像素电路的驱动方法和补偿方法技术

本揭示提供一种像素电路的驱动方法和补偿方法。像素电路设置在有机发光显示装置中，有机发光显示装置还包含参考电压产生电路。像素电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、和有机发光二极管。驱动方法包括：供应电流至像素电路；获取第三薄膜晶体管的漏源极跨压值；获取第三薄膜晶体管至参考电压产生电路之间的总电阻值；以及计算第一薄膜晶体管的栅极电压值与源极电压值之间的栅源极跨压值，其中源极电压值等于第三薄膜晶体管的漏源极跨压值加上电流与总电阻值的乘积。

Driving Method and Compensation Method of Pixel Circuit

【技术实现步骤摘要】
像素电路的驱动方法和补偿方法
本揭示涉及显示装置领域，特别是涉及一种显示器的像素电路的驱动方法和补偿方法。
技术介绍
有机发光二极管显示器(organiclightemittingdisplay)的像素电路是以多个薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)和存储电容来控制有机发光二极管(organiclightemittingd1de，0LED)的亮度。请参照图1，其为现有的像素电路10的示意图。像素电路10包括第一薄膜晶体管11、第二薄膜晶体管12、第三薄膜晶体管13、有机发光二极管14、数据线15、和感测线16。有机发光二极管14的阳极、第一薄膜晶体管11的源极、和第三薄膜晶体管13的漏极耦接至第一节点P1。第二薄膜晶体管12连接数据线15，以及第三薄膜晶体管13通过感测线16电性连接模拟数字转换器(analog-to-digitalconverter，ADC)模块17和参考电压Vref的产生电路。像素电路10通过第一薄膜晶体管11的栅源极跨压Vgs控制流过第一薄膜晶体管11的电流大小，即传递至有机发光二极管14的电流Ids＝k(Vgs-Vth)2，其中k为第一薄膜晶体管11的相关参数，例如μ表示迁移率，W表示沟道宽度，L表示沟道长度，Cox表示栅极电容，Vth表示驱动第一薄膜晶体管11的阈值电压。栅源极跨压Vgs为来自数据线15的数据电压与第一节点P1间的电压差。因此，通过提供不同的数据电压便可控制有机发光二极管14的亮度表现。在实际操作时，第一薄膜晶体管11的阀值电压Vth和迁移率μ会产生偏移。此偏差值与第一薄膜晶体管11的制程、操作时间及所流过的电流大小等等有关。阀值电压Vth的偏移会使得像素的发光亮度与所接收到的数据电压未能维持相同的对应关系，进而会造画面亮度不均匀。因此，必须针对阀值电压和迁移率的偏差值进行补偿。现有的补偿方法为通过模拟数字转换器模块17采样，侦测第一薄膜晶体管11在偏移后的阀值电压和迁移率，接着根据偏移后的阀值电压和迁移率和原先的栅源极跨压Vgs计算补偿后的栅源极跨压Vgs’，其中以及k0为迁移率偏移后对应的参数值，Vth0为偏移后的阀值电压。然而，在现有的补偿方法中通常是以参考电压Vref作为第一薄膜晶体管11的源极电压值来计算第一薄膜晶体管11的栅源极跨压Vgs，而未考量参考电压Vref由其产生电路传递至第一节点P1之间的电位误差。举例来说，当第三薄膜晶体管13在线性区工作时，第三薄膜晶体管13的漏极与源极之间存在漏源极跨压Vds。并且，感测线16存在较大的电阻电容(resistance-capacitance，RC)值，以及参考电压Vref的产生电路亦具有内电阻。因此，在现有的补偿公式中带入不准确的栅源极跨压Vgs，会导致计算出来的补偿后的栅源极跨压Vgs’存在较大的误差。有鉴于此，有必要提出一种像素电路的驱动方法和补偿方法，以解决现有技术中存在的问题。
技术实现思路
为解决上述现有技术的问题，本揭示的目的在于提供一种像素电路的驱动方法和补偿方法，能够提高在显示模式下薄膜晶体管的栅源极跨压的精确度，以及减小计算基于薄膜晶体管的阈值电压与迀移率的偏移而产生的补偿值的计算误差。为达成上述目的，本揭示提供一种像素电路的驱动方法，所述像素电路设置在有机发光显示装置中，所述有机发光显示装置还包含参考电压产生电路和感测线，且所述参考电压产生电路通过所述感测线电性连接所述像素电路，以及所述像素电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、和有机发光二极管，其中所述第一薄膜晶体管的栅极通过所述第二薄膜晶体管与对应的数据线连接，且所述第一薄膜晶体管的源极、所述第三薄膜晶体管的漏极、和所述有机发光二极管的阳极电性连接，以及所述第三薄膜晶体管的源极电性连接所述感测线，所述驱动方法包括：供应电流至所述像素电路；获取所述第三薄膜晶体管的漏源极跨压值；获取所述第三薄膜晶体管的所述源极至所述参考电压产生电路之间的总电阻值；以及计算所述第一薄膜晶体管的栅极电压值与源极电压值之间的栅源极跨压值以作为所述第一薄膜晶体管的驱动电压值，其中所述源极电压值等于所述第三薄膜晶体管的所述漏源极跨压值加上所述电流与所述总电阻值的乘积。本揭示其中之一优选实施例中，在供应电流至所述像素电路的步骤中，所述驱动方法还包含：导通所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管；以及供应电流至所述第一薄膜晶体管的漏极，以及施加数据电压至所述第一薄膜晶体管的所述栅极以导通所述第一薄膜晶体管；以及在计算所述第一薄膜晶体管的所述驱动电压值之前，所述驱动方法还包含：截止所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管。本揭示其中之一优选实施例中，所述总电阻值包含所述感测线的第一电阻的数值和所述参考电压产生电路的第二电阻的数值。本揭示其中之一优选实施例中，所述有机发光显示装置还包含多路复用器且所述多路复用器通过所述感测线电性连接在所述像素电路与所述参考电压产生电路之间。本揭示其中之一优选实施例中，所述总电阻值为所述感测线的第一电阻的数值、所述参考电压产生电路的第二电阻的数值、和所述多路复用器的第三电阻的数值的总和。本揭示其中之一优选实施例中，所述第一薄膜晶体管的所述漏极接入电源正电压，以及所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接对应的扫描线，且所述第二薄膜晶体管的源极电连接所述第一薄膜晶体管的所述栅极，以及所述第三薄膜晶体管的栅极接入控制信号，以及所述有机发光二极管的阴极接入电源负电压。本揭示其中之一优选实施例中，所述第一薄膜晶体管的源极、所述第三薄膜晶体管的漏极、和所述有机发光二极管的阳极电性耦接至第一节点，且所述第一薄膜晶体管的所述栅极和所述第二薄膜晶体管的源极耦接至第二节点，以及所述像素电路还包含电容，且所述电容连接在所述第一节点和所述第二节点之间。本揭示其中之一优选实施例中，所述有机发光显示装置还包含存储器，且所述存储器与所述参考电压产生电路连接，其中所述驱动方法还包含：在所述存储器中建立所述第一薄膜晶体管的不同的数据电压与其对应的源极电压值的查找表。本揭示还提供一种像素电路的补偿方法，所述像素电路设置在有机发光显示装置中，所述有机发光显示装置还包含控制器、检测模块、和感测线，且所述检测模块通过所述感测线电性连接所述像素电路，且所述控制器电性连接所述检测模块和所述像素电路，以及所述像素电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、和有机发光二极管，其中所述第一薄膜晶体管的栅极通过所述第二薄膜晶体管与对应的数据线连接，且所述第一薄膜晶体管的源极、所述第三薄膜晶体管的漏极、和所述有机发光二极管的阳极电性连接，以及所述第三薄膜晶体管的源极电性连接所述感测线，所述补偿方法包括：供应电流至所述像素电路；获取所述第三薄膜晶体管的漏源极跨压值；获取所述第三薄膜晶体管的所述源极至所述检测模块之间的总电阻值；计算所述第一薄膜晶体管的栅极电压值与源极电压值之间的栅源极跨压值，其中所述源极电压值等于所述第三薄膜晶体管的所述漏源极跨压值加上所述电流与所述总电阻值的乘积；确定所述第一薄膜晶体管的阀值电压和迁移率的偏差值；以及基于所述偏差值计算所述第一薄膜晶体管的所述驱动电压值的校正值，并且基于所述校正值产生补偿后的数据信号。本揭示其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电路的驱动方法，其特征在于，所述像素电路设置在有机发光显示装置中，所述有机发光显示装置还包含参考电压产生电路和感测线，且所述参考电压产生电路通过所述感测线电性连接所述像素电路，以及所述像素电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、和有机发光二极管，其中所述第一薄膜晶体管的栅极通过所述第二薄膜晶体管与对应的数据线连接，且所述第一薄膜晶体管的源极、所述第三薄膜晶体管的漏极、和所述有机发光二极管的阳极电性连接，以及所述第三薄膜晶体管的源极电性连接所述感测线，所述驱动方法包括：供应电流至所述像素电路；获取所述第三薄膜晶体管的漏源极跨压值；获取所述第三薄膜晶体管的所述源极至所述参考电压产生电路之间的总电阻值；以及计算所述第一薄膜晶体管的栅极电压值与源极电压值之间的栅源极跨压值以作为所述第一薄膜晶体管的驱动电压值，其中所述源极电压值等于所述第三薄膜晶体管的所述漏源极跨压值加上所述电流与所述总电阻值的乘积。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路的驱动方法，其特征在于，所述像素电路设置在有机发光显示装置中，所述有机发光显示装置还包含参考电压产生电路和感测线，且所述参考电压产生电路通过所述感测线电性连接所述像素电路，以及所述像素电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、和有机发光二极管，其中所述第一薄膜晶体管的栅极通过所述第二薄膜晶体管与对应的数据线连接，且所述第一薄膜晶体管的源极、所述第三薄膜晶体管的漏极、和所述有机发光二极管的阳极电性连接，以及所述第三薄膜晶体管的源极电性连接所述感测线，所述驱动方法包括：供应电流至所述像素电路；获取所述第三薄膜晶体管的漏源极跨压值；获取所述第三薄膜晶体管的所述源极至所述参考电压产生电路之间的总电阻值；以及计算所述第一薄膜晶体管的栅极电压值与源极电压值之间的栅源极跨压值以作为所述第一薄膜晶体管的驱动电压值，其中所述源极电压值等于所述第三薄膜晶体管的所述漏源极跨压值加上所述电流与所述总电阻值的乘积。2.如权利要求1的像素电路的驱动方法，其特征在于，在供应电流至所述像素电路的步骤中，所述驱动方法还包含：导通所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管；以及供应电流至所述第一薄膜晶体管的漏极，以及施加数据电压至所述第一薄膜晶体管的所述栅极以导通所述第一薄膜晶体管；以及在计算所述第一薄膜晶体管的所述驱动电压值之前，所述驱动方法还包含：截止所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管。3.如权利要求1的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述总电阻值包含所述感测线的第一电阻的数值和所述参考电压产生电路的第二电阻的数值。4.如权利要求1的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述有机发光显示装置还包含多路复用器且所述多路复用器通过所述感测线电性连接在所述像素电路与所述参考电压产生电路之间。5.如权利要求4的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述总电阻值为所述感测线的第一电阻的数值、所述参考电压产生电路的第二电阻的数值、和所述多路复用器的第三电阻的数值的总和。6.如权利要求1的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的所述漏极接入电源正电压，以及所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接对应的扫描线，且所述第二薄膜晶体管的源极电连接所述第一薄膜晶体管的所述栅极，以及所述第三薄膜晶体管的栅极接入控制信号，以及所述有机发光二极管的阴极接入电源负电压。7.如权利要求1的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁鹏飞，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44