一种新型半导体IGBT模块组合制造技术

本发明专利技术公开了一种新型半导体IGBT模块组合，包括正极半导体以及负极半导体组成的逆变电路，所述正极半导体包括N极负极以及U、V、W三相输出，所述负极半导体包括P极正极以及U、V、W三相输出，所述正极半导体以及负极半导体均具备有多个栅极以及多个发射极。本发明专利技术的半导体LSK3PNIGBT多个组合可以装机更大功率的设备，为用户能赢得更好的经济效益。

A New Combination of Semiconductor IGBT Modules

【技术实现步骤摘要】
一种新型半导体IGBT模块组合
本专利技术涉及一种半导体，具体涉及一种新型半导体IGBT模块组合。
技术介绍
半导体IGBT模块(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型功率管)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点，驱动功率小而饱和压降低，在工业控制领域中，尤其是变频器领域内，被广泛用作开关器件。现有技术中，单只6管IGBT体积大，单只封装做不了更大的电流，如图1和图2所示。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是一种新型半导体IGBT模块组合，正负组成逆变电路，一只正，一只负，单只可以做更大电流的封装，多只组合安装更简单，可以做更大功率设备。本专利技术是通过以下技术方案来实现的：一种新型半导体IGBT模块组合，包括正极半导体以及负极半导体组成的逆变电路，所述正极半导体包括N极负极以及U、V、W三相输出，所述负极半导体包括P极正极以及U、V、W三相输出，所述正极半导体以及负极半导体均具备有多个栅极以及多个发射极。作为优选的技术方案，所述U、V、W三相输出分别具有一组栅极以及一组发射极。作为优选的技术方案，U相输出包括G1栅极以及G2发射极。作为优选的技术方案，V相输出包括G3栅极以及G4发射极。作为优选的技术方案，W相输出包括G5栅极以及G6发射极。作为优选的技术方案，半导体采用IGBT芯片以及一陶瓷基板，IGBT芯片安装于陶瓷基板上。作为优选的技术方案，正极半导体以及负极半导体组合结构其电流为150-600A，耐压600-1200V。本专利技术的有益效果是：1.电流可以做到150-600A，耐压：600-1200V；2.新型半导体LSK3PNIGBT，在很多设备和变频器，逆变器中；3.新型半导体LSK3PNIGBT，正负组合到450A更大封装IGBT；4.体积小节省空间使设备里空气流动快，散热更有效在，减少设备故障率和延长使用寿命；5.新型半导体LSK3PNIGBT多个组合可以装机更大功率的设备，为用户能赢得更好的经济效益。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术技术中的产品俯视图；图2为现有技术中的原理简图；图3为本专利技术的LSK3PIGBT原理简图；图4为本专利技术的LSK3PIGBT结构简图；图5为本专利技术的LSK3NIGBT原理简图；图6为本专利技术的LSK3NIGBT结构简图；图7为本专利技术的组装原理简图。具体实施方式本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。本说明书（包括任何附加权利要求、摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“一端”、“另一端”、“外侧”、“上”、“内侧”、“水平”、“同轴”、“中央”、“端部”、“长度”、“外端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本专利技术使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“之下”的单元将位于其他单元或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括上方和下方这两种方位。设备可以以其他方式被定向（旋转90度或其他朝向），并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“套接”、“连接”、“贯穿”、“插接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。如图3-图7所示，包括正极半导体以及负极半导体组成的逆变电路，所述正极半导体包括N极负极以及U、V、W三相输出，所述负极半导体包括P极正极以及U、V、W三相输出，正极半导体以及负极半导体均具备有多个栅极以及多个发射极。其中，U、V、W三相输出分别具有一组栅极以及一组发射极，如图3和图4所示，U相输出包括G1栅极以及G2发射极，V相输出包括G3栅极以及G4发射极，W相输出包括G5栅极以及G6发射极。本实施例中，半导体采用IGBT芯片以及一陶瓷基板，IGBT芯片安装于陶瓷基板上。正极半导体以及负极半导体组合结构其电流为150-600A，耐压600-1200V，正负组合到450A，更大封装IGBT。本专利技术的有益效果是：1.电流可以做到150-600A，耐压：600-1200V；2.新型半导体LSK3PNIGBT，在很多设备和变频器，逆变器中；3.新型半导体LSK3PNIGBT，正负组合到450A更大封装IGBT；4.体积小节省空间使设备里空气流动快，散热更有效在，减少设备故障率和延长使用寿命；5.新型半导体LSK3PNIGBT多个组合可以装机更大功率的设备，为用户能赢得更好的经济效益。以上所述，仅为本专利技术的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型半导体IGBT模块组合，其特征在于：包括正极半导体以及负极半导体组成的逆变电路，所述正极半导体包括N极负极以及U、V、W三相输出，所述负极半导体包括P极正极以及U、V、W三相输出，所述正极半导体以及负极半导体均具备有多个栅极以及多个发射极。

【技术特征摘要】
1.一种新型半导体IGBT模块组合，其特征在于：包括正极半导体以及负极半导体组成的逆变电路，所述正极半导体包括N极负极以及U、V、W三相输出，所述负极半导体包括P极正极以及U、V、W三相输出，所述正极半导体以及负极半导体均具备有多个栅极以及多个发射极。2.如权利要求1所述的新型半导体IGBT模块组合，其特征在于：所述U、V、W三相输出分别具有一组栅极以及一组发射极。3.如权利要求1所述的新型半导体IGBT模块组合，其特征在于：U相输出包括G1栅极以及G2发射极。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈微微，林世科，
申请(专利权)人：深圳市红邦半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44