【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质本申请是申请日为2016年06月30日、国际申请号为PCT/JP2016/069486、国家申请号为201680085181.X、专利技术名称为“衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
在半导体器件(元器件)的制造工序中的衬底处理中,例如,使用一并处理多张衬底的立式衬底处理装置。维护衬底处理装置时,需要在衬底处理装置周边确保维护区域,为了确保维护区域,有时衬底处理装置的占地面积大(例如,专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2010-283356号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是鉴于上述情况而作出的,其目的在于提供能够在确保维护区域的同时减少占地面积的技术。用于解决课题的手段根据本专利技术的一个方式,提供下述技术,具备:第1处理组件,具有处理衬底的第1处理容器;第2处理组件,其具有与上述第1处理容器相邻地配置的处理上述衬底的第2处理容器;第1排气箱,其与上述第1处理组件背面相邻地配置,并收纳有对上述第1处理容器内进行排气的第1排气系统;第1供给箱,其在上述第1排气箱的与相邻于上述第1处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置,并收纳有向上述第1处理容器内供给处理气体的第1供给系统;第2排气箱,其与上述第2处理组件背面相邻地配置,并收纳有对上述第2处理容器内进行排气的第2排气系统;及第2供给箱,其在上述第2排气箱的与相邻于上述第2处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置,并收纳 ...
【技术保护点】
1.衬底处理装置,其具备:第1处理组件,其具有衬底处理用的第1处理容器;第2处理组件,其与所述第1处理组件的侧面侧相邻地配置,具有衬底处理用的第2处理容器;第1设备系统,其与所述第1处理组件的背面相邻地配置,且包含第1排气系统和第1供给系统,所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气,所述第1供给系统向所述第1处理容器内供给处理气体;第2设备系统,其与所述第2处理组件的背面相邻地配置,且包含第2排气系统和第2供给系统,所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气,所述第2供给系统向所述第2处理容器内供给处理气体,其中,所述第1供给系统和所述第1排气系统在所述第1处理组件的背面方向并列配置,所述第2供给系统和所述第2排气系统在所述第2处理组件的背面方向并列配置,在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向,在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间,形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域。
【技术特征摘要】
1.衬底处理装置,其具备:第1处理组件,其具有衬底处理用的第1处理容器;第2处理组件,其与所述第1处理组件的侧面侧相邻地配置,具有衬底处理用的第2处理容器;第1设备系统,其与所述第1处理组件的背面相邻地配置,且包含第1排气系统和第1供给系统,所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气,所述第1供给系统向所述第1处理容器内供给处理气体;第2设备系统,其与所述第2处理组件的背面相邻地配置,且包含第2排气系统和第2供给系统,所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气,所述第2供给系统向所述第2处理容器内供给处理气体,其中,所述第1供给系统和所述第1排气系统在所述第1处理组件的背面方向并列配置,所述第2供给系统和所述第2排气系统在所述第2处理组件的背面方向并列配置,在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向,在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间,形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域。2.半导体器件的制造方法,包括使用衬底处理装置的第1处理工序和第2处理工序,所述衬底处理装置具备:第1设备系统,其与具有第1处理容器的第1处理组件的背面相邻地配置,且包含第1排气系统和第1供给系统;第2设备系统,其与具有第2处理容器的第2处理组件的背面相邻地配置,且包含第2排气系统和第2供给系统,其中,所述第1供给系统和所述第1排气系统在所述第1处理组件的背面方向并列配置,所述第2供给系统和所述第2排气系统在所述第2处理组件的背面方向并列配置,在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向,在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间,形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域,所述第1处理工序中,从所述第1供给系统对所述第1处理容器内供给处理气体,从所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气,在所述第1处理容器内对衬底进行处理,所述第2处理工序中,从所述第2供给系统对所述第2处理容器内供给处理气体,从所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气,在所述第2处理容器内对衬底进行处理。3.计算机可读取记录介质,存储有使衬底处理装置执行第1处理步骤和第2处理步骤的程序,所述衬底处理装置具备:第1设备系统,其与具有第1处理容器的第1处理组件的背面相邻地配置,且包含第1排气系统和第1供给系统;第2设备系统,其与具有第2处理容器的第2处理组件的背面相邻地配置,且包含第2排气系统和第2供给系统,其中,所述第1供给系统和所述第1排气系统在所述第1处理组件的背面方向并列配置,所述第2供给系统和所述第2排气系统在所述第2处理组件的背面方向并列配置,在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向,在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间,形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域,所述第1处理步骤中,从所述第1供给系统对所述第1处理容器内供给处理气体,从所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气,在所述第1处理容器内对衬底进行处理,所述第2处理步骤中,从所述第2供给系统对所述第2处理容器内供给处理气体,从所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气,在所述第2处理容器内对衬底进行处理。4.衬底处理装置,其具备:第1处理组件,其具有衬底处理用的第1处理容器;第2处理组件,其与所述第1处理组件的侧面侧相邻地配置,具有衬底处理用的第2处理容器;第1设备系统,其与所述第1处理组件的背面相邻地配置,且包含第1排气系统和第1供给系统,所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气,所述第1供给系统向所述第1处理容器内供给处理气体;第2设备系统,其与所述第2处理组件的背面相邻地配置,且包含第2排气系统和第2供给系统,所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气,所述第2供给系统向所述第2处理容器内供给处理气体,所述第1设备系统沿着所述衬底处理装置的、与所述第2设备系统相反方向的外侧侧面设置,所述第2设备系统沿着所述衬底处理装置的、与所述第1设备系统相反方向的外侧侧面设置,在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向,在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间,形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域,所述第1供给系统和所述第2供给系统隔着所述维护区域相对地配置,并且所述第1排气系统和所述第2排气系统隔着所述维护区域相对地配置。5.半导体器件的制造方法,包括第1处理工序和第2处理工序,所述第1处理工序中,一边从第1供给系统对衬底处理装置的第1处理组件的第1处理容器内的衬底供给气体,一边从设于第1设备系统的第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气,并对所述衬底进行处理,所述第1供给系统设于与所述第1处理组件的背面相邻配置的所述第1设备系统、并且向所述第1处理容器内供给处理气体,所述第2处理工序中,一边从第2供给系统对与所述第1处理组件的侧面侧相邻配置的、所述衬底处理装置的第2处理组件的第2处理容器内的衬底供给气体,一边从设于第2设备系统的第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气,并对所述衬底进行处理,所述第2供给系统设于与所述第2处理组件的背面相邻配置的所述第2设备系统、并且向所述第2处理容器内供给处理气体,所述第1设备系统沿着所述衬底处理装置的、与所述第2设备系统相反方向的外侧侧面设置,所述第2设备系统沿着所述衬底处理装置的、与所述第1设备系统相反方向的外侧侧面设置,在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向,在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间,形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域,所述第1供给系统和所述第2供给系统隔着所述维护区域相对地配置,并且所述第1排气系统和所述第2排气系统隔着所述维护区域相对地配置。6.衬底处理装置,其具备:第1处理组件,其具有衬底处理用的第1处理容器;第2处理组件,其与所述第1处理组件的侧面侧相邻地配置,具有衬底处理用的第2处理容器;第1设备系统,其与所述第1处理组件的背面相邻地配置,且包含第1排气系统和第1供给系统,所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气,所述第1供给系统向所述第1处理容器内供给处理气体;第2设备系统,其与所述第2处理组件的背面相邻地配置,且包含第2排气系统和第2供给系统,所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气,所述第2供给系统向所述第2处理容器内供给处理气体,其中,在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向,在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间,形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域,所述第1设备系统及所述第2设备系统的背面侧比正面侧更向所述维护区域突出地形成。7.半导体器件的制造方法,包括使用衬底处理装置的第1处理工序和第2处理工序,所述衬底处理装置具备:第1设备系统,其包含对第1处理组件的第1处理容器内进行排气的第1排气系统和向所述第1处理容器内供给处理气体...
【专利技术属性】
技术研发人员:上村大义,野上孝志,谷山智志,
申请(专利权)人:株式会社国际电气,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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