一种充电保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电子技术领域，尤其涉及一种充电保护电路，包括：与充电端子连接的第一保护电路，以及一端连接电源输入端、另一端连接第一保护电路的第二保护电路，所述第一保护电路包括光耦PC，所述光耦PC的第一端、第二端分别连接充电端子，光耦PC的第三端接地，光耦PC的第四端连接电源输入端；所述第二保护电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路，所述第一开关电路连接电源充电管理芯片、光耦PC以及第二开关电路，所述第二开关电路连接第三开关电路，所述第三开关电路连接电源输入端。通过本实用新型专利技术实现以下效果：通过第一保护电路实现电源充电的反接保护，通过第二保护电路实现电源充电的短路保护。

A Charging Protection Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种充电保护电路
本技术涉及电子
，尤其涉及一种充电保护电路。
技术介绍
现有的电源BMS没有充电防反接保护，在充电器接上的时候，由于电源接线端子的一致性，需要仔细观察端子台上的丝印来接充电器的正负极，而长期使用后，丝印淡化，增加了反接的出错概率。另一方面，现有的电源主要依赖于BMS保护板上的被动均衡在充放电过程进行均衡处理，被动均衡一般采用电阻放热的方式将高容量电池“多出的电量”进行释放，从而达到均衡的目的，但时间一长，单体电池的剩余能量不一致，需要拆机维护，而反复的拆装会导致接线错误，从而出现充电器反接的情况。现有的电源BMS在反接过后，会烧毁BMS板，需要更换BMS板，大大增加了安装成本。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提出一种充电保护电路。一种充电保护电路，包括：与充电端子连接的第一保护电路，以及一端连接电源输入端、另一端连接第一保护电路的第二保护电路，所述第一保护电路包括光耦PC，所述光耦PC的第一端、第二端分别连接充电端子，光耦PC的第三端接地，光耦PC的第四端连接电源输入端；所述第二保护电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路，所述第一开关电路连接电源充电管理芯片、光耦PC以及第二开关电路，所述第二开关电路连接第三开关电路，所述第三开关电路连接电源输入端。优选地，所述第一保护电路还包括电阻R1、R2、电容C1、C2以及二极管D1，所述电阻R1的一端连接充电端子，另一端连接光耦PC的第一端以及电容C1的一端，所述电容C1的另一端连接光耦PC的第二端以及二极管D1的正极，所述二极管D1的负极连接充电端子，所述电阻R2的一端连接电源输入端，另一端连接光耦PC的第四端以及电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接光耦PC的第三端。优选地，所述第一开关电路包括MOS管Q1，所述MOS管Q1的G极连接电源充电管理芯片，MOS管Q1的S极连接电源输入端，MOS管Q1的D极连接第二开关电路。优选地，所述第二开关电路包括MOS管Q2，所述MOS管Q2的D极连接电源输入端，MOS管Q2的S极接地，MOS管Q2的G极连接第一开关电路。优选地，所述第三开关电路包括MOS管Q3，所述MOS管Q3的G极连接第一开关电路以及第二开关电路，MOS管Q3的D极连接连接电源输入端，MOS管Q3的S极接地。优选地，所述第一开关电路还包括电阻R3、R4、R5，所述电阻R3的一端连接电源充电管理芯片，另一端连接电阻R4的一端以及MOS管Q1的G极，所述电阻R4的另一端连接电源输入端，所述电阻R5的一端连接电源输入端，另一端连接第二开关电路。优选地，所述第二开关电路还包括电阻R6、R7，所述电阻R6的一端连接第一开关电路、另一端连接电阻R7的一端以及MOS管Q2的G极，所述电阻R7的另一端接地。优选地，所述第三开关电路还包括电阻R8、R9、R10以及二极管D2，所述电阻R8的一端连接电源充电管理芯片，另一端连接电阻R10的一端、MOS管Q3的G极以及二极管D2的正极，所述电阻R10的另一端接地，所述二极管D2的负极连接第一开关电路以及第二开关电路，所述电阻R9的一端连接电源输入端，另一端连接电源充电管理芯片以及MOS管Q3的D极。通过使用本技术，可以实现以下效果：通过第一保护电路实现电源充电的反接保护，通过第二保护电路实现电源充电的短路保护。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。图1是本技术实施例一的电路原理图。具体实施方式以下结合附图，对本技术的技术方案作进一步的描述，但本技术并不限于这些实施例。本实施例的主要思想是通过第一保护电路实现电源充电的反接保护，通过第二保护电路实现电源充电的短路保护。如图1所示，本技术实施例提出一种充电保护电路，包括：与充电端子连接的第一保护电路，以及一端连接电源输入端、另一端连接第一保护电路的第二保护电路。其中，第一保护电路包括光耦PC、电阻R1、R2、电容C1、C2以及二极管D1。电阻R1的一端连接充电端子，另一端连接光耦PC的第一端以及电容C1的一端，电容C1的另一端连接光耦PC的第二端以及二极管D1的正极，二极管D1的负极连接充电端子，电阻R2的一端连接电源输入端，另一端连接光耦PC的第四端以及电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接光耦PC的第三端以及接地。其中，第二保护电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路。第一开关电路连接电源充电管理芯片、光耦PC以及第二开关电路，所述第二开关电路连接第三开关电路，所述第三开关电路连接电源输入端。具体的，第一开关电路包括MOS管Q1、电阻R3、R4、R5。电阻R3的一端连接电源充电管理芯片的RE_CHARGER_ON引脚，另一端连接电阻R4的一端以及MOS管Q1的G极，电阻R4的另一端连接电源输入端Vin，电阻R5的一端连接电源输入端Vin，另一端连接第二开关电路。具体的，第二开关电路包括MOS管Q2、电阻R6、R7。电阻R6的一端连接MOS管Q1的D极、另一端连接电阻R7的一端以及MOS管Q2的G极，电阻R7的另一端接地，MOS管Q2的D极连接电阻R5的一端以及第二开关电路，MOS管Q2的S极接地。具体的，第三开关电路包括MOS管Q3、电阻R8、R9、R10以及二极管D2。电阻R8的一端连接电源充电管理芯片的DSG_ON引脚，另一端连接电阻R10的一端、MOS管Q3的G极以及二极管D2的正极，所述电阻R10的另一端接地，所述二极管D2的负极连接电阻R5的一端以及MOS管Q2的D极，电阻R9的一端连接电源输入端Vin，另一端连接电源充电管理芯片的DSG_IN引脚以及MOS管Q3的D极，MOS管Q3的S极接地。本实施例的工作过程为：反接保护：当充电反接时，即充电端子正极接p-，负极接P+时，光耦PC导通，将光耦的第四端由原来的Vin+3.3V拉低至GND,使连接至电源充电管理芯片的RE_CHARGER_ON引脚触发，电源充电管理芯片接收到信号，不打开充电功能，实现电源充电反接保护。短路保护：当充电短路时，光耦PC的第四端拉低后，MOS管Q1导通，MOS管Q2导通，MOS管Q2的D极电位降低，导致二极管D2的正极电压拉低，导致MOS管Q3关断。在MOS管Q3关断后，导致DSG_IN引脚为高电位，从而使MOS管Q3始终关断，从而实现短路保护。本技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本技术的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种充电保护电路，其特征在于，包括：与充电端子连接的第一保护电路，以及一端连接电源输入端、另一端连接第一保护电路的第二保护电路，所述第一保护电路包括光耦PC，所述光耦PC的第一端、第二端分别连接充电端子，光耦PC的第三端接地，光耦PC的第四端连接电源输入端；所述第二保护电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路，所述第一开关电路连接电源充电管理芯片、光耦PC以及第二开关电路，所述第二开关电路连接第三开关电路，所述第三开关电路连接电源输入端。

【技术特征摘要】
1.一种充电保护电路，其特征在于，包括：与充电端子连接的第一保护电路，以及一端连接电源输入端、另一端连接第一保护电路的第二保护电路，所述第一保护电路包括光耦PC，所述光耦PC的第一端、第二端分别连接充电端子，光耦PC的第三端接地，光耦PC的第四端连接电源输入端；所述第二保护电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路，所述第一开关电路连接电源充电管理芯片、光耦PC以及第二开关电路，所述第二开关电路连接第三开关电路，所述第三开关电路连接电源输入端。2.根据权利要求1所述的充电保护电路，其特征在于，所述第一保护电路还包括电阻R1、R2、电容C1、C2以及二极管D1，所述电阻R1的一端连接充电端子，另一端连接光耦PC的第一端以及电容C1的一端，所述电容C1的另一端连接光耦PC的第二端以及二极管D1的正极，所述二极管D1的负极连接充电端子，所述电阻R2的一端连接电源输入端，另一端连接光耦PC的第四端以及电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接光耦PC的第三端。3.根据权利要求1所述的充电保护电路，其特征在于，所述第一开关电路包括MOS管Q1，所述MOS管Q1的G极连接电源充电管理芯片，MOS管Q1的S极连接电源输入端，MOS管Q1的D极连接第二开关电路。4.根据权利要求1所述的充电保护电路，其特征在于，所述第二开关电路包括MOS管Q2，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金龙龙，徐英君，
申请(专利权)人：杭州微慕科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33