【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】杀真菌的吡啶化合物本专利技术涉及用于防治植物病原性真菌的吡啶化合物及其N-氧化物和盐，涉及防治植物病原性真菌的用途和方法以及涂有至少一种该化合物的种子。本专利技术还涉及制备这些化合物的方法、中间体、制备该类中间体的方法以及包含至少一种化合物I的组合物。在许多情况下，尤其是在低施用率下，已知杀真菌化合物的杀真菌活性并不令人满意。基于此，本专利技术的目的是要提供对植物病原性有害真菌具有改进活性和/或更宽活性谱的化合物。惊人的是，该目的通过使用对植物病原性真菌具有有利杀真菌活性的本专利技术式I的吡啶化合物实现。因此，本专利技术涉及式I化合物及其N-氧化物和可农用盐：R1在每种情况下独立地选自H、卤素、OH、CN、NO2、SH、NH2、NH(C1-C4烷基)、N(C1-C4烷基)2、NH-SO2-Rx、C1-C6烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基、C1-C6烷氧基、C3-C6环烷基、5或6员杂芳基和芳基；其中杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；其中Rx为C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、未被取代的芳基或被独立地选自如下的取代基Rx1取代的芳基：C1-C4烷基、卤素、OH、CN、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基；其中R1的无环结构部分未被取代或者被相互独立地选自如下的基团R1a取代：R1a：卤素、OH、CN、C1-C6烷氧基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、芳基和苯氧基，其中芳基未被取代或者被选自卤素、OH、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧...
【技术保护点】
1.式I化合物及其N‑氧化物和可农用盐：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.23 EP 17152578.5;2017.10.26 EP 17198548.41.式I化合物及其N-氧化物和可农用盐：其中R1在每种情况下独立地选自H、卤素、OH、CN、NO2、SH、NH2、NH(C1-C4烷基)、N(C1-C4烷基)2、NH-SO2-Rx、C1-C6烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基、C1-C6烷氧基、C3-C6环烷基、5或6员杂芳基和芳基；其中杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；其中Rx为C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、未被取代的芳基或被独立地选自如下的取代基Rx1取代的芳基：C1-C4烷基、卤素、OH、CN、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基；其中R1的无环结构部分未被取代或者被相互独立地选自如下的基团R1a取代：R1a：卤素、OH、CN、C1-C6烷氧基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、芳基和苯氧基，其中芳基未被取代或者被选自卤素、OH、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的取代基R11a取代；其中R1的碳环、杂芳基和芳基结构部分未被取代或者被相互独立地选自如下的基团R1b取代：R1b：卤素、OH、CN、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C4卤代烷氧基和C1-C6烷硫基；R2在每种情况下独立地选自H、卤素、OH、CN、NO2、SH、NH2、NH(C1-C4烷基)、N(C1-C4烷基)2、NH-SO2-Rx、C1-C6烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基、C1-C6烷氧基、C3-C6环烷基、5或6员杂芳基和芳基；其中杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；其中Rx如上所定义；其中R2的无环结构部分未被取代或者被相互独立地选自如下的基团R2a取代：R2a：卤素、OH、CN、C1-C6烷氧基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、芳基和苯氧基，其中苯基未被取代或者被选自卤素、OH、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的取代基R21a取代；其中R2的碳环、杂芳基和芳基结构部分未被取代或者被相互独立地选自如下的基团R2b取代：R2b：卤素、OH、CN、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C4卤代烷氧基和C1-C6烷硫基；R3、R4独立地选自卤素、OH、CN、NO2、SH、C1-C6烷硫基、NH2、NH(C1-C4烷基)、N(C1-C4烷基)2、NH-SO2-Rx、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C2-C6链烯基、C2-C6卤代链烯基、C2-C6炔基、C2-C6卤代炔基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C2-C6链烯氧基、C2-C6炔氧基、CH(＝O)、C(＝O)C1-C6烷基、C(＝O)O(C1-C6烷基)、C(＝O)NH(C1-C6烷基)、C(＝O)N(C1-C6烷基)2、CR’＝NOR”、3、4、5、6、7、8、9或10员饱和或部分不饱和碳环或杂环、5或6员杂芳基、芳基和苯氧基；其中在每种情况下碳环和杂环的一个或两个CH2基团可以被独立地选自C(＝O)和C(＝S)的基团替代，并且其中该杂环和该杂芳基独立地含有1、2、3或4个选自N、O和S的杂原子；并且其中R’和R”独立地选自H、C1-C4烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基、3、4、5、6、7、8、9或10员饱和或部分不饱和碳环和杂环、5或6员杂芳基或芳基；其中该杂环或杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子，并且其中R’和R”独立地未被取代或者被独立地选自卤素、OH、CN、NO2、SH、NH2、NH(C1-C4烷基)、N(C1-C4烷基)2、NH-SO2-Rx、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C2-C6链烯基、C2-C6卤代链烯基、C2-C6炔基、C2-C6卤代炔基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基和苯基的R”’取代；并且其中Rx如上所定义；或者其中R3和R4的无环结构部分独立地未被进一步取代或者带有1、2、3个或至多最大可能数目相互独立地选自如下的相同或不同基团R3a或R4a：R3a、R4a：卤素、OH、CN、NO2、SH、NH2、NH(C1-C4烷基)、N(C1-C4烷基)2、NH(C(＝O)C1-C4烷基)、N(C(＝O)C1-C4烷基)2、NH-SO2-Rx、C1-C6烷氧基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基、S(O)n-C1-C6烷基、S(O)n-芳基、CH(＝O)、C(＝O)C1-C6烷基、C(＝O)O(C1-C6烷基)、C(＝O)NH(C1-C6烷基)、C(＝O)N(C1-C6烷基)2、CR’＝NOR”、3、4、5、6、7、8、9或10员饱和或部分不饱和碳环或杂环、芳基、苯氧基、5、6或10员杂芳基；其中在每种情况下碳环和杂环的一个或两个CH2基团可以被独立地选自C(＝O)和C(＝S)的基团替代；其中该杂环和该杂芳基独立地含有1、2、3或4个选自N、O和S的杂原子；其中在每种情况下碳环和杂环的一个或两个CH2基团可以被独立地选自C(＝O)和C(＝S)的基团替代；其中碳环基团、杂环基团、杂芳基和苯基独立地未被取代或者带有1、2、3、4或5个选自卤素、OH、CN、NO2、SH、NH2、NH(C1-C4烷基)、N(C1-C4烷基)2、NH(C(＝O)C1-C4烷基)、N(C(＝O)C1-C4烷基)2、NH-SO2-Rx、C1-C6烷硫基、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷氧基和S(O)n-C1-C6烷基的取代基；并且其中Rx、R’、R”和R”如上所定义；n为0、1、2；以及其中R3和R4的碳环、杂环、杂芳基和芳基结构部分独立地未被进一步取代或者带有1、2、3、4、5个或至多最大数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R3b或R4b：R3b、R4b：卤素、OH、CN、NO2、SH、NH2、NH(C1-C4烷基)、N(C1-C4烷基)2、NH(C(＝O)C1-C4烷基)、N(C(＝O)C1-C4烷基)2、NH-SO2-Rx、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基、S(O)n-C1-C6烷基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、苯基和苯氧基，其中苯基未被取代或者被选自卤素、OH、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的取代基取代；并且其中Rx和n如上所定义；或者R3、R4与它们所键合的碳原子一起形成3、4、5、6、7、8、9或10员饱和或部分不饱和碳环或杂环；其中该杂环含有1、2、3或4个选自N、O和S的杂原子，其中杂原子N可以带有一个选自C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基和SO2Ph的取代基RN，其中Ph为未被取代的苯基或者被1、2或3个选自CN、C1-C4烷基、卤素、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的取代基取代的苯基；并且其中杂原子S可以呈其氧化物SO或SO2的形式，并且其中该碳环或杂环未被取代或者带有1、2、3或4个独立地选自卤素、OH、CN、NO2、SH、NH2、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、苯基和苯氧基的取代基R34，其中苯基未被取代或者带有1、2、3、4或5个选自CN、卤素、OH、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷氧基的取代基R34a；并且其中在每种情况下该碳环或杂环的一个或两个CH2基团可以被独立地选自C(＝O)和C(＝S)的基团替代；以及R5为卤素；R6为卤素；R7和R8与它们所键合的碳原子一起形成苯基或5或6员杂芳基；其中该杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子，并且其中环A被(R78)o取代，其中o为0、1、2或3；以及R78独立地选自卤素、OH、CN、NO2、SH、NH2、NH(C1-C4烷基)、N(C1-C4烷基)2、NH(C(＝O)C1-C4烷基)、N(C(＝O)C1-C4烷基)2、NH-SO2-Rx、CH(＝O)、C(＝O)C1-C6烷基、C(＝O)NH(C1-C6烷基)、CR’＝NOR”、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C2-C6链烯氧基、C2-C6炔氧基、C3-C6环烷基、C3-C6环烯基、S(O)n-C1-C6烷基、3、4、5或6员饱和或部分不饱和杂环、5或6员杂芳基和苯基；其中该杂环或杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；其中n、Rx、R’和R”如上所定义；以及其中R78的无环结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3个或至多最大可能数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R78a：R78a：卤素、OH、CN、C1-C6烷氧基、C3-C6环烷基、C3-C6环烯基、C3-C6卤代环烷基、C3-C6卤代环烯基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、5或6员杂芳基、苯基和苯氧基，其中该杂芳基和苯基未被取代或者被选自卤素、OH、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的R78a′取代；其中R78的碳环、杂环、杂芳基和芳基结构部分未被取代或者被相互独立地选自如下的相同或不同基团R78b取代：R78b：卤素、OH、CN、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C4卤代烷氧基和C1-C6烷硫基；R9在每种情况下独立地选自H、卤素、OH、CN、NO2、SH、NH2、NH(C1-C4烷基)、N(C1-C4烷基)2、NH(C2-C4链烯基)、N(C2-C4链烯基)2、NH(C2-C4炔基)、N(C2-C4炔基)2、NH(C3-C6环烷基)、N(C3-C6环烷基)2、N(C1-C4烷基)(C2-C4链烯基)、N(C1-C4烷基)(C2-C4炔基)、N(C1-C4烷基)(C3-C6环烷基)、N(C2-C4链烯基)(C2-C4炔基)、N(C2-C4链烯基)(C3-C6环烷基)、N(C2-C4炔基)(C3-C6环烷基)、NH(C(＝O)C1-C4烷基)、N(C(＝O)C1-C4烷基)2、NH-SO2-Rx、S(O)n-C1-C6烷基、S(O)n-芳基、C1-C6环烷硫基、S(O)n-C2-C6链烯基、S(O)n-C2-C6炔基、CH(＝O)、C(＝O)C1-C6烷基、C(＝O)C2-C6链烯基、C(＝O)C2-C6炔基、C(＝O)C3-C6环烷基、C(＝O)NH(C1-C6烷基)、CH(＝S)、C(＝S)C1-C6烷基、C(＝S)C2-C6链烯基、C(＝S)C2-C6炔基、C(＝S)C3-C6环烷基、C(＝S)NH(C1-C6烷基)、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基、ORY、C3-C6环烷基、5或6员杂芳基和芳基；其中杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；其中Rx如上所定义；RY为C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C2-C6链烯基、C2-C6卤代链烯基、C2-C6炔基、C2-C6卤代炔基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、苯基和苯基-C1-C6烷基；其中苯基未被取代或者带有1、2、3、4或5个选自CN、卤素、OH、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的取代基；其中R9的无环结构部分未被取代或者被相互独立地选自如下的基团R9a取代：R9a：卤素、OH、CN、C1-C6烷氧基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·米勒，E·堪比斯，A·埃斯克里巴诺奎斯塔，J·K·洛曼，A·沃尔夫，N·里迪格，M·费尔，T·格罗特，V·泰特扬塞瑟，W·格拉梅诺斯，C·H·温特，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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