真姬离褶伞的菌床栽培方法技术

本发明专利技术涉及真姬离褶伞的菌床栽培方法。根据本发明专利技术，提供了一种通过在培养条件下进行光照射来进行子实体原基诱导的真姬离褶伞的菌床栽培方法及在培养中进行子实体原基形成的培养中的真姬离褶伞菌床栽培用培养物。该培养物被维持在清洁的状态下，子实体原基形成在清洁的环境下进行，子实体原基形成后的培养物直接在清洁的条件下移送到远隔地的蘑菇栽培设施这方面也是有用的。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真姬离褶伞(Lyophyllumshimeji)的菌床栽培方法及菌床栽培 用培养物。
技术介绍
真姬离褶伞为10月中旬左右生长在栎林或栎-赤松混生林的i4i:的蘑燕， 由于被称为是'香松蘑味占地燕(香t) 7 、乂夕亇味、乂> )，在日本与松蘑并列成 为食用蘑燕中最高级的蘑燕。近年，金针菇(工乂年夕亇)、平燕(匕，夕^r)、 滑菇(于乂〕)、真姬菇(:/于、^、力、贝叶多孔菌(7^夕么)等食用蘑菇 确立了主要fOT将锯未与，表糠等营养源混合的培养基进行AX栽培的菌床 栽培方法，育5够在一年中与季节无关地稳定地收 燕。由于真姬离褶伞为极 为美味的蘑菇，希望育的多确立人工栽培的方法，但相对于前述的金针菇等为木 材腐朽菌，真姬离褶伞为菌根菌，人工菌床栽培困难。这种真姬离褶伞的AX菌床栽培滋贺县森林中心的太田最先成功，在专利 文献1中公开了使用麦类的真姬离褶伞的菌床栽培方法，而非专利文献1中公 开了采用〗OT麦类的培养基的真姬离褶伞子实体的发生实验。此外，在专利文献2中公开了一种禾,以泥煤苔(匕iHt;0作为基材、添加了淀粉等的i咅养基进行的菌根菌的菌丝培养方法，同一专利技术者在非专利文 献2中报告了利用以泥煤苔作为基材、添加了淀粉等的培养基进行的真姬离褶 伞子实体的发生实验。但是，在专利文献l的专利技术者的方法中，由于在±咅养基中使用的麦类价格 高，培养基的成本也高。此外，在专利文献2的专利技术者的方法中发生的子实体 的收量低，至今没有达到商业生产的水平。近年，公开了各种以真姬离褶伞的商业栽培为目的的真姬离褶伞的栽培方 法。在专利文献3中公开了一种特征为包含黍亚科植物的真姬离褶伞的菌床栽 培用培养基及^ffi该培养基的真姬离褶伞的栽培方法。财卜，在专利文献4中公开了一种真姬离褶伞的菌床栽培方法，其特征为制作至少含有玉^m和阔叶 树的锯屑的混合培养基，在该混合培养基7jC湿润状态下接种真姬离褶伞的菌丝，在30。C以下的温度培养，由此发生子实体。在专利文献5中，在真姬离褶伞的栽培方法中，公开了一种真姬离褶伞的 菌床栽培方法，其特征为在通过在7jC湿润状态下接种真姬离褶伞的菌丝并培养 可发生子实体的培养基中添加混锁碎了的牡蛎壳，且将培养基的pH值调整在 不皿7的范围。在专利文献6中公开了一种真姬离褶伞的菌床栽培方法，其特征在于，作 为培养基，使用在含有玉米粉及锯屑的培养基中添加混合少量的麦^/或米类 所制作的混合培养基，将该混合培养^7K湿润状态下接种培养真姬离褶伞后， 发生子实体。在专利文献l的实施例中，将真姬离褶伞菌株在23C下培养70天后，将 MS下降到15°C，检查子实体原基是否形成。然后舰用泥煤M培养基表面， 使子实体形成率上升。此外，在非专利文献l中，在22。C的培养工序中菌丝蔓 延时，在培养基上添加lcm厚度的泥煤，此后再培养2周，培养结束后移至15°C 的发生室(発生室)中，发生子实体。在非专利文献2中，在将真姬离褶伞菌株接种在培养基上后，在23匸培养、 熟成(熟成)后，在16。C的发生室中进行发生操作，在第13 15天确认形成子 实体原基。在专利文献3中，作为并繊培方法，公开了培养基制作、瓶充填、杀菌、 擬中、培养、发芽(芽出O 、生长、收获的各工序，在培养后的发芽工序中形 成子实体原基。财卜在该实施例中发芽工序在乡Ii土覆盖下进行。在专利文献4的实施例中，在将真姬离褶伞菌株在23。C培养60雜，以 鹿沼火山土鶴培养基上面，再培养7天后，移至15'C的发生室内，鹏子实 体的发生。在专利文献5的实施例中，将真姬离褶伞菌株在23栽培70天后，移至 15C的发生室中，在小的子实体出现时去除盖，在成长至子实体的伞打开的阶 段收获。在专利文献6的实施例中，将真姬离褶伞菌株在23C培养55天后，以鹿 沼火山土覆盖培养基上面，再培养10力舌，移至15的发生室内，，子实体 的发生。专利文献1:日本特开平07-115844号公报专利文献2:日本特开平06-153695号公报专利文献3:日本特开2000-106752号公报专利文献4:日本特开2002-247917号公报专利文献5:日本特开2005-27585号公报专利文献6:日本特开2007-54044号公报非专利文献l:日本菌学会报，第39巻，第13 20页，1998年非专利文献2:日本菌学会报，第35巻，第192 195页，1994年
技术实现思路
本专利技术人根据前述专利文献3公开的技术开始了真姬离褶伞的商业栽培， 特别是大型真姬离褶伞的商业栽培，但为了商业栽培的成功希望开发更好的技 术。艮P，本专利技术的目的为鉴于上述现状，提供一种在商业栽培中會,稳定生产 真姬离褶伞的菌床栽培用方法。在真姬离褶伞的栽培中，以在菌丝培养后进行覆土，使子实体发生为主流。 但舰覆土诱导(誘起)子实体除fc作业外还需要除去覆土的作业，比^^烦。 无论在进行覆土时还是在不进行覆土时，现状为在控制为 破比培养《鹏低的 环境下诱导子实体原基发生。本专利技术者着力于不进行覆土的真姬离褶伞的菌床栽培的开发，但发现以培养基制作量计的生产规禾莫在l ftk^314吨时子实体产量的不稳定性。为了消除该不稳定性，本专利技术者对影响真姬离褶伞菌床栽培的诸因素进行栽培研究，探讨了对大规模栽培的影响。结果发现通过在培养斜牛下进行一定的光照能够诱导子实体原基通过在培养条件下结束该子实体原基 诱导，不仅使真姬离褶 培稳定，还得到了总栽培期间缩短、真姬离褶伞子 实体产量增加的效果，从而完成了本专利技术。即，概述本专利技术的话，贝体专利技术的第一方面涉及真姬离褶伞的菌床栽培方 法，其特征为，在真姬离褶伞的菌床栽培方法中，在培养中进行子实体原基形成。作为本专利技术的第一方面的实施形态，可列举以对培养中的菌床栽培用培养 基进行光照射，进行子实体原基形成为特征的真姬离褶伞的菌床栽培方法。此 外优选的方案可列举以在培养工序中使子实体原基形成结束为特征的真姬离褶 伞的菌床栽培方法，作为这些方案，列举了光照射时期为培养工序中的培养后 期的真姬离褶伞的菌床栽培方法。作为真姬离褶伞的培养工序中的光照射^^牛， 只要是能够在培养中诱导子实体原基发生的条件即可，没有特别限定，以累积照度(積算照度)计为20勒克斯小时以上， 为200勒克斯小时以上。为了 使在子实体的柄部分上不发生空洞，真姬离褶伞的培养必需要充分进行，在 本专利技术中充分进行培养，在其培养后期的20 30天期间 (培養後期o 2 0 ~ 3 0天之间)进行光照射是优选的。本专利技术的第二专利技术涉及在培养中进行了子实体原基形成的培养中的真姬 离褶伞菌床栽培用培养物。该培养物维持在清洁的状态下，在能够直接向远隔 地的蘑燕栽培机构移送这方面也是有用的。根据本专利技术，提供了一种能够在大规模商业栽培中稳定生产真姬离褶伞 的、经济性优良的真姬离褶伞的菌床栽培方法。具体实施方式 以下具体地说明本专利技术。在本说明书中，真姬离褶伞在分类学上分类为Lyophyllumshimeji。 对于本专利技术中使用的真姬离褶伞的菌株，可选择離多人工栽培的菌株，没 有特别地限定，可列举公知的真姬离褶伞菌株，例如Lyophyllum shimeji La 01-27 (PERM BP_10960)、 Lyophyllum shimeji La本文档来自技高网...

【技术保护点】
真姬离褶伞的菌床栽培方法，其特征为，在真姬离褶伞的菌床栽培方法中，在培养中进行子实体原基形成。

【技术特征摘要】
JP 2007-7-24 2007-1924951. 真姬离褶伞的菌床栽培方法，其特征为，在真姬离褶伞的菌床栽培方法中，在培养中进行子实体原基形成。2. 禾又利要求1所述的真姬离褶伞的菌床栽培方法，其特征为，对培养中 的菌床栽培用培养基进行光...

【专利技术属性】
技术研发人员：河合高志，日下部克彦，喜多昭彦，加藤郁之进，
申请(专利权)人：宝生物工程株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]