用于制备釉面陶瓷体的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制备釉面陶瓷体的方法，其中(a)将上釉材料施加到非致密烧结的基底材料，并且(b)在从第一温度T1到高于所述第一温度的第二温度T2延伸的温度范围使所述基底材料和所述上釉材料经受热处理，以获得釉面体，其中，在所述温度T1下，所述上釉材料的粘度大于10

A Method for Preparing Glazed Ceramics

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备釉面陶瓷体的方法本专利技术涉及一种用于对尚未致密烧结的陶瓷体上釉的方法。诸如氧化物陶瓷的陶瓷材料经常用于制备完全解剖学(fullyanatomical)的牙科修复体。这些产品提供高的临床安全性，通常不含金属，也可用于微创制剂，并且与其他不含金属的修复体相比，在价格方面非常具有吸引力。然而，缺点是制备这种修复体通常需要许多工作步骤。修复体通常由预烧结坯料铣削或研磨而成，也许在颜色上表征，通过热处理致密烧结，进一步借助于喷涂技术表征并最终上釉。通常，上釉是通过将釉料施加到致密烧结的修复体并在700至950℃温度范围的热处理进行的。此外，将贴面材料施加到部分烧结氧化物陶瓷的表面也是已知的。然而，在这种情况下，贴面材料在热处理期间渗透到陶瓷中。因此，在US4,626,392A、US5,447,967A和WO99/52467A1中，描述了一些方法，其中贴面材料扩散到氧化物陶瓷中，并由此在多晶基底和贴面之间的表面形成无机-无机复合材料。在WO2011/050786A2和US2012/225201A1中，描述了一种粘合促进剂，其施加到部分烧结的氧化物陶瓷，并在烧结过程中扩散到表面中。在致密烧结步骤之后，然后施加贴面陶瓷并再次烧结。粘合促进剂代表氧化物陶瓷和烧结在其上的贴面陶瓷之间的连接成分(element)。此外，所谓的玻璃渗透陶瓷在牙科技术中是已知的，其通过将大部分硅酸盐材料渗透到多孔氧化物陶瓷材料中而制备，其中通常形成具有改变性质的渗透结构。因此，WO2008/060451A2描述了所谓的夹层结构，其通过将玻璃-陶瓷材料渗透到由非最终烧结的ZrO2制成的基底中而制成。特定性质可以部分地以这种方式受到积极影响，但特别是光学性质经常受损。WO2005/070322A1和US2005/164045A1描述了一种方法，在该方法中，在室温下在真空下将溶胶渗透到基底中，然后进行致密烧结。因此，本专利技术的目的是提供一种用于制备釉面陶瓷体的改进的方法，该方法避免了上述缺点，并且其特征在于较少数量的方法步骤，而不损害陶瓷的光学和其它物理和化学性质。该目的通过根据权利要求1至18的用于制备釉面陶瓷体的方法实现。本专利技术的主题还在于根据权利要求19的上釉材料用于对基底材料上釉的用途。根据本专利技术的用于制备釉面陶瓷体的方法的特征在于(a)将上釉材料施加到非致密烧结的基底材料上，并且(b)在从第一温度T1到高于第一温度的第二温度T2延伸的温度范围使基底材料和上釉材料经受热处理，以获得釉面体，其中，在温度T1下，上釉材料的粘度大于102.5Pa·s，在温度T2下，粘度小于109Pa·s。在温度T1下，上釉材料的粘度优选大于104.0Pa·s，特别是大于105.6Pa·s，特别优选大于107.0Pa·s，并且在温度T2下，粘度优选小于107Pa·s，特别是小于105.6Pa·s。特别优选的是，在温度T1下，上釉材料的粘度大于105.6Pa·s，特别是大于107.0Pa·s，并且在温度T2下，粘度小于105.6Pa·s。特别地，上釉材料的粘度可以使用基于Vogel-Furcher-Tammann方程(VFT方程)的粘度-温度曲线来确定η：温度T下的动态粘度A、B、T0：物质特异性常数。该方程从分别通过膨胀计或加热显微镜实验确定的至少三对、优选五对特征温度值以及相关的粘度值开始求解：通过根据最小二乘法的近似方法求解该方程。令人惊讶地显示，根据本专利技术的方法允许对尚未致密烧结的基底直接上釉，而不会使上釉材料在显著程度上渗透到基底材料中。因此，原则上可以省去用于致密烧结和上釉的复杂的双重热处理，而不会通过渗透发生基底材料的性质的实质变化。非致密烧结的基底材料例如是未烧结的，并且优选预烧结的基底材料。基于基底材料的真密度，非致密烧结的基底材料的相对密度通常为30％至90％的范围，特别是40％至80％的范围，并且优选50％至70％的范围。优选基底材料在温度T1下开始烧结。进一步优选的是，基底材料在温度T2下致密烧结。基底材料优选在温度T2下保持5至120分钟，特别是10至60分钟，并且甚至更优选20至30分钟的持续时间。在温度T2下，基于基底材料的真密度，基底材料的相对密度通常为至少97％，特别是至少98％，优选至少99％，并且最优选至少99.5％。相对密度是基底材料的密度与基底材料的真密度之比。基底材料的密度可以通过称重并几何确定其体积来确定。然后根据已知的公式计算密度密度＝质量/体积。基底材料的真密度是通过将基底材料研磨成基于颗粒的数量的平均粒径为10至30μm，特别是20μm的粉末，并且通过比重瓶确定粉末的密度来确定的。例如，粒径的确定可以使用QuantachromeGmbH&Co.KG的粒度分析仪1064，使用激光衍射，根据ISO13320(2009)进行。在优选的实施方案中，在温度Tx下，基于基底材料的真密度，在该温度下基底材料的相对密度为95％，上釉材料的粘度大于102.5Pa·s，并且优选大于104.0Pa·s。在特别优选的实施方案中，在温度T1下，上釉材料的粘度大于105.6Pa·s，并且特别是大于107.0Pa·s，在温度TX下，基于基底材料的真密度，在该温度下基底材料的相对密度为95％，粘度大于102.5Pa·s，优选大于104.0Pa·s，并且在温度T2下，粘度小于109Pa·s，特别是小于107Pa·s，并且优选小于105.6Pa·s。在更进一步优选的实施方案中，在温度T1下，上釉材料的粘度大于107.0Pa·s，在温度TX下，基于基底材料的真密度，在该温度下基底材料的相对密度为95％，粘度大于104.0Pa·s，并且在温度T2下，粘度小于105.6Pa·s。根据本专利技术的方法适用于多种陶瓷基底材料。合适的基底材料的实例是氧化物陶瓷，特别是基于ZrO2、Al2O3或无机-无机复合材料的氧化物陶瓷，以及玻璃和玻璃陶瓷。特别优选的基底材料是基于ZrO2，特别是基于纳米级ZrO2的氧化物陶瓷。在本专利技术特别优选的实施方案中，基底材料包括至少两层，它们的化学组成和/或特别是它们的颜色不同。通常，在950℃的温度下，用于根据本专利技术的方法的上釉材料的粘度大于102.5Pa·s。此外，在1300℃的温度下，其粘度通常大于102.5Pa·s。另外，通常，在1450℃的温度下，其粘度小于109Pa·s。优选的上釉材料的特征在于，在950℃的温度下，它们的粘度大于104.0Pa·s，优选大于105.6Pa·s，并且特别优选大于107.0Pa·s，在1300℃的温度下，粘度大于104Pa·s和/或在1450℃的温度下，粘度小于107Pa·s，并且优选小于105.6Pa·s。此外，根据本专利技术优选的上釉材料，其在700℃的温度下的粘度大于102.5Pa·s，在900℃的温度下，粘度大于102.5Pa·s和/或，在1100℃的温度下，粘度小于109Pa·s。特别优选的上釉材料的特征在于，在700℃的温度下，它们的粘度大于104.0Pa·s，优选大于105.6Pa·s，并且特别优选大于107.0Pa·s，在900℃的温度下，粘度大于104Pa·s和/或，在1100℃的温度下，粘度小于107Pa·s，并且优选小于105.6Pa·s。上釉材料优选本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于制备釉面陶瓷体的方法，其中(a)将上釉材料施加到非致密烧结的基底材料上，并且(b)在从第一温度T1到高于所述第一温度的第二温度T2延伸的温度范围使所述基底材料和所述上釉材料经受热处理，以获得釉面体，其中，在所述温度T1下，所述上釉材料的粘度大于10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.23 EP 17162531.21.用于制备釉面陶瓷体的方法，其中(a)将上釉材料施加到非致密烧结的基底材料上，并且(b)在从第一温度T1到高于所述第一温度的第二温度T2延伸的温度范围使所述基底材料和所述上釉材料经受热处理，以获得釉面体，其中，在所述温度T1下，所述上釉材料的粘度大于102.5Pa·s，特别是大于104.0Pa·s，优选大于105.6Pa·s，并且特别优选大于107.0Pa·s，并且在所述温度T2下，所述上釉材料的粘度小于109Pa·s，特别是小于107Pa·s，并且优选小于105.6Pa·s。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述温度T1下，所述上釉材料的粘度大于105.6Pa·s，特别是大于107.0Pa·s，并且在所述温度T2下，所述上釉材料的粘度小于105.6Pa·s。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述非致密烧结的基底材料是预烧结的基底材料。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，基于所述基底材料的真密度，所述非致密烧结的基底材料的相对密度为30％至90％的范围，特别是40％至80％的范围，并且优选为50％至70％的范围。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述基底材料在温度T1下开始烧结。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，将所述基底材料在所述温度T2下保持5至120分钟，特别是10至60分钟，并且进一步优选20至30分钟。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，在所述温度T2下，基于所述基底材料的真密度，所述基底材料的相对密度为至少97％，特别是至少98％，优选至少99％，并且最优选至少99.5％。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，在所述温度Tx下，基于所述基底材料的真密度，在该温度下所述基底材料的相对密度为95％，所述上釉材料的粘度大于102.5Pa·s，并且优选大于104.0Pa·s。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，在所述温度T1下，所述上釉材料的粘度大于105.6Pa·s，并且特别是大于107.0Pa·s，在所述温度TX下，基于所述基底材料的真密度，在该温度下所述基底材料的相对密度为95％，粘度大于102.5Pa·s，并且优选大于104.0Pa·s，并且在温度T2下，所述基底材料的粘度小于109Pa·s，特别是小于107Pa·s，并且优选小于105.6Pa·s。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，所述基底材料是氧化物陶瓷，特别是基于ZrO2、Al2O3或无机-无机复合材料的氧化物陶瓷，...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·罗斯布鲁斯特，R·亨斯特，S·克若里柯威斯基，C·里茨伯格，D·塔乌基，
申请(专利权)人：义获嘉伟瓦登特公司，
类型：发明
国别省市：列支敦士登,LI