基板处理装置、流量控制方法以及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、流量控制方法以及记录介质。对从各分割区域供给的处理气体的流量进行控制，使得基板的测定点的关键尺寸满足规定条件。上部电极以与晶圆相向的方式配置于处理容器内，并被设为能够按将与晶圆(W)相向的相向面进行分割而形成的每个分割区域调整供给的处理气体的流量。计算部使用预测模型来计算使对晶圆进行了等离子体蚀刻时的晶圆的规定的测定点的CD满足规定条件的各分割区域的处理气体的目标流量，该预测模型用于以各分割区域的处理气体的流量为参数来预测测定点的CD。在对晶圆W进行等离子体蚀刻时，流量控制部进行控制，使得从上部电极的各分割区域供给的处理气体的流量成为所计算出的目标流量。

Substrate Processing Unit, Flow Control Method and Recording Media

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、流量控制方法以及记录介质
本专利技术的各种方面和实施方式涉及一种基板处理装置、流量控制方法以及记录介质。
技术介绍
以往以来，已知一种基板处理装置，向处理容器内供给规定的处理气体，来对半导体晶圆、液晶基板等基板进行成膜、蚀刻等基板处理。作为这样的基板处理装置，例如已知一种等离子体处理装置。等离子体处理装置例如构成为配设有兼用作在处理容器内载置基板的载置台的下部电极、以及兼用作朝向基板喷出处理气体的喷淋头的上部电极。在这样的等离子体处理装置中，在从喷淋头对处理容器内的基板上供给处理气体的状态下向两个电极间施加高频电力来生成等离子体，由此进行成膜、蚀刻等基板处理。然而，作为与基板处理有关的精度之一，存在基板内的关键尺寸的均匀性。在基板处理中，处理的进展由于从喷淋头供给的处理气体的气体浓度等各种原因而变化。因此，在等离子体处理装置中，将喷淋头内部分隔为多个气体室，对每个气体室独立地连接气体供给配管，能够向基板面内的多个部位以任意的种类或任意的流量供给处理气体。专利文献1：日本特开平9-45624号公报专利文献2：日本特开2007-208194号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在将喷淋头分为多个分割区域并对从各分割区域供给的处理气体的气体浓度进行调整的情况下，各分割区域的与相邻的分割区域的边界附近受到相邻的分割区域的影响而气体浓度发生变化。因此，在以往的技术中，无法高精度地控制基板内的关键尺寸的均匀性。用于解决问题的方案公开的基板处理装置在一个实施方式中具有气体供给部、计算部以及流量控制部。气体供给部以与基板相向的方式配置于处理容器内，并被设为能够按将与基板相向的相向面进行分割而形成的每个分割区域调整供给的处理气体的流量。计算部使用预测模型来计算使对基板进行了规定的基板处理时的基板的规定的测定点处的关键尺寸满足规定条件的各分割区域的处理气体的目标流量，其中，所述预测模型用于以各分割区域的处理气体的流量为参数来预测所述测定点处的关键尺寸。在对基板进行基板处理时，流量控制部进行控制，使得从气体供给部的各分割区域供给的处理气体的流量成为由计算部计算出的目标流量。专利技术的效果根据公开的基板处理装置的一个方式，起到能够控制从各分割区域供给的处理气体的流量使得基板的测定点的关键尺寸满足规定条件这样的效果。附图说明图1是一个实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构图。图2是概要性地示出一个实施方式所涉及的基板处理装置的图。图3是示出一个实施方式所涉及的上部电极的平面图。图4是示出对一个实施方式所涉及的基板处理装置进行控制的控制部的概要性结构的框图。图5是说明误差的平方和与范围之间的关系的一例的图。图6是示出第一实施方式所涉及的流量控制方法的流程的一例的流程图。图7是示出第二实施方式所涉及的流量控制方法的流程的一例的流程图。附图标记说明1：基板处理系统；10：基板处理装置；30：上部电极；60：相向面；61、61a～61e：分割区域；100：控制部；102：工艺控制器；102a：生成部；102b：计算部；102c：等离子体控制部；102d：流量控制部；HT：加热器；W：晶圆。具体实施方式下面，参照附图来详细地说明本申请公开的基板处理装置、流量控制方法以及记录介质的实施方式。此外，在各附图中，对相同或相当的部分标注相同的标记。另外，公开的专利技术不限定于本实施方式。各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当地进行组合。(第一实施方式)[基板处理系统的结构]首先，对实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构进行说明。基板处理系统是对晶圆等基板进行规定的基板处理的系统。在本实施方式中，以对基板进行作为基板处理的等离子体蚀刻的情况为例来进行说明。图1是一个实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构图。基板处理系统1具有基板处理装置10和测量装置11。基板处理装置10与测量装置11之间以能够经由网络N相互通信的方式连接。网络N不问有线或无线，能够采用LAN(LocalAreaNetwork：局域网)、VPN(VirtualPrivateNetwork：虚拟专用网)等任意种类的通信网。基板处理装置10是对基板进行规定的基板处理的装置。在本实施方式中，基板处理装置10对作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”。)进行等离子体蚀刻。测量装置11是以被基板处理装置10进行了基板处理的基板的规定的位置为测定点来对测定点处的关键尺寸(CriticalDimension)进行测量的装置。在本实施方式中，测量装置11将测定点处的图案的宽度作为关键尺寸来进行测量。下面，也将关键尺寸称作“CD”。在晶圆的不同的位置设置有多个用于测量CD的测定点。测量装置11在各测定点分别测量图案的宽度。测量装置11也可以是检查基板的缺陷的检查装置。测量装置11将测量出的各测定点的CD的数据发送到基板处理装置10。在基板处理装置10中，用于朝向晶圆喷出处理气体的喷淋头的与晶圆相向的相向面被分割为多个分割区域，基板处理装置10进行以下控制：基于从测量装置11接收到的各测定点的CD的数据，来对从各分割区域喷出的处理气体的流量进行调整，使得晶圆的各测定点的CD满足规定条件。[基板处理装置的结构]接着，对基板处理装置10的结构进行说明。图2是概要性地示出一个实施方式所涉及的基板处理装置的图。在图2中概要性地示出一个实施方式所涉及的基板处理装置10的纵截面上的构造。图2所示的基板处理装置10是电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。该基板处理装置10具备大致圆筒状的处理容器12。处理容器12例如由铝构成。另外，处理容器12的表面被实施了阳极氧化处理。在处理容器12内设置有载置台16。载置台16包含支承构件18和基台20。支承构件18的上表面被设为用于载置作为基板处理对象的基板的载置面。在本实施方式中，作为等离子体蚀刻的处理对象的晶圆W被载置于支承构件18的上表面。基台20具有大致圆盘形状，其主部例如由铝之类的导电性的金属构成。该基台20构成下部电极。基台20被支承部14支承。支承部14为从处理容器12的底部延伸的圆筒状的构件。基台20经由匹配器MU1而与第一高频电源HFS电连接。第一高频电源HFS为产生用于生成等离子体的高频电力的电源，产生27MHz～100MHz的频率的高频电力，在一例中，产生40MHz的高频电力。匹配器MU1具有用于使第一高频电源HFS的输出阻抗与负载侧(基台20侧)的输入阻抗匹配的电路。另外，基台20经由匹配器MU2而与第二高频电源LFS电连接。第二高频电源LFS产生用于向晶圆W吸引离子的高频电力(高频偏置电力)，并将该高频偏置电力供给到该基台20。高频偏置电力的频率为400kHz～13.56MHz范围内的频率，在一例中，为3MHz。匹配器MU2具有用于使第二高频电源LFS的输出阻抗与负载侧(基台20侧)的输入阻抗匹配的电路。在基台20上设置有支承构件18。在一个实施方式中，支承构件18为静电卡盘。支承构件18利用库伦力等静电力来吸附晶圆W，并保持该晶圆W。支承构件18在陶瓷制的主体部内具有静电吸附用的电极E1。电极E1经由开关SW1而与直流电源22电连接。另外，在支承构件18的内部，在电极E1的下方设置有加热器HT。加热器HT经由设置于基台20的外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：气体供给部，其以与基板相向的方式配置于处理容器内，并被设为能够按将与基板相向的相向面进行分割而形成的每个分割区域调整供给的处理气体的流量；计算部，其使用预测模型来计算使对所述基板进行了规定的基板处理时的所述基板的规定的测定点处的关键尺寸满足规定条件的各分割区域的处理气体的目标流量，其中，所述预测模型用于以各分割区域的处理气体的流量为参数来预测所述测定点处的关键尺寸；以及流量控制部，在对所述基板进行基板处理时，所述流量控制部进行控制，使得从所述气体供给部的各分割区域供给的处理气体的流量成为由计算部计算出的目标流量。

【技术特征摘要】
2018.02.15 JP 2018-0247831.一种基板处理装置，其特征在于，具有：气体供给部，其以与基板相向的方式配置于处理容器内，并被设为能够按将与基板相向的相向面进行分割而形成的每个分割区域调整供给的处理气体的流量；计算部，其使用预测模型来计算使对所述基板进行了规定的基板处理时的所述基板的规定的测定点处的关键尺寸满足规定条件的各分割区域的处理气体的目标流量，其中，所述预测模型用于以各分割区域的处理气体的流量为参数来预测所述测定点处的关键尺寸；以及流量控制部，在对所述基板进行基板处理时，所述流量控制部进行控制，使得从所述气体供给部的各分割区域供给的处理气体的流量成为由计算部计算出的目标流量。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在基板上决定有多个所述测定点，所述计算部使用所述预测模型来计算使各测定点的关键尺寸相对于目标尺寸的误差的平方和最小的各分割区域的处理气体的流量，以计算出的各分割区域的处理气体的流量分别为基准使各分割区域的处理气体的流量变化，计算使各测定点的关键尺寸的最大值与最小值之差最小的各分割区域的处理气体的目标流量。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，还具有生成部，所述生成部基于对将各分割区域的处理气体的流量控制为三个以上的不同的流量并对所述基板进行了所述基板处理时的所述测定点的关键尺寸分别进行测定所得到的数据，来生成所述预测模型，所述计算部使用由所述生成部生成的所述预测模型，来计算使所述测定点的关键尺寸满足规定条件的各分割区域的处理气体的目标流量。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述生成部生成第一预测模型和第二预测模型，其中，所述第一预测模型是利用处理气体的流量的一次函数对所述测定点的关键尺寸进行模型化而得到的模型，所述第二预测模型是利用处理气体的流量的二次...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈信介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP