电子装置、非暂时性计算机可读存储介质以及控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电子装置，该电子装置包括：控制器；非暂时性计算机可读存储介质，包括具有多个阈值电压分布的存储器单元并且存储控制器可执行的操作码。基于操作码，控制器被配置为：计算多个阈值电压分布的平均阈值电压，并且设置与多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压；通过利用暂时读取电压读取存储器单元的读取值来生成参考值，并且确定对应于暂时读取电压的标准值；基于参考值和标准值来计算错误率，并且通过将错误率反映在相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值中来设置偏移值；以及通过将偏移值应用至暂时读取电压来设置读取电压。

【技术实现步骤摘要】
电子装置、非暂时性计算机可读存储介质以及控制方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年2月26日提交的申请号为10-2018-0022816的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
各个实施例总体涉及一种电子装置，并且更特别地，涉及一种包括非暂时性计算机可读存储介质的电子装置。
技术介绍
电子装置是能够处理数据并且可包括存储器系统的电子系统。存储器系统可在外部装置的控制下存储数据。存储器系统可包括个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡、紧凑型闪存(CF)卡、智能媒体卡、记忆棒、各种多媒体卡(MMC、eMMC、RS-MMC和微型-MMC)、安全数字(SD)卡(SD、迷你-SD和微型-SD)、通用闪存(UFS)、固态驱动器(SSD)等。
技术实现思路
在实施例中，一种电子装置可包括：控制器；以及非暂时性计算机可读存储介质，其包括具有多个阈值电压分布的存储器单元并且存储控制器可执行的操作码，其中基于操作码，控制器被配置为：计算多个阈值电压分布的平均阈值电压，并且设置与多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压；通过利用暂时读取电压读取存储器单元的读取值来生成参考值，并且确定对应于暂时读取电压的标准值；基于参考值和标准值来计算错误率，并且通过将错误率反映在相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值中来设置偏移值；以及通过将偏移值应用至暂时读取电压来设置读取电压。在实施例中，一种非暂时性计算机可读存储介质可包括：存储器单元，具有多个阈值电压分布并且存储处理装置可执行的操作码，其中操作码是用于执行以下操作的代码：计算多个阈值电压分布的平均阈值电压，并且设置与多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压；通过利用暂时读取电压读取存储器单元的读取值来生成参考值并且确定对应于暂时读取电压的标准值；基于参考值和标准值来计算错误率；通过将错误率反映至相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值来设置偏移值；以及通过将偏移值应用至暂时读取电压来设置读取电压。在实施例中，一种电子装置的操作方法，电子装置包括具有多个阈值电压分布的存储器单元，操作方法可包括：计算多个阈值电压分布的平均阈值电压，并且设置与多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压；通过利用暂时读取电压读取存储器单元的读取值来生成参考值；确定对应于暂时读取电压的标准值；基于参考值和标准值来计算错误率；通过将错误率反映至相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值来设置偏移值；以及通过将偏移值应用至暂时读取电压来生成读取电压。在实施例中，一种电子装置可包括：非暂时性计算机可读存储介质，包括具有多个阈值电压分布的存储器单元并且配置为存储操作码；以及控制器，配置为通过运行从非暂时性计算机可读存储介质读取的操作码来控制非暂时性计算机可读存储介质，其中控制器包括读取电压设置单元，读取电压设置单元配置为：计算多个阈值电压分布的平均阈值电压以设置暂时读取电压，暂时读取电压与多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应；通过利用暂时读取电压读取存储器单元的读取值来生成参考值，并且确定对应于暂时读取电压的标准值；基于参考值和标准值来计算错误率；通过将错误率反映至相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值来设置偏移值；以及通过将偏移值应用至暂时读取电压来设置读取电压。附图说明图1是示出根据实施例的电子装置的框图。图2是示出根据实施例的图1的存储器单元的阈值电压分布的示图。图3A至图3C是示出根据实施例的用于确定和调整读取电压的方法的示图。图4是示出根据实施例的图1的读取电压设置单元调整暂时读取电压的方法的示图。图5是示出根据实施例的读取电压设置单元调整暂时读取电压的方法的示图。图6是示出根据实施例的图1的电子装置的操作方法的流程图。图7是示出根据实施例的包括固态驱动器(SSD)的数据处理系统的示图。图8是示出根据实施例的包括存储器系统的数据处理系统的示图。图9是示出根据实施例的包括存储器系统的数据处理系统的示图。图10是示出根据实施例的包括存储器系统的网络系统的示图。图11是示出根据实施例的包括在存储器系统中的非易失性存储器装置的框图。具体实施方式以下将参照附图，通过本专利技术的示例性实施例描述根据本专利技术的数据存储装置及其操作方法。然而，本专利技术可以不同的形式实现并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例以详细地描述本专利技术到本专利技术所属领域的技术人员能够实施本专利技术的技术构思的程度。应当理解的是本专利技术的实施例不限于附图中示出的细节，附图不一定按比例绘制，并且在一些情况下，比例可能已经被夸大以便更清楚地描述本专利技术的某些特征。在使用特定术语时，将理解的是所使用的术语仅用于描述特定实施例而非旨在限制本专利技术的范围。将进一步理解的是，当元件被称为“连接至”或“联接至”另一元件时，它可直接在其它元件上、直接连接至或联接至其它元件，或者可存在一个或多个中间元件。另外，也将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，两个元件之间可以仅有这一个元件或也可存在一个或多个中间元件。当短语“……和……中的至少一个”在本文中与项目列表一起使用时，意为列表中的单个项目或列表中项目的任何组合。例如，“A、B和C中的至少一个”意为仅是A、或仅是B、或仅是C，或A、B和C的任何组合。如在本文中使用的，术语“或者”意为两个或多个可替换物中的任一个，而不是其两者或其任何组合。如在本文中使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式也旨在包括复数形式。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”、“包括有”、“包含”和“包含有”时，其说明所陈述元件的存在，且不排除一个或多个其它元件的存在或添加。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和全部组合。除非另有定义，否则本文中使用的包括技术和科学术语的所有术语具有与本专利技术所属领域的普通技术人员鉴于本公开所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，诸如在常用字典中定义的那些术语的术语应当被解释为具有与其在本公开和相关技术语境中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义来解释，除非本文中明确地这样定义。在以下描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本专利技术的透彻理解。可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实践本专利技术。在其他情况下，没有详细描述众所周知的进程结构和/或进程，以免不必要地模糊本专利技术。还应注意，在某些情况下，如相关领域的技术人员将显而易见的是，结合一个实施例描述的、也可被称为特征的元件可单独使用或与另一实施例的其他元件组合使用，除非另有具体说明。在下文中，将参考附图详细描述本专利技术的各种实施例。图1是示出根据实施例的电子装置100的框图。电子装置100可以响应于外部装置的写入请求来存储从外部装置提供的数据。此外，电子装置100可以响应于外部装置的读取请求来将存储的数据提供至外部装置。电子装置100可以包括存储器系统。电子装置100可以包括个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡、紧凑型闪存(CF)卡、智能媒体卡、记忆棒、各种多媒体卡(MMC、eMMC、RS-MMC和微型-MMC)、各种安全数字卡(SD、迷你-SD和微型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，包括：控制器；以及非暂时性计算机可读存储介质，包括具有多个阈值电压分布的存储器单元并且存储所述控制器可执行的操作码，其中基于所述操作码，控制器：计算所述多个阈值电压分布的平均阈值电压，并且设置与所述多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压；通过利用所述暂时读取电压读取所述存储器单元的读取值来生成参考值，并且确定对应于所述暂时读取电压的标准值；基于所述参考值和所述标准值来计算错误率，并且通过将所述错误率反映在所述相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值中来设置偏移值；以及通过将所述偏移值应用至所述暂时读取电压来设置读取电压。

【技术特征摘要】
2018.02.26 KR 10-2018-00228161.一种电子装置，包括：控制器；以及非暂时性计算机可读存储介质，包括具有多个阈值电压分布的存储器单元并且存储所述控制器可执行的操作码，其中基于所述操作码，控制器：计算所述多个阈值电压分布的平均阈值电压，并且设置与所述多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压；通过利用所述暂时读取电压读取所述存储器单元的读取值来生成参考值，并且确定对应于所述暂时读取电压的标准值；基于所述参考值和所述标准值来计算错误率，并且通过将所述错误率反映在所述相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值中来设置偏移值；以及通过将所述偏移值应用至所述暂时读取电压来设置读取电压。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述参考值通过所述存储器单元之中的具有低于所述暂时读取电压的阈值电压的存储器单元的数量来确定。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述标准值是所述参考值的期望值，所述标准值包含在所述操作码中。4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述错误率被计算为所述标准值和所述参考值之间的差值相对于所述标准值的比率。5.根据权利要求1所述的电子装置，其中通过将所述相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值乘以所述错误率来计算所述偏移值。6.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述暂时读取电压被设置为所述相邻阈值电压分布的平均阈值电压的中间值。7.根据权利要求1所述的电子装置，其中通过将所述偏移值与所述暂时读取电压相加来生成所述读取电压。8.一种非暂时性计算机可读存储介质，包括：存储器单元，具有多个阈值电压分布并且存储处理器装置可执行的操作码，其中所述操作码是用于执行以下操作的代码：计算所述多个阈值电压分布的平均阈值电压，并且设置与所述多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压；通过利用所述暂时读取电压读取所述存储器单元的读取值来生成参考值并且确定对应于所述暂时读取电压的标准值；基于所述参考值和所述标准值来计算错误率；通过将所述错误率反映至所述相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值来设置偏移值；以及通过将所述偏移值应用至所述暂时读取电压来设置读取电压。9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中所述参考值通过所述存储器单元之中的具有低于所述暂时读取电压的阈值电压的存储器单元的数量来确定。10.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中所述标准值是所述参考值的期望值，所述标准值包含在所述操作码中。11.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中所述错误率被计算为所述标准值与所述参考值之间的差值相对于所述标准值的比率。12.根据权利要求8所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞熙男，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR