半导体封装件的制造方法技术

本发明专利技术的技术思想是提供一种半导体封装件的制造方法，其包括在托盘上布置多个晶圆的步骤；在所述托盘和所述多个晶圆上形成互连结构的步骤；以及将所述多个晶圆从所述托盘分离的步骤，并包括所述形成互连结构的步骤。

Manufacturing Method of Semiconductor Package

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体封装件的制造方法
本专利技术的技术思想涉及半导体封装件的制造方法，更具体地，涉及一种利用晶圆级封装(waferlevelpackage)技术的半导体封装件的制造方法。
技术介绍
通常，对在晶圆上通过执行各种半导体工艺而制得的半导体芯片进行半导体封装工艺以制造半导体封装件。最近，为了节约半导体封装件的生产成本，提出了一种在晶圆级上进行半导体封装工艺，并将经过半导体封装工艺的晶圆级的半导体封装件切割成半导体芯片的晶圆级封装技术。根据晶圆级封装，由于不需要印刷电路基板(printedcircuitboard)，可使半导体封装件的整体厚度变薄。由于具有较薄的厚度，从而可制造出散热效果优秀的半导体封装件。然而，在利用晶圆级封装技术的过程中，需要一种能够节约半导体封装工艺的费用，且能够提高半导体封装工艺的生产效率的技术方案。
技术实现思路
本专利技术的技术思想所要解决的技术问题是提供一种能够提高半导体封装工艺的生产效率的半导体封装件的制造方法。为了解决上述技术问题，本专利技术的技术思想是提供一种半导体封装件的制造方法，其包括在托盘上布置多个晶圆的步骤；所述托盘和所述多个晶圆上形成互连结构的步骤；以及将所述多个晶圆从所述托盘分离的步骤。此外，为了解决上述技术问题，本专利技术的技术思想是提供一种半导体封装件的制造方法，其包括准备具有布置于第一面上的垫片的多个晶圆的步骤；准备形成有多个空腔的托盘，并且在所述多个空腔内布置所述多个晶圆以露出所述第一面的步骤；所述托盘和所述多个晶圆上形成互连结构的步骤；以及将所述多个晶圆从所述托盘分离的步骤，形成所述互连结构的步骤包括：在所述托盘及容纳于所述多个空腔的所述多个晶圆上依次形成第一绝缘层、布线层及第二绝缘层的步骤，所述第一绝缘层具有露出所述多个晶圆的垫片的开口部，所述布线层与所述多个晶圆的垫片电连接，所述第二绝缘层覆盖所述布线层；在形成所述互连结构的期间，所述多个空腔的侧壁与容纳于所述多个空腔的所述多个晶圆之间的空间由所述第一绝缘层覆盖。根据本专利技术实施例涉及的半导体封装件的制造方法，由于可利用晶圆级封装技术制造半导体封装件，因此可制得小型化且散热效率优秀的半导体封装件。进而，根据本专利技术的实施例涉及的半导体封装件的制造方法，由于可在托盘上布置多个晶圆，并利用面板级进行半导体封装工艺，因此可节约半导体封装工艺的费用，且可提高半导体封装工艺的生产效率。附图说明图1是图示本专利技术技术思想的部分实施例涉及的半导体封装件的制造方法的流程图。图2a是本专利技术的部分实施例涉及的托盘的立体图。图2b是沿着图2a的ⅡB-ⅡB’线的托盘的截面图，是图示在托盘上布置多个晶圆的状态的截面图。图3是本专利技术技术思想的部分实施例涉及的托盘的立体图。图4是图示本专利技术技术思想的部分实施例涉及的在托盘上布置多个晶圆的状态的截面图。图5是图示本专利技术技术思想的部分实施例涉及的在托盘上布置多个晶圆的状态的截面图。图6a至图6j是基于工艺顺序图示本专利技术技术思想的部分实施例涉及的半导体封装件的制造方法的截面图。图7a至图7d是基于工艺顺序图示本专利技术技术思想的部分实施例涉及的半导体封装件的制造方法的截面图。具体实施方式本专利技术涉及的半导体封装件的制造方法包括在托盘布置多个晶圆的步骤；所述托盘及所述多个晶圆上形成互连结构的步骤；以及将所述多个晶圆从所述托盘分离的步骤，并包括所述形成互连结构的步骤。以下，将参照附图对本专利技术概念的优选实施例进行详细说明。但是，本专利技术概念的实施例可变形为各种其他形态，不应该解释为本专利技术的概念范围限于以下详细说明的实施例。本专利技术概念的实施例应该优选解释为为了向本领域普通技术人员更加完整地说明本专利技术概念而提供的。相同的附图标记始终表示相同的要素。进而，附图中的各种要素和区域是概略地绘制成的。因此，本专利技术概念不受限于附图中绘制的相对的大小或者距离。第一、第二等术语虽然可用于说明各种组成要素，但是所述组成要素不受限于所述术语。所述术语的使用目的在于将一个组成要素与其他组成要素区分。例如，在不超出本专利技术概念的权利范围的情况下，第一组成要素可命名为第二组成要素，相反地，第二组成要素可命名为第一组成要素。本申请中使用的术语只用于说明特定的实施例，而并非用于限定本专利技术概念。如果单数的表述在前后文中没有明确地给出其他定义，则包括复数表述。本申请中，“包括”或者“具有”等的表述应该理解为用于指出说明书中记载的特征、数量、步骤、动作、组成要素、部件或者其组合存在，而非事先排除一个或者一个以上的其他特征、数量、动作、组成要素、部件或者其组合的存在或者附加可能性。只要不另行定义，这里使用的所有术语包括技术术语和科学术语，具有与本专利技术概念所属
普通技术人员的通常理解相同的含义。此外，常用的、如字典中所定义的术语应解释为在相关技术的前后文中其所指的含意，其中如果没有给出明确的定义，则不应过度地以字面上的含义进行解释。图1是图示本专利技术技术思想的部分实施例涉及的半导体封装件的制造方法的流程图。参照图1，本专利技术的实施例涉及的半导体封装件的制造方法依次执行准备多个晶圆的步骤(S100)，在托盘上布置多个晶圆的步骤(S200)，在多个晶圆上形成互连结构的步骤(S300)，将多个晶圆从托盘分离的步骤(S400)及分别以封装单元切割多个晶圆的步骤(S500)。更具体地，准备多个晶圆的步骤(S100)中，准备分别包括半导体基板及在所述半导体基板上形成的半导体元件的多个晶圆。所述半导体基板，例如，可包括硅(Si，silicon)。此外，所述半导体基板可包括如锗(Ge，germanium)的半导体元素，或者如SiC(siliconcarbide)、GaAs(galliumarsenide)、InAs(indiumarsenide)及InP(indiumphosphide)的化合物半导体。此外，所述半导体基板可具有绝缘体上硅(SOI，silicononinsulator)结构。例如，所述半导体基板可包括埋氧层(buriedoxide(BOX)layer)。所述半导体基板可包括导电区域，例如掺杂杂质的阱(well)。此外，半导体基板可具有如浅槽隔离(STI，shallowtrenchisolation)结构的各种元件隔离结构。所述半导体元件可包括各种类型的多个单独元件(individualdevice)。例如，多个单独元件可包括各种微电子元件(microelectronicdevices)，例如互补金属氧化物半导体晶体管(complementarymetal-insulator-semiconductor(CMOS)transistor)等的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor)、系统LSI(largescaleintegration)、如CMOS图像传感器(CIS，CMOSimagingsensor)等的图像传感器、微机电系统(MEMS，micro-electro-mechanicalsystem)、有源元件、无源元件等。所述多个单独元件可与所述半导体基板的所述导电区域电连接。所述半导体元件还可包括用于电连接所述多个单独元件中至少两个，或者用于电连接所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于包括：在托盘上布置多个晶圆的步骤；在所述托盘和所述多个晶圆上形成互连结构的步骤；以及将所述多个晶圆从所述托盘分离的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.17 KR 10-2017-0008190;2017.04.26 KR 10-2011.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于包括：在托盘上布置多个晶圆的步骤；在所述托盘和所述多个晶圆上形成互连结构的步骤；以及将所述多个晶圆从所述托盘分离的步骤。2.如权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述托盘具有可容纳所述多个晶圆的多个空腔，在形成所述互连结构的期间，所述多个晶圆分别容纳于所述托盘的所述多个空腔。3.如权利要求2所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，在所述布置多个晶圆的步骤中，容纳于所述多个空腔的所述多个晶圆的上面的水平面等于或者低于所述托盘的上面的水平面。4.如权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述形成互连结构的步骤包括形成覆盖所述托盘的表面及所述多个晶圆的表面的第一绝缘层以固定布置于所述托盘的所述多个晶圆的步骤。5.如权利要求4所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述形成互连结构的步骤包括：在所述形成第一绝缘层的步骤之后，通过去除所述第一绝缘层的一部分，露出所述多个晶圆垫片的步骤；在所述第一绝缘层及通过所述第一绝缘层露出的所述多个晶圆的垫片上形成布线层的步骤；形成覆盖所述布线层的第二绝缘层的步骤；以及去除所述第二绝缘层的一部分以露出所述布线层的一部分的步骤。6.如权利要求5所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述形成布线层的步骤包括：在所述第一绝缘层的表面和所述多个晶圆的垫片的表面上形成籽晶金属层的步骤；以及利用镀金方法在所述籽晶金属层的一部分上形成第一金属层的步骤。7.如权利要求4所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，将所述多个晶圆从所述托盘分离的步骤包括去除所述第一绝缘层的一部分以露出所述多个晶圆的边缘的步骤。8.如权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述托盘包括对齐标记，所述对齐标记布置于所述托盘的上面以使所述多个晶圆位于所述托盘上的预定位置。9.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：金南澈，吕龙云，权容台，李荣锡，
申请(专利权)人：NEPES株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR