【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯薄膜的制备装置
本技术涉及一种石墨烯应用领域,特别涉及一种石墨烯薄膜的制备装置。
技术介绍
石墨烯薄膜的生长需要在保护气体和生长气体的环境中进行。保护气体以及生长气体的温度和气流是否稳定能够直接影响到石墨烯薄膜生长的品质,因此需要在石墨烯制备腔体通入均匀的气流,尽量减小气体和腔体内的稳产,使气流较稳定。现有的装置在连续石墨烯薄膜制备过程中,管式炉内加热温度,维持温度,保护气体和生长气体更换时带来温差等造成制备腔内温度不稳定,因此,影响石墨烯薄膜的质量。
技术实现思路
本技术的目的是解决现有现有的装置在连续石墨烯薄膜制备过程中,管式炉内加热温度,维持温度,保护气体和生长气体更换时带来温差等造成制备腔内温度不稳定,因此,影响石墨烯薄膜的质量等问题,提供了一种石墨烯薄膜的制备装置,本装置结构简单,加热迅速、精准,腔体内气体的通入温度稳定,温差小,能有效提高产品质量。本技术提供的技术方案为:一种石墨烯薄膜的制备装置,包括:进样室、制备室和出样室,所述进样室、制备室和出样室依次连接,所述进样室外设置有第一红外线加热炉,所述制备室外设置有第二红外线加热炉,所述进样室、制备室和出样室内设置有连通的滑轨,所述滑轨与进样室和出样室密封固定连接,所述滑轨上设置有薄膜制备箱,所述制备室侧壁上设置有第一进气阀,所述第一进气阀上方设有气体温度调节室,所述温度调节室设有温度调节装置,所述气体温度调节室顶部设置有第二进气阀,所述第二进气阀设置有两个,分别通过进气管与保护气体箱和生长气体箱相连,所述进样室和制备室侧壁上设置有真空泵和真空计,所述进样室和制备室内均设置有温度感应器,所述温 ...
【技术保护点】
1.一种石墨烯薄膜的制备装置,其特征在于,包括:进样室、制备室和出样室,所述进样室、制备室和出样室依次连接,所述进样室外设置有第一红外线加热炉,所述制备室外设置有第二红外线加热炉,所述进样室、制备室和出样室内设置有连通的滑轨,所述滑轨与进样室和出样室密封固定连接,所述滑轨上设置有薄膜制备箱,所述制备室侧壁上设置有第一进气阀,所述第一进气阀上方设有气体温度调节室,所述温度调节室设有温度调节装置,所述气体温度调节室顶部设置有第二进气阀,所述第二进气阀设置有两个,分别通过进气管与保护气体箱和生长气体箱相连,所述进样室和制备室侧壁上设置有真空泵和真空计,所述进样室和制备室内均设置有温度感应器,所述温度感应器与温度控制器电性连接,所述进样室顶部设置有进样口,所述出样室顶部设置有出样口,所述进样室一侧设置有推杆,所述出样室一侧设有磁性套杆,所述磁性套杆包括密封外壳和磁性滑柄,所述磁性滑柄顶端设有抓取部件。
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯薄膜的制备装置,其特征在于,包括:进样室、制备室和出样室,所述进样室、制备室和出样室依次连接,所述进样室外设置有第一红外线加热炉,所述制备室外设置有第二红外线加热炉,所述进样室、制备室和出样室内设置有连通的滑轨,所述滑轨与进样室和出样室密封固定连接,所述滑轨上设置有薄膜制备箱,所述制备室侧壁上设置有第一进气阀,所述第一进气阀上方设有气体温度调节室,所述温度调节室设有温度调节装置,所述气体温度调节室顶部设置有第二进气阀,所述第二进气阀设置有两个,分别通过进气管与保护气体箱和生长气体箱相连,所述进样室和制备室侧壁上设置有真空泵和真空计,所述进样室和制备室内均设置有温度感应器,所述温度感应器与温度控制器电性连接,所述进样室顶部设置有进...
【专利技术属性】
技术研发人员:李卓娜,李昊伦,
申请(专利权)人:长春光辐科技有限公司,
类型:新型
国别省市:吉林,22
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