用于发光单元的巨量转移方法，阵列基板以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，并且具体地，涉及用于发光单元的巨量转移方法，阵列基板以及显示装置。该方法包括以下步骤：提供阵列排布的多个发光单元，其中，多个发光单元中的每一个包括第一电极，并且第一电极延伸到发光单元的侧边缘；提供衬底基板，其中衬底基板包括阵列排布的多个区域，多个区域中的每一个包括第二电极和位于第二电极上的电固化胶；通过转移设备拾取多个发光单元；将第一电压和第二电压分别施加到第一电极和第二电极；将转移设备与衬底基板对准，使得每一个第一电极延伸到发光单元的侧边缘的部分与一个对应的电固化胶接触；以及分离转移设备与多个发光单元，使得每一个发光单元被转移到衬底基板的多个区域中的一个对应区域。

Massive transfer methods, array substrates and display devices for light emitting units

【技术实现步骤摘要】
用于发光单元的巨量转移方法，阵列基板以及显示装置
本专利技术涉及显示
，并且具体地，涉及用于发光单元的巨量转移方法，阵列基板以及显示装置。
技术介绍
微发光二极管（Micro-LED）是将常规的LED结构进行薄膜化和微型化后得到的微型LED，其体积约为常规LED大小的1%。当微发光二极管作为发光单元应用于显示面板时，包括微发光二极管阵列的显示面板的每一个像素都能被单独控制并且驱动发光。由于微发光二极管阵列的间距（微米等级）比常规LED阵列的间距小得多，所以有利于实现显示面板的更高的每英寸像素数（pixelsperinch，PPI）、更高的亮度以及更高的色彩饱和度。目前，限制微发光二极管广泛应用的主要技术难点之一是用于将微发光二极管的阵列转移到衬底基板上的巨量转移技术，而巨量转移技术中的目前亟待解决的技术问题是如何提高对准精度。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供了一种用于发光单元的巨量转移方法，所述巨量转移方法包括以下步骤：提供阵列排布的多个发光单元，其中，所述多个发光单元中的每一个包括第一电极，并且所述第一电极延伸到所述发光单元的侧边缘；提供衬底基板，其中所述衬底基板包括阵列排布的多个区域，所述多个区域中的每一个包括第二电极和位于所述第二电极上的电固化胶；通过转移设备拾取所述多个发光单元；将第一电压施加到所述第一电极；将第二电压施加到所述第二电极；将所述转移设备与所述衬底基板对准，使得每一个第一电极延伸到所述发光单元的侧边缘的部分与一个对应的电固化胶接触；以及分离所述转移设备与所述多个发光单元，使得所述多个发光单元中的每一个被转移到所述衬底基板的所述多个区域中的一个对应区域。根据具体实现方案，在由本专利技术的实施例提供的用于发光单元的巨量转移方法中，所述发光单元包括微发光二极管（Micro-LED）。根据具体实现方案，在由本专利技术的实施例提供的用于发光单元的巨量转移方法中，所述电固化胶包括3-[4-（溴甲基）苯基]-3-（三氟甲基）-双吖丙啶、聚酰胺-g-双吖丙啶、乙烯基酯重氮盐或乙烯基。根据具体实现方案，在由本专利技术的实施例提供的用于发光单元的巨量转移方法中，所述第一电压和所述第二电压之间的电压差在0.5V-5V的范围中。根据具体实现方案，在由本专利技术的实施例提供的用于发光单元的巨量转移方法中，通过丝网印刷形成所述电固化胶。根据具体实现方案，在由本专利技术的实施例提供的用于发光单元的巨量转移方法中，将所述转移设备与所述衬底基板对准的步骤包括：在垂直于所述衬底基板的第一方向上和/或在平行于所述衬底基板的第二方向上相对于所述衬底基板移动所述转移设备。根据具体实现方案，在由本专利技术的实施例提供的用于发光单元的巨量转移方法中，每一个发光单元还包括第三电极和位于所述第一电极与所述第三电极之间的发光层。根据具体实现方案，在由本专利技术的实施例提供的用于发光单元的巨量转移方法中，所述发光层包括量子阱发光层。根据具体实现方案，在由本专利技术的实施例提供的用于发光单元的巨量转移方法中，所述第一电极为阴极，并且所述第三电极为阳极。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括：衬底基板，包括阵列排布的多个区域；多个第二电极，所述多个第二电极中的每一个位于所述多个区域中的一个对应区域中；多个电固化胶，所述多个电固化胶中的每一个位于所述多个第二电极中的一个对应第二电极上；多个发光单元，所述多个发光单元中的每一个位于所述多个区域中的一个对应区域中，其中，每一个发光单元包括第一电极，并且所述第一电极延伸到所述发光单元的侧边缘；其中，每一个第一电极延伸到所述发光单元的侧边缘的部分与一个对应的电固化胶接触。根据具体实现方案，在由本专利技术的实施例提供的阵列基板中，所述发光单元包括微发光二极管（Micro-LED）。根据具体实现方案，在由本专利技术的实施例提供的阵列基板中，所述电固化胶包括3-[4-（溴甲基）苯基]-3-（三氟甲基）-双吖丙啶、聚酰胺-g-双吖丙啶、乙烯基酯重氮盐或乙烯基。根据具体实现方案，在由本专利技术的实施例提供的阵列基板中，每一个发光单元还包括第三电极和位于所述第一电极与所述第三电极之间的发光层，并且所述发光层包括量子阱发光层。根据具体实现方案，在由本专利技术的实施例提供的阵列基板中，所述第一电极为阴极，并且所述第三电极为阳极。根据本专利技术的又一方面，还提供了一种显示装置。所述显示装置包括在前面任一个实施例中描述的阵列基板。附图说明将在下文中进一步以非限制性方式并且参照随附各图来描述本专利技术的实施例，在附图中：图1示意性示出了一种用于发光单元的巨量转移方式；图2示意性示出了根据本专利技术的实施例的用于发光单元的巨量转移方法的流程图；图3示意性示出了根据本专利技术的一个实施例的发光单元的截面图；图4示意性示出了根据本专利技术的一个实施例的衬底基板的截面图；图5示意性示出了根据本专利技术的一个实施例的电固化胶的固化过程的示意图；以及图6示意性示出了根据本专利技术的一个实施例的阵列基板的截面图。具体实施方式如上所述，微发光二极管是将常规的LED结构进行薄膜化和微型化后得到的微型LED。与有机发光二极管（OLED）相似，微发光二极管具备无需背光源、能够自发光的特性。但相比由有机发光二极管构成的显示面板，由微发光二极管构成的显示面板具有更高的显示分辨率、更高的色彩饱和度以及更长的使用寿命。微发光二极管可以应用于包括诸如穿戴式设备、超大室内显示屏幕、头戴式显示器（HUD）、抬头显示器（HUD）、车尾灯、无线光通讯Li-Fi、AR/VR、投影机等多个领域。在封装环节，常规的LED通常采用真空吸附的方式进行转移。由于每个微发光二极管的尺寸通常小于用于真空吸附常规LED的真空管的尺寸，所以用于常规LED的真空吸附的方式不再适用于微发光二极管的转移。当前，用于微发光二极管的巨量转移方法例如包括精准抓放（finepick/place）巨量转移方法、选择性释放（selectiverelease）巨量转移方法以及自组装（self-assembly）巨量转移方法。其中，精准抓放巨量转移方法是目前常用的巨量转移方法，其通常包括薄膜转移方式和静电吸附转移方式。这两种转移方式都是通过转移设备从衬底基板上拾取阵列排布的多个微发光二极管，然后将它们转移到另一衬底基板上。图1示意性示出了用于微发光二极管的薄膜转移方式，该转移方式大体包括以下几个步骤：S1，使转移设备（例如，其可以是包括诸如聚二甲基硅氧烷（PDMS）材料的弹性印章）对准微发光二极管并快速下压；S2，转移设备发生形变并与微发光二极管紧密贴合；S3，快速上提转移设备，使得微发光二极管与第一衬底基板分离；S4，将转移设备与第二衬底基板对准；S5，使转移设备朝向第二衬底基板快速下压；S6，将转移设备缓慢上提并与微发光二极管分离。需要说明的是，为了便于清楚地说明用于微发光二极管的薄膜转移方式的步骤，图1中仅示意性地示出了一个微发光二极管，但是，本领域技术人员应当清楚地知道，在用于微发光二极管的巨量转移方法中，转移设备通常一次性拾取阵列排布的多个微发光二极管。通常，精准抓放巨量转移方法是通过提升转移设备的对准精度来提高被转移的微发光二极管的对准精度，但是转移设备的对准精度由于通常受到机械对准等各方面的限制而只能达到例如10-20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于发光单元的巨量转移方法，包括：提供阵列排布的多个发光单元，其中，所述多个发光单元中的每一个包括第一电极，并且所述第一电极延伸到所述发光单元的侧边缘；提供衬底基板，其中所述衬底基板包括阵列排布的多个区域，所述多个区域中的每一个包括第二电极和位于所述第二电极上的电固化胶；通过转移设备拾取所述多个发光单元；将第一电压施加到所述第一电极；将第二电压施加到所述第二电极；将所述转移设备与所述衬底基板对准，使得每一个第一电极延伸到所述发光单元的侧边缘的部分与一个对应的电固化胶接触；以及分离所述转移设备与所述多个发光单元，使得所述多个发光单元中的每一个被转移到所述衬底基板的所述多个区域中的一个对应区域。

【技术特征摘要】
1.一种用于发光单元的巨量转移方法，包括：提供阵列排布的多个发光单元，其中，所述多个发光单元中的每一个包括第一电极，并且所述第一电极延伸到所述发光单元的侧边缘；提供衬底基板，其中所述衬底基板包括阵列排布的多个区域，所述多个区域中的每一个包括第二电极和位于所述第二电极上的电固化胶；通过转移设备拾取所述多个发光单元；将第一电压施加到所述第一电极；将第二电压施加到所述第二电极；将所述转移设备与所述衬底基板对准，使得每一个第一电极延伸到所述发光单元的侧边缘的部分与一个对应的电固化胶接触；以及分离所述转移设备与所述多个发光单元，使得所述多个发光单元中的每一个被转移到所述衬底基板的所述多个区域中的一个对应区域。2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中，所述发光单元包括微发光二极管（Micro-LED）。3.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中，所述电固化胶包括3-[4-（溴甲基）苯基]-3-（三氟甲基）-双吖丙啶、聚酰胺-g-双吖丙啶、乙烯基酯重氮盐或乙烯基。4.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中，所述第一电压和所述第二电压之间的电压差在0.5V-5V的范围中。5.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中，通过丝网印刷形成所述电固化胶。6.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中，将所述转移设备与所述衬底基板对准的步骤包括：在垂直于所述衬底基板的第一方向上和/或在平行于所述衬底基板的第二方向上相对于所述衬底基板移动所述转移设备。7.根据权利要求1-6中的任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵承潭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11