【技术实现步骤摘要】
比较器以及包括该比较器的显示器
根据本专利技术的实施例的一个或多个方面涉及比较器以及包括该比较器的显示器,并且更具体地涉及在宽范围共模电压下具有高分辨率的比较器和包括该比较器的显示器。本申请要求2018年3月15日提交的名称为“WIDECMHIGHSENSITIVITYSTRONGARMCOMPARATOR(宽CM高灵敏度StrongArm比较器)”的美国临时申请第62/643,619号的优先权和权益,其全部内容通过引用合并于此。
技术介绍
在与电流模式逻辑对应物相比时,包括连接到两个背对背逆变器的差分对的“StrongArm”比较器可用于低静态功耗,用于产生轨到轨输出和高采样带宽。然而,对于具有高共模电压的输入信号,该比较器设计可能具有显著降低的灵敏度。因此,需要一种能够实现对具有高共模电压的输入信号的高灵敏度的比较器。
技术实现思路
示例性实施例提供了一种用于实现对具有高共模电压的输入信号的高灵敏度的比较器和包括该比较器的显示器。根据本公开的实施例,提供了一种比较器,包括:包括第一晶体管和第二晶体管的差分对,具有:连接到第一晶体管的控制端子的第一输入、连接到第二晶体管的控制端子的第二输入、连接到第一晶体管的主端子的第一输出、连接到第二晶体管的主端子的第二输出、以及公共节点;连接到差分对的公共节点的时钟使能晶体管;第一逆变器,具有:输入、输出、第一串联路径端子和第二串联路径端子;第二逆变器,具有:输入、输出、第一串联路径端子和第二串联路径端子;第一共模补偿晶体管和第二共模补偿晶体管,第一逆变器的输入连接到第二逆变器的输出,第二逆变器的输入连接到第一逆变器的输 ...
【技术保护点】
1.一种比较器,包括:差分对,包括第一晶体管和第二晶体管,并具有:连接到所述第一晶体管的控制端子的第一输入、连接到所述第二晶体管的控制端子的第二输入、连接到所述第一晶体管的主端子的第一输出、连接到所述第二晶体管的主端子的第二输出、和公共节点,时钟使能晶体管,连接到所述差分对的所述公共节点,第一逆变器,具有:输入、输出、第一串联路径端子和第二串联路径端子,第二逆变器,具有:输入、输出、第一串联路径端子和第二串联路径端子,第一共模补偿晶体管,以及第二共模补偿晶体管,所述第一逆变器的所述输入连接到所述第二逆变器的所述输出,所述第二逆变器的所述输入连接到所述第一逆变器的所述输出,所述第一逆变器的所述第二串联路径端子连接到所述差分对的所述第一输出,所述第二逆变器的所述第二串联路径端子连接到所述差分对的所述第二输出,所述第一共模补偿晶体管连接在第一电压源和所述差分对的所述第一输出之间,所述第二共模补偿晶体管连接在所述第一电压源和所述差分对的所述第二输出之间。
【技术特征摘要】
2018.03.15 US 62/643,619;2018.08.07 US 16/057,1241.一种比较器,包括:差分对,包括第一晶体管和第二晶体管,并具有:连接到所述第一晶体管的控制端子的第一输入、连接到所述第二晶体管的控制端子的第二输入、连接到所述第一晶体管的主端子的第一输出、连接到所述第二晶体管的主端子的第二输出、和公共节点,时钟使能晶体管,连接到所述差分对的所述公共节点,第一逆变器,具有:输入、输出、第一串联路径端子和第二串联路径端子,第二逆变器,具有:输入、输出、第一串联路径端子和第二串联路径端子,第一共模补偿晶体管,以及第二共模补偿晶体管,所述第一逆变器的所述输入连接到所述第二逆变器的所述输出,所述第二逆变器的所述输入连接到所述第一逆变器的所述输出,所述第一逆变器的所述第二串联路径端子连接到所述差分对的所述第一输出,所述第二逆变器的所述第二串联路径端子连接到所述差分对的所述第二输出,所述第一共模补偿晶体管连接在第一电压源和所述差分对的所述第一输出之间,所述第二共模补偿晶体管连接在所述第一电压源和所述差分对的所述第二输出之间。2.根据权利要求1所述的比较器,其中,所述第一共模补偿晶体管的控制端子连接到所述差分对的所述第二输入。3.根据权利要求2所述的比较器,进一步包括连接在所述第一电压源和所述差分对的所述第一输出之间的第一复位晶体管,所述第一复位晶体管的控制端子连接到所述时钟使能晶体管的控制端子。4.根据权利要求3所述的比较器,进一步包括连接在所述第一电压源和所述第一逆变器的所述输出之间的第二复位晶体管,所述第二复位晶体管的控制端子连接到所述时钟使能晶体管的所述控制端子。5.根据权利要求4所述的比较器,进一步包括连接在所述第一电压源和所述差分对的所述第二输出之间的第三复位晶体管,所述第三复位晶体管的控制端子连接到所述时钟使能晶体管的所述控制端子。6.根据权利要求5所述的比较器,进一步包括连接在所述第一电压源和所述第二逆变器的所述输出之间的第四复位晶体管,所述第四复位晶体管的控制端子连接到所述时钟使能晶体管的所述控制端子。7.根据权利要求1所述的比较器,其中:所述第一逆变器包括在所述第一电压源和所述差分对的所述第一输出之间串联连接的两个晶体管,所述第二逆变器包括在所述第一电压源和所述差分对的所述第二输出之间串联连接的两个晶体管,所述时钟使能晶体管连接在所述差分对的所述公共节点和第二电压源之间。8.根据权利要求7所述的比较器,其中:所述第一电压源的电压高于所述第二电压源的电压,所述时钟使能晶体管是n沟道MOSFET,所述差分对的所述第一晶体管是n沟道MOSFET,所述差分对的所述第二晶体管是n沟道MOSFET,所述第一共模补偿晶体管是n沟道MOSFET,并且所述第二共模补偿晶体管是n沟道MOSFET。9.根据权利要求1所述的比较器,其中,所述第一共模补偿晶体管具有在所述差分...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏达,瓦朗坦·艾布拉姆宗,
申请(专利权)人:三星显示有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。