发光元件制造技术

一种发光元件，包含一发光迭层，包含一发光层，且该发光层具有一第一宽度；以及透明导电结构，位于该发光迭层上且包含氧化铟钨(IWO)；其中，从该发光元件的剖面看，该发光层具有一第一宽度，该透明导电结构具有大于该第一宽度的一第二宽度。

Light emitting element

【技术实现步骤摘要】
发光元件本分案申请是申请日为2013年07月17日、申请号为201310300955.4、专利技术名称为“发光元件”的分案申请。
本专利技术关于一种发光元件，特别是关于一种具有透明导电结构的发光元件。
技术介绍
光电元件，例如发光二极管(Light-emittingDiode；LED)，目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。此外，上述的LED可与其它元件组合连接以形成一发光装置。图1为已知的发光装置结构示意图，如图1所示，一发光装置1包含一具有一电路14的次载体12；一焊料16位于上述次载体12上，藉由此焊料16将LED11固定于次载体12上并使LED11与次载体12上的电路14形成电连接；以及一电性连接结构18，以电性连接LED11的电极15与次载体12上的电路14；其中，上述的次载体12可以是导线架或大尺寸镶嵌基底。
技术实现思路
一种发光元件，包含︰发光迭层，包含发光层，且该发光层具有一第一宽度；以及透明导电结构，位于该发光迭层上且包含氧化铟钨(IWO)；其中，从该发光元件的剖面看，该发光层具有第一宽度，该透明导电结构具有大于该第一宽度的第二宽度。一种发光元件还包含基板及反射结构位于该基板及该透明导电结构之间。一种发光元件，从该发光元件的剖面看，该反射结构具有大于该第一宽度的第三宽度。一种发光元件，从该发光元件的剖面看，该基板具有大于该第一宽度的第四宽度。一种发光元件，该发光迭层具有上表面远离该透明导电结构，且该上表面为粗糙表面。一种发光元件还包含第一电极位于该发光迭层上，该第一电极具有电流注入部、第一延伸部自该电流注入部向该发光元件之边界延伸、以及第二延伸部连接于该第一延伸部，且该第二延伸部较该第一延伸部远离该电流注入部。一种发光元件还包含电接触层位于该第二延伸部与该发光迭层之间。一种发光元件，该第二延伸部与该发光迭层之间不具有该电接触层。一种发光元件还包含第二电极，该基板位于该第二电极及该反射结构之间。一种发光元件，包含：基板；发光迭层位于该基板上且具有下表面及发光层；绝缘层，位于该发光迭层与该基板之间且与该下表面直接接触；孔隙，穿过该绝缘层以暴露该下表面；以及反射结构，位于该基板与该绝缘层之间且与该绝缘层直接接合。一种发光元件，该绝缘层具有一部份与该发光层不重迭。一种发光元件还包含导电黏结层位于该反射结构及该基板之间。一种发光元件，其中，该反射结构的材料包含铜(Cu)、铝(Al)、锡(Sn)、金(Au)、银(Ag)、铅(Pb)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、钨(W)或上述材料之合金。一种发光元件，包含：发光迭层，包含发光层；窗户层，位于该发光迭层上；以及绝缘层，位于该窗户层上，且具有相对该窗户层的第一表面；其中，该窗户层具有相对该绝缘层的第二表面，且该第一表面的面积与该第二表面的面积的比值为0.5～0.9。一种发光元件还包含基板，该绝缘层位于该基板及该窗户层之间。一种发光元件，从该发光元件的剖面看，该发光层具有第一宽度且该基板具有大于该第一宽度的第四宽度。一种发光元件还包含反射结构，位于该绝缘层上，且从该发光元件的剖面看，该反射结构具有大于该第一宽度的第三宽度。一种发光元件还包含导电氧化层，位于该窗户层及该反射结构之间，其中从发光元件的剖面看，该发光层具有一边界，且该导电氧化层凸出该边界。一种发光元件，该绝缘层包含多个孔隙，该导电氧化层填入该多个孔隙中。一种发光元件，该绝缘层位于该导电氧化层及该窗户层之间。附图说明图1绘示已知的发光装置结构示意图。图2A绘示本专利技术一实施例的发光元件的上视图。图2B绘示图2A沿剖面线AA’的剖面图。图3绘示第一接触上表面表面积相对于第一接触上表面和第二接触上表面的表面积总和的百分比对功率的示意图。图4绘示本专利技术一实施例的灯泡分解示意图。[标号说明]1发光装置11LED12次载体13、20基板14电路15电极16焊料18电性连接结构2、40发光元件21导电黏结层22反射结构220欧姆接触层222阻障层224反射黏结层226反射层23透明导电结构230第一导电氧化层231第一接触上表面232第二导电氧化层24非氧化物绝缘层241第二接触上表面242孔隙25发光迭层251第一半导体层252发光层253第二半导体层254出光上表面26电接触层27第一电极271电流注入部272延伸部273突出部2721第一支线2722第二支线28第二电极29窗户层4灯泡41灯罩42透镜43载体44照明模块45灯座46散热槽47连结部48电连结器具体实施方式本专利技术的实施例会被详细地描述，并且绘制于图式中，相同或类似的部分会以相同的号码在各图式以及说明出现。图2A为本专利技术一实施例的发光元件上视图，图2B绘示图2A沿剖面线AA’的剖面图。如图2B所示，一发光元件2具有一基板20；一导电黏结层21，位于基板20之上；一反射结构22，位于导电黏结层20之上；一透明导电结构23，位于反射结构22之上；一窗户层29，位于透明导电结构23之上；一非氧化物绝缘层24，位于透明导电结构23与窗户层29之间；一发光迭层25，位于窗户层29之上；一电接触层26，位于发光迭层25之上，一第一电极27，位于发光迭层25与电接触层26之上；以及一第二电极28，位于基板20之下。发光迭层25具有一第一半导体层251，位于窗户层29与第一电极27之间；一主动层252，位于第一半导体层251与第一电极27之间；以及一第二半导体层253，位于主动层252与第一电极27之间。第一电极27及/或第二电极28用以接受外部电压，可由透明导电材料或金属材料所构成。透明导电材料包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟钨(IWO)、氧化锌(ZnO)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、磷砷化镓(GaAsP)、氧化铟锌(IZO)或类钻碳薄膜(DLC)。金属材料包含但不限于铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、铂(Pt)、铅(Pb)、锌(Zn)、镉(Cd)、锑(Sb)、钴(Co)或上述材料的合金等。第一电极27具有一电流注入部271与一延伸部272。如图2A所示，电流注入部271大致位于第二半导体层253的中心之上，延伸部272具有一第一支线2721自电流注入部271向发光元件2的边界延伸，以及一第二支线2722自第一支线2721延伸，以提升电流扩散。如图2B所示，延伸部272包含一突部273，位于电接触层26之上，包覆电接触层26至少一表面，增加与电接触层26形成欧姆接触的面积，降低发光元件2的电阻，其中突部273高于电流注入部271。电接触层26位于第二支线2722与发光迭层25之间，用以形成第二支线2722与发光迭层25之间的欧姆接触。电接触层26与第二支线2722之间的电阻值以及电接触层26与发光迭层25之间的电阻值分别小于第一电极27与发光迭层25之间的电阻值。电接触层26的材料可为半导体材料，包含一种以上的元素，此元素可选自镓(Ga)、铝(Al)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，包含︰发光迭层，包含发光层，且该发光层具有一第一宽度；以及透明导电结构，位于该发光迭层上且包含氧化铟钨(IWO)；其中，从该发光元件的剖面看，该发光层具有第一宽度，该透明导电结构具有大于该第一宽度的第二宽度。

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包含︰发光迭层，包含发光层，且该发光层具有一第一宽度；以及透明导电结构，位于该发光迭层上且包含氧化铟钨(IWO)；其中，从该发光元件的剖面看，该发光层具有第一宽度，该透明导电结构具有大于该第一宽度的第二宽度。2.一种发光元件，包含：基板；发光迭层位于该基板上且具有下表面及发光层；绝缘层，位于该发光迭层与该基板之间且与该下...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖文禄，徐建中，张耀儒，陈世益，许嘉良，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71