量,尤其涉及一种磁性和电涡流涂层测厚系统及便携式涂层测厚装置。
技术介绍
磁性涂层测厚仪,用于测量导磁材料,如铁或钢表面上非导磁覆盖层例如,铜、锌、镉、铬镀层和油漆层厚度的仪器;电涡流涂层测厚仪,采用电涡流原理,测量有色金属基体上的油漆、塑料、橡胶等涂层或铝基体上的阳极氧化膜厚度的仪器。目前,首先传统的涂层测厚仪的磁性测量使用频率采样的方式,且频率比较低,频率采样测量分辨率容易受到外界电信号干扰,造成数据不稳定或甚至不能测量;其次,传统涂层测厚仪均采用不停地采样测量信号的方式,检测是否仪器处于测量中,此方式恢复非测量状态较慢;此外,传统涂层测厚仪受外部环境温度的影响,且探头通常裸露。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题为了解决现有技术的上述问题,本技术提供一种磁性和电涡流涂层测厚系统,以及一种便携式涂层测厚装置。(二)技术方案为了达到上述目的,本技术采用的主要技术方案包括:电涡流线圈、第一磁性发射线圈、磁性接收线圈、第二磁性发射线圈、磁性接收电路模组、磁性发射驱动电路、电涡流测量电路模组、单片机、显示屏和语音播报电路;磁性接收线圈与磁性接收电路模组的一端连接,磁性接收电路模组的另一端与单片机的ADC接口连接;单片机的DAC接口与磁性发射驱动电路的一端连接;第一磁性发射线圈一端和第二磁性发射线圈的同名端连接,第二磁性发射线圈另一端和电涡流线圈的同名端连接均接地,电涡流线圈的另一端与电涡流测量电路模组连接的一端连接,电涡流测量电路模组连接的另一端与单片机的时钟接口连接,第一磁性发射线圈的另一端与磁性发 ...
【技术保护点】
1.一种磁性和电涡流涂层测厚系统,其特征在于,包括:电涡流线圈、第一磁性发射线圈、磁性接收线圈、第二磁性发射线圈、磁性接收电路模组、磁性发射驱动电路、电涡流测量电路模组、单片机、显示屏和语音播报电路;磁性接收线圈与磁性接收电路模组的一端连接,磁性接收电路模组的另一端与单片机的ADC接口连接;单片机的DAC接口与磁性发射驱动电路的一端连接;第一磁性发射线圈一端和第二磁性发射线圈的同名端连接,第二磁性发射线圈另一端和电涡流线圈的同名端连接均接地,电涡流线圈的另一端与电涡流测量电路模组连接的一端连接,电涡流测量电路模组连接的另一端与单片机的时钟接口连接,第一磁性发射线圈的另一端与磁性发射驱动电路的另一端连接;显示屏和语音播报电路均与单片机的输出端口连接。
【技术特征摘要】
1.一种磁性和电涡流涂层测厚系统,其特征在于,包括:电涡流线圈、第一磁性发射线圈、磁性接收线圈、第二磁性发射线圈、磁性接收电路模组、磁性发射驱动电路、电涡流测量电路模组、单片机、显示屏和语音播报电路;磁性接收线圈与磁性接收电路模组的一端连接,磁性接收电路模组的另一端与单片机的ADC接口连接;单片机的DAC接口与磁性发射驱动电路的一端连接;第一磁性发射线圈一端和第二磁性发射线圈的同名端连接,第二磁性发射线圈另一端和电涡流线圈的同名端连接均接地,电涡流线圈的另一端与电涡流测量电路模组连接的一端连接,电涡流测量电路模组连接的另一端与单片机的时钟接口连接,第一磁性发射线圈的另一端与磁性发射驱动电路的另一端连接;显示屏和语音播报电路均与单片机的输出端口连接。2.如权利要求1所述的磁性和电涡流涂层测厚系统,其特征在于,磁性接收电路模组包括差分放大电路、整流电路、积分电路和放大电路;磁性接收线圈的电流依次经过差分放大电路、整流电路、积分电路和放大电路输入到单片机的数模转换接口。3.如权利要求2所述的磁性和电涡流涂层测厚系统,其特征在于,整流电路中包括:第一放大器、第二放大器、第一电容(C1),第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)和组合二极管;第一电容(C1)的一端与差分放大电路的输出端连接,第一电容(C1)的另一端分别与第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和第三电阻(R3)的一端连接,第一电阻(R1)的另一端接地;第四电阻(R4)的一端接地,另一端与第一放大器的正极输入端连接,第一放大器的输出端与组合二极管的第一端连接;第二电阻(R2)的另一端分别与第五电阻(R5)的一端、组合二极管的第二端和第一放大器负极输入端连接;第三电阻(R3)的另一端分别与第六电阻(R6)的一端、第七电阻(R7)的一端和第二放大器的负极输入端连接;第五电阻(R5)的另一端和第六电阻(R6)的另一端均与组合二极管的第三端连接;第七电阻(R7)的另一端与第二放大器的输出端连接,第八电阻(R8)的一端接地,另一端与第二放大器的正极输入端连接。4.如权利要求1所述的磁性和电涡流涂层测厚系统,其特征在于,磁性发射驱动电路包括:第九电阻(R9)、第十电阻(R10)、第三放大器和第二电容(C2);第二电容(C2)的一端与单片机的数模转换接口连接,第二电容(C2)的另一端分别与第三放大器的正极输入端和第九电阻(R9)的一端连接,九电阻(R9)的另一端接地;第三放大器的输出端分别与第三放大器的负极输入端和第十电阻(R10)的一端连接,第十电阻(R10)的另一端与第一磁性发射线圈的一端连接。5.如权利要求1所述的磁性和...
【专利技术属性】
技术研发人员:许小建,
申请(专利权)人:北京顺科达科技有限公司,
类型:新型
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。