显示面板及其制作方法以及显示设备技术

本发明专利技术公开了一种显示面板及其制作方法以及显示设备，所述显示面板包括若干个薄膜晶体管、中间绝缘层、公共电极以及光电材料；所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层上覆盖有透气叠层，所述有源层的两端分别形成漏区和源区，所述漏区和源区上覆盖有不透气叠层；所述中间绝缘层设置在光电材料和薄膜晶体管之间；其中，所述漏区或者源区的延伸部分形成扩展电极，所述扩展电极与光电材料电连接。本发明专利技术利用漏区或者源区的延伸部分形成扩展电极，替代传统方案中额外增加的透明氧化物导体像素电极，本发明专利技术能够减少工艺步骤，降低成本；同时能够节省像素电极所占据的像素面积。本发明专利技术可以广泛应用于半导体显示技术。

Display panel, its fabrication method and display equipment

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法以及显示设备
本专利技术涉及半导体显示技术，尤其是一种显示面板及其制作方法以及显示设备。
技术介绍
传统的显示面板的截面结构如图1所示，其依次由衬底101、栅电极102、栅绝缘层103、源区104、有源层105、漏区106、第一绝缘层107、源电极108a、漏电极108b、中间绝缘层109、像素电极110、光电材料111以及公共电极112所组成。其工艺特点是，需要在薄膜晶体管的电极108之上设置额外的透明导体电极，作为像素电极110，以驱动光电材料111。透明导电电极通常为氧化铟镓。这样不仅增加多了一道制备工序和增加制造成本，还需要在像素电极和薄膜晶体管电极之间的中间绝缘层上开接触孔，从而占用了宝贵的像素面积。特别是随着显示面板的分辨率和像素密度的快速提升，像素面积急剧缩小，采用传统像素电极所占用的巨大版图面积就会越来越与该发展趋向相背离。为此，显示面板制造业需要一种占用更少版图面积的像素电极方案。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的目的在于：提供一种显示面板及其制作方法以及显示设备，以降低成本和节省像素电极所占据的像素面积。本专利技术实施例的第一方面提供了：一种显示面板，包括若干个薄膜晶体管、中间绝缘层、公共电极以及光电材料；所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层上覆盖有透气叠层，所述有源层的两端分别形成漏区和源区，所述漏区和源区上覆盖有不透气叠层；所述中间绝缘层设置在光电材料和薄膜晶体管之间；其中，所述漏区或者源区的延伸部分形成扩展电极，所述扩展电极与光电材料电连接。进一步，所述透气叠层包括若干个透气绝缘层和/或透气导体层。进一步，所述不透气叠层包括至少一个不透气绝缘层或者至少一个不透气导体层。进一步，所述透气绝缘层包括氧化硅和/或氮氧化硅；其中，氮氧化硅中的氮化硅含量小于20％；所述透气导体层包括一种或者多种导电金属氧化物。进一步，所述透气绝缘层的厚度范围为100纳米到500纳米。进一步，所述不透气绝缘层包括氧化铝、氧化铪、氮化硅和/或氮氧化硅；其中，氮氧化硅中的氮化硅含量大于20％；所述不透气导体层由一种或者多种金属组成。进一步，所述不透气绝缘层的厚度范围为100纳米到500纳米。本专利技术实施例的第二方面提供了：一种显示设备，包括至少一个处理器，以及至少一个所述的显示面板，所述处理器用于控制显示面板显示。本专利技术实施例的第三方面提供了：一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：在衬底上直接或者间接地沉积金属氧化物薄膜；在金属氧化物薄膜的上方沉积透气叠层和不透气叠层，使金属氧化物薄膜被分为一个被透气叠层所覆盖的区域以及两个被不透气叠层所覆盖的区域；在氧化气氛进行退火，使两个金属氧化物薄膜中被不透气叠层覆盖的区域分别形成源区和漏区，使金属氧化物薄膜的一部分与光电材料连接；且使得所述金属氧化物薄膜与光电材料连接的部分形成扩展电极；其中，退火时间为10秒至10小时，退火温度为100℃至600℃。进一步，所述退火时间为30分钟到2小时，退火温度为250℃到400℃，使得源区和漏区的电阻率降至0.1Ω·cm以下。本专利技术的有益效果是：本专利技术利用漏区或者源区的延伸部分形成扩展电极，替代传统方案中额外增加的透明氧化物导体像素电极，本专利技术能够减少制作像素电极的工艺步骤，降低生产成本；同时能够节省像素电极所占据的像素面积，从而使得显示面板可以进一步提升像素密度和分辨率。附图说明图1为现有技术中显示面板的截面结构示意图；图2为本专利技术第一种实施例中显示面板的截面结构示意图；图3为本专利技术第二种实施例中显示面板的截面结构示意图；图4为本专利技术第三种实施例中显示面板的截面结构示意图；图5为本专利技术第四种实施例中显示面板的截面结构示意图；图6为本专利技术第五种实施例中显示面板的截面结构示意图；图7为本专利技术第六种实施例中显示面板的截面结构示意图；图8为本专利技术第七种实施例中显示面板的截面结构示意图；图9为本专利技术一种具体实施例的显示面板的制作方法的流程图。具体实施方式下面结合说明书附图和具体的实施例对本专利技术进行进一步的说明。本实施例公开了一种显示面板，包括若干个薄膜晶体管、中间绝缘层、公共电极以及光电材料；通常，所述若干个薄膜晶体管以有规律的阵列形式排布，从而形成显示面板。所述薄膜晶体管包括衬底和有源层，所述有源层上覆盖有透气叠层，所述有源层的两端分别形成漏区和源区，所述漏区和源区上覆盖有不透气叠层；所述中间绝缘层设置在光电材料和薄膜晶体管之间；其中，所述漏区或者源区的延伸部分形成扩展电极，所述扩展电极与光电材料电连接。所述透气叠层是指厚度小于含氧元素的物质在叠层中的扩散长度的叠层。所述不透气叠层是指厚度大于含氧元素的物质在叠层中的扩散长度的叠层。因而在退火过程中，有源层在透气叠层的覆盖下部分，含氧元素的物质能够通过透气叠层进入到有源层，从而保持甚至提高在该区域中金属氧化物的电阻率，形成沟道区。同时，有源层在不透气叠层覆盖下的部分，由于不透气叠层覆盖能够阻挡含氧元素的物质的进入，从而该部分金属氧化物在退火过程中会降低电阻率，从而形成漏区和源区。在制备本实施例中的金属氧化物薄膜晶体管时所采取的退火处理，包括利用热、光、激光或者微波等能量对半成品进行加热的多种方式。且所述退火处理是在氧化气氛下进行的，其持续10秒至10小时，温度控制在100摄氏度至600摄氏度之间。所述氧化气氛(即含有氧元素的物质)包括氧气、臭氧、一氧化二氮、水、双氧水、二氧化碳以及上述物质的等离子体。所述衬底包括但不限于：玻璃衬底、聚合物衬底和柔性材料等。有源层包括以下一种或者多种材料：氧化锌、氮氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铜、氧化铋、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铝锡、氧化铟锡、氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化铝铟锡锌、硫化锌、钛酸钡以及钛酸锶或铌酸锂。在本实施例之中，所述透气叠层包括若干个透气绝缘层和/或透气导体层。所述透气绝缘层包括以下一种或者多种材料：氧化硅和氮氧化硅。其中，所述氮氧化硅之中氮化硅的占比小于20％。所述不透气绝缘层的厚度为10～3000纳米。优选地为100～500纳米。以保证该绝缘层在具有足够透气性的前提下能够保护金属氧化物在常温下免受环境中水汽的影响。所述透气导体层包括以下一种或者多种材料：氧化锌、氧化铟锡、氧化铝锌、氧化铟铝和氧化铟锌。在本实施例之中，所述不透气叠层包括至少一个不透气绝缘层或者至少一个不透气导体层。所述不透气绝缘层包括以下一种或者多种材料：氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或者氧化铪，其中，氮氧化硅中的氮化硅含量大于20％。不透气绝缘层的厚度范围为10～3000纳米，优选地为100～500纳米。以保证该绝缘层在具有足够透气性的前提下能够保护金属氧化物在常温下免受环境中水汽的影响。所述不透气导体层包括以下一种或者多种材料：钛、钼、铝、铜、金、银、镍、钨、铪、铬、铂、铁、钛钨合金、钼铝合金、钼铜合金以及铜铝合金。光电材料包含以下材料中的一种或多种：具有正响应或负响应的向列相液晶，近晶相液晶等电压响应材料和有机发光二极管或微型发光二极管等电流响应器件。光电材料的厚度为500纳米至5000纳米。优选地，光电材料的厚度在500纳米到2000纳米之间。公共电极包含以下材料中的一种或多种：银、纳米银线、氧化铟锡、氧化铝锌、或氧化铟锌。公共本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于：包括若干个薄膜晶体管、中间绝缘层、公共电极以及光电材料；所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层上覆盖有透气叠层，所述有源层的两端分别形成漏区和源区，所述漏区和源区上覆盖有不透气叠层；所述中间绝缘层设置在光电材料和薄膜晶体管之间；其中，所述漏区或者源区的延伸部分形成扩展电极，所述扩展电极与光电材料电连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于：包括若干个薄膜晶体管、中间绝缘层、公共电极以及光电材料；所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层上覆盖有透气叠层，所述有源层的两端分别形成漏区和源区，所述漏区和源区上覆盖有不透气叠层；所述中间绝缘层设置在光电材料和薄膜晶体管之间；其中，所述漏区或者源区的延伸部分形成扩展电极，所述扩展电极与光电材料电连接。2.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于：所述透气叠层包括若干个透气绝缘层和/或透气导体层。3.根据权利要求2所述的一种显示面板，其特征在于：所述透气绝缘层包括氧化硅和/或氮氧化硅；其中，氮氧化硅中的氮化硅含量小于20％；所述透气导体层包括一种或者多种导电金属氧化物。4.根据权利要求2或3所述的一种显示面板，其特征在于：所述透气绝缘层的厚度范围为100纳米到500纳米。5.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于：所述不透气叠层包括至少一个不透气绝缘层或者至少一个不透气导体层。6.根据权利要求5所述的一种显示面板，其特征在于：所述不透气绝缘层包括氧化铝、氧化铪、氮化硅和/或氮氧化硅；其中，氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆磊，
申请(专利权)人：香港科技大学，
类型：发明
国别省市：中国香港,81