一种应用于LED灯测试夹具的测试系统技术方案

本发明专利技术公开了一种应用于LED灯测试夹具的测试系统，包括：MCU控制驱动电路、MOS管驱动电路、极性判断电路、测试夹具；通过MCU控制驱动电路对MOS管驱动电路的四个MOS管的开启或关闭状态进行控制，从而改变流入测试夹具的电流方向；其中还通过极性判断电路采样检测并判断当前测试回路的电流值是否正常，从而判断待测LED灯装载在测试夹具的极性是否正确，并反馈信号给MCU控制驱动电路从而保持或改变当前流入测试夹具的电流方向，以便完整后续的LED灯测试工作。本发明专利技术解决了现有的LED灯测试夹具由于只有单向导电性，导致LED灯的测试工作效率低，可靠性不足等问题。

A Test System for LED Lamp Test Fixture

【技术实现步骤摘要】
一种应用于LED灯测试夹具的测试系统
本专利技术涉及LED灯测试
，尤其涉及一种应用于LED灯测试夹具的测试系统。
技术介绍
目前市面上的LED灯测试夹具为单向导电性，即对LED灯施加电流的方向必须固定，待测LED灯装载在夹具上必须对应正确极性才能正常测试。当LED灯电极放置方向倒置时，测试人员必须确认后重新装载才能继续完成LED灯的测试工作，增加了测试工作量，导致测试效率低下，影响了测试的可靠性。
技术实现思路
本专利技术为解决现有的LED灯测试夹具由于只有单向导电性，导致LED灯的测试工作效率低，可靠性不足等问题，提供了一种应用于LED灯测试夹具的测试系统。为实现以上专利技术目的，而采用的技术手段是：一种应用于LED灯测试夹具的测试系统，包括：MCU控制驱动电路、MOS管驱动电路、极性判断电路、测试夹具；其中MOS管驱动电路为包括四个MOS管的H桥电路，其中H桥的电源正极端与电源正极电连接，H桥的电源负极端与电源负极电连接；所述MCU控制驱动电路分别与MOS管驱动电路以及测试夹具电连接，所述MOS管驱动电路通过极性判断电路与所述测试夹具电连接。在本优选方案中，通过MCU控制驱动电路对MOS管驱动电路的四个MOS管的开启或关闭状态进行控制，从而改变流入测试夹具的电流方向；其中还通过极性判断电路采样检测并判断当前测试回路的电流值是否正常，从而判断待测LED灯装载在测试夹具的极性是否正确，并反馈信号给MCU控制驱动电路从而保持或改变当前流入测试夹具的电流方向，以便完整后续的LED灯测试工作。优选的，所述MOS管驱动电路为包括四个MOS管的H桥电路，该电路具体包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第一NMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极作为H桥的电源正极端，所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极电连接，所述第三NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极电连接，所述第二NMOS管的源极、第四NMOS管的源极作为H桥的电源负极端。优选的，所述MOS管驱动电路为包括四个MOS管的H桥电路，该电路还包括：第一电阻R1、第一稳压二极管D1、第一电容C1、第五电容C5以及第五电阻R5；第二电阻R2、第二稳压二极管D2、第二电容C2、第六电容C6以及第六电阻R6；第三电阻R3、第三稳压二极管D3、第三电容C3、第七电容C7以及第七电阻R7；第四电阻R4、第四稳压二极管D4、第四电容C4、第八电容C8以及第八电阻R8；第一稳压二极管D1的阳极、第一电容C1的负极、第五电容C5的另一端均与电源地电平电连接，第一稳压二极管D1的阴极、第一电容C1的正极、第五电容C5的一端、第五电阻R5的一端均与第一电阻R1的一端电连接后与第一NMOS管的源极电连接，所述第一电阻R1的另一端与电源电连接，所述第五电阻R5的另一端与第一NMOS管的栅极电连接；第二稳压二极管D2的阳极、第二电容C2的负极、第六电容C6的另一端均与电源地电平电连接，第二稳压二极管D2的阴极、第二电容C2的正极、第六电容C6的一端、第六电阻R6的一端均与第二电阻R2的一端电连接后与第一NMOS管的源极电连接，所述第二电阻R2的另一端与电源电连接，所述第六电阻R6的另一端与第二NMOS管的栅极电连接；第三稳压二极管D3的阳极、第三电容C3的负极、第七电容C7的另一端均与电源地电平电连接，第三稳压二极管D3的阴极、第三电容C3的正极、第七电容C7的一端、第七电阻R7的一端均与第三电阻R3的一端电连接后与第一NMOS管的源极电连接，所述第三电阻R3的另一端与电源电连接，所述第七电阻R7的另一端与第三NMOS管的栅极电连接；第四稳压二极管D4的阳极、第四电容C4的负极、第八电容C8的另一端均与电源地电平电连接，第四稳压二极管D4的阴极、第四电容C4的正极、第八电容C8的一端、第八电阻R8的一端均与第四电阻R4的一端电连接后与第一NMOS管的源极电连接，所述第四电阻R4的另一端与电源电连接，所述第八电阻R8的另一端与第四NMOS管的栅极电连接。优选的，所述极性判断电路包括电流传感器，所述电流传感器电连接在所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极电连接处以及所述第三NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极电连接处之间；所述测试夹具的正电极端与所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极电连接处电连接，所述测试夹具的负电极端与所述第三NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极电连接处电连接。优选的，所述MCU控制驱动电路具体包括：单片机，电源与地之间电连接有由第十三电阻R13和第九电容C9串联组成的充放电回路，用于为单片机提供复位信号；由晶体谐振器X1、第十电容C10、第十一电容C11组成的振荡电路，用于为单片机提供稳定时钟；所述电流传感器的反馈信号输出端通过第十四电阻R14与所述单片机的反馈信号输入端电连接，所述单片机的四个驱动信号输出端分别与第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极对应电连接。优选的，所述MCU控制驱动电路还包括达林顿管，所述达林顿管的第一输出端与第一NMOS管的栅极、第九电阻R9以及电源电连接，所述达林顿管的第二输出端与第二NMOS管的栅极、第十电阻R10以及电源电连接，所述达林顿管的第三输出端与第三NMOS管的栅极、第十一电阻R11以及电源电连接，所述达林顿管的第四输出端与第四NMOS管的栅极、第十二电阻R12以及电源电连接，所述达林顿管的四个输入端分别与单片机的四个驱动信号输出端对应电连接。在本优选方案中，MCU控制驱动电路的驱动信号输出后经达林顿管进行取反并增强驱动能力后，再输入MOS管驱动电路的信号输入端，使各个NMOS管的源极和栅极之间形成预设的电压差。同时第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12属于上拉电阻，用于稳定驱动电压。优选的，所述达林顿管为ULN2003芯片。优选的，所述单片机的型号为AT89C52A。与现有技术相比，本专利技术技术方案的有益效果是：本专利技术在原有单向导电性的LED灯测试夹具的基础上，通过MCU控制驱动电路对MOS管驱动电路的四个MOS管的开启或关闭状态进行控制，从而改变流入测试夹具的电流方向；其中还通过极性判断电路采样检测并判断当前测试回路的电流值是否正常，从而判断待测LED灯装载在测试夹具的极性是否正确，并反馈信号给MCU控制驱动电路从而保持或改变当前流入测试夹具的电流方向，以便完整后续的LED灯测试工作。本专利技术可以检测到装载于测试夹具的LED灯电极是否正确，并对倒置的电极自动进行电流方向切换，然后进行后续的测试工作，即当LED灯电极放置方向倒置时，测试人员无需人工确认并重新装载才能继续完成LED灯的测试工作。本专利技术解决了现有的LED灯测试夹具由于只有单向导电性，导致LED灯的测试工作效率低，可靠性不足等问题。附图说明图1为本专利技术的框图。图2为本专利技术测试系统的主回路结构。图3为本专利技术测试系统中的晶体管驱动回路。图4为本专利技术中的MCU控制驱动部分。图5为实施例2中应用本专利技术测试系统进行LED灯测试的流程图。具体实施方式附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于LED灯测试夹具的测试系统，其特征在于，包括：MCU控制驱动电路、MOS管驱动电路、极性判断电路、测试夹具；其中MOS管驱动电路为包括四个MOS管的H桥电路，其中H桥的电源正极端与电源正极电连接，H桥的电源负极端与电源负极电连接；所述MCU控制驱动电路分别与MOS管驱动电路以及测试夹具电连接，所述MOS管驱动电路通过极性判断电路与所述测试夹具电连接。

【技术特征摘要】
1.一种应用于LED灯测试夹具的测试系统，其特征在于，包括：MCU控制驱动电路、MOS管驱动电路、极性判断电路、测试夹具；其中MOS管驱动电路为包括四个MOS管的H桥电路，其中H桥的电源正极端与电源正极电连接，H桥的电源负极端与电源负极电连接；所述MCU控制驱动电路分别与MOS管驱动电路以及测试夹具电连接，所述MOS管驱动电路通过极性判断电路与所述测试夹具电连接。2.根据权利要求1所述的应用于LED灯测试夹具的测试系统，其特征在于，所述MOS管驱动电路为包括四个MOS管的H桥电路，该电路具体包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第一NMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极作为H桥的电源正极端，所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极电连接，所述第三NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极电连接，所述第二NMOS管的源极、第四NMOS管的源极作为H桥的电源负极端。3.根据权利要求2所述的应用于LED灯测试夹具的测试系统，其特征在于，所述MOS管驱动电路为包括四个MOS管的H桥电路，该电路还包括：第一电阻R1、第一稳压二极管D1、第一电容C1、第五电容C5以及第五电阻R5；第二电阻R2、第二稳压二极管D2、第二电容C2、第六电容C6以及第六电阻R6；第三电阻R3、第三稳压二极管D3、第三电容C3、第七电容C7以及第七电阻R7；第四电阻R4、第四稳压二极管D4、第四电容C4、第八电容C8以及第八电阻R8；第一稳压二极管D1的阳极、第一电容C1的负极、第五电容C5的另一端均与电源地电平电连接，第一稳压二极管D1的阴极、第一电容C1的正极、第五电容C5的一端、第五电阻R5的一端均与第一电阻R1的一端电连接后与第一NMOS管的源极电连接，所述第一电阻R1的另一端与电源电连接，所述第五电阻R5的另一端与第一NMOS管的栅极电连接；第二稳压二极管D2的阳极、第二电容C2的负极、第六电容C6的另一端均与电源地电平电连接，第二稳压二极管D2的阴极、第二电容C2的正极、第六电容C6的一端、第六电阻R6的一端均与第二电阻R2的一端电连接后与第一NMOS管的源极电连接，所述第二电阻R2的另一端与电源电连接，所述第六电阻R6的另一端与第二NMOS管的栅极电连接；第三稳压二极管D3的阳极、第三电容C3的负极、第七电容C7的另一端均与电源地电平电连接，第三稳压二极管D3的阴极、第三电容C3的正极、第七电容C7的一端、第七电阻R7的一端均与第三电阻R3的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李茂隆，
申请(专利权)人：广州市微生物研究所，
类型：发明
国别省市：广东,44