等离子体处理装置制造方法及图纸

为了实现制造的高效率化，并且即使在片状基材薄的情况下，也确保品质的等离子体处理装置，包括：等离子体处理室(X)，对片状基材(Z)进行等离子体处理；高频天线(3)，用以使等离子体处理室(X)内产生等离子体；以及送出机构(10)，将片状基材(Z)沿着上下方向送出至等离子体处理室(X)内。

Plasma treatment unit

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术涉及一种例如对片状基材进行成膜等等离子体处理的等离子体处理装置。
技术介绍
作为此种等离子体处理装置，存在可对片状基材进行连续成膜的被称为辊对辊(rolltoroll)方式者，根据所述方式，与被称为盒对盒(cassettetocassette)方式的断续成膜相比，成膜速度快，可实现生产性的提升。作为所述辊对辊方式的等离子体处理装置，如专利文献1所示，存在具有送出片状基材的送出辊及卷取片状基材的卷取辊，并构成为将片状基材一面沿着水平方向搬运一面在等离子体处理室内进行等离子体处理的等离子体处理装置。然而，若为所述构成，则因在等离子体处理中片状基材被等离子体的离子能量加热而软化，并且为了以免挠曲而由卷取辊对所述软化的片状基材进行拉伸，所以片状基材趋于朝着宽度方向中央部收缩。由此，在片状基材中产生褶皱。所述问题在片状基材薄的情况下更显著。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2015-185494号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]因此，本专利技术是为了一举解决所述问题而成，其主要课题在于实现生产性的提升并且即使在片状基材薄的情况下，也可防止褶皱的产生。[解决问题的技术手段]即，本专利技术的等离子体处理装置，包括：等离子体处理室，对片状基材进行等离子体处理；高频天线，用以使所述等离子体处理室内产生等离子体；以及送出机构，将所述片状基材沿着上下方向送出至所述等离子体处理室内。根据如此构成的等离子体处理装置，送出机构将片状基材沿着上下方向送出至等离子体处理室，所以可减少等离子体处理中的片状基材的挠曲。由此，可藉由连续地送出片状基材而实现生产性的提升，同时减少对片状基材施加的张力，所以即使在片状基材薄的情况下，也可防止褶皱的产生。优选：所述送出机构设于所述等离子体处理室的上方。根据如此构成的等离子体处理装置，设于等离子体处理室的上方的送出机构将片状基材送出至下方，所以即使不从下方进行拉伸，片状基材也会因自重而下降。由此，可尽可能地减小施加至片状基材的张力，从而可防止褶皱的产生。另一方面，在将送出机构设于等离子体处理室的上方的情况下，对送出机构安装或取下片状基材的作业很难。因此，为了实现作业性的提升，优选还包括：卷取机构，沿着上下方向卷取已穿过所述等离子体处理室的所述片状基材，所述送出机构及所述卷取机构设于所述等离子体处理室的下方。若为所述构成，则可容易对送出机构及卷取机构安装或取下片状基材。在由卷取辊卷取经等离子体处理的片状基材的情况下，因对被等离子体中的离子能量加热的片状基材施加张力而容易产生褶皱。因此，为了一面卷取经等离子体处理的片状基材，一面可防止褶皱的产生，优选包括：卷取辊，卷取所述片状基材；以及冷却辊，一面将经等离子体处理的所述片状基材引导至所述卷取辊一面对所述片状基材进行冷却。若为所述构成，则即使对片状基材施加了张力，也可通过在由卷取辊卷取之前对片状基材进行冷却而防止褶皱的产生。之所以在片状基材中产生褶皱，是因为在拉伸被所述各种因素加热了的片状基材时，片状基材趋于朝着宽度方向中央收缩。因此，为了抑制片状基材向宽度方向中央的收缩，优选还包括：引导辊，将所述经等离子体处理的所述片状基材引导至所述冷却辊，所述引导辊构成为先接受下降的所述片状基材的宽度方向外侧端部，后接受所述片状基材的宽度方向中央部。若引导辊为所述形状，则已到达引导辊的片状基材被朝宽度方向外侧拉伸，所以可抑制向宽度方向中央的收缩，从而可在不产生褶皱的情况下将片状基材引导至冷却辊。优选还包括：张力检测单元，对由所述卷取辊施加至所述片状基材的张力进行检测；以及控制装置，基于所述张力检测单元所检测出的张力，对所述送出机构或所述卷取辊中的至少一者进行控制。若为所述构成，则可将片状基材的送出速度或卷取速度控制为不产生褶皱的速度。作为更显著地发挥所述作用效果的具体的实施形态，可列举在所述等离子体处理室中设有对所述片状基材进行加热的加热器的构成。然而，在等离子体处理室中形成有用以将由送出机构送出的片状基材搬入至等离子体处理室的狭缝或用以将经等离子体处理的片状基材从等离子体处理室搬出的狭缝。为了减少供给至等离子体处理室的原料气体的泄漏量，这些狭缝优选宽度窄。然而，当想要使片状基材通过自重而下降时，会产生片状基材摆动，刮擦狭缝而受到损伤的问题。因此，优选：在所述等离子体处理室的彼此相向的相向壁上形成有所述片状基材能够穿过的狭缝，在所述狭缝设有对所述片状基材的搬运进行引导的一对引导板。若为所述构成，则即使片状基材摆动，也可通过引导板来防止片状基材刮擦狭缝，从而可防止片状基材的损伤。优选包括：房间，被供给与供给至所述等离子体处理室的原料气体不同种类的气体；以及减压室，存在于所述房间与所述等离子体处理室之间，并且比所述房间及所述等离子体处理室更受到减压。若为所述构成，则因使减压室位于两房间之间，所以可防止原料气体与不同种类的气体混合。[专利技术的效果]根据如此构成的本专利技术，即使在片状基材薄的情况下也可防止褶皱的产生，并且实现生产性的提升。附图说明图1是表示实施方式的等离子体处理装置的构成的示意图。图2是表示本实施方式的第1引导辊的构成的示意图。图3是表示其他实施方式的等离子体处理装置的构成的示意图。图4是表示其他实施方式的等离子体处理装置的构成的示意图。图5是表示其他实施方式的第1引导辊的构成的示意图。图6是表示其他实施方式的等离子体处理装置的构成的示意图。符号的说明100：等离子体处理装置X：等离子体处理室3：高频天线4：加热器5：高频电源P：引导板Z：片状基材10：送出机构20：卷取机构D1：第1减压室D2：第2减压室具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的等离子体处理装置的一实施方式进行说明。本实施方式的等离子体处理装置100例如用于制造燃料电池用隔膜(separator)，此处是在片状基材Z上形成具有对酸或碱的抗腐蚀性的阻气被膜。此处的片状基材Z例如为厚度20μm左右的铝，阻气被膜为具有导电性且抑制氧及水蒸气的渗透的例如导电性类金刚石碳(diamond-likecarbon，DLC)被膜。但是，作为片状基材Z或阻气被膜，并不限于所述内容，也可进行各种选择。具体来说，等离子体处理装置100为所谓的辊对辊方式者，如图1所示，包括：送出机构10，送出片状基材Z；等离子体处理室X，对送出的片状基材Z进行等离子体处理；以及卷取机构20，对经等离子体处理的片状基材Z进行卷取。送出机构10从卷绕片状基材Z而成的线圈(coil)材将片状基材Z送出，至少包括组装有线圈材的送出辊11。所述送出辊11与所组装的线圈材电性连接，被未图示的偏压电源施加后述的等离子体处理中的负的直流电压或负的脉冲电压。所述送出机构10例如被收容于通过具有涡轮分子泵TMP或回转泵(rotarypump)RP等的第1排气系统E1进行排气的搬出室M，在所述搬出室M形成有供由送出辊11送出的片状基材Z穿过的第1狭缝S1。对本实施方式的搬出室M例如供给氮气并保持为1Pa，但所供给的气体种类或所保持的压力并不限于此。并且，送出机构10包括将由送出辊11送出的片状基材Z引导至狭缝的多个引导辊12。这些引导辊12旋转自如，此处示出了三个引导辊12，但引导辊12的数量并不限于此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理室，对片状基材进行等离子体处理；高频天线，用以使所述等离子体处理室内产生等离子体；以及送出机构，将所述片状基材沿着上下方向送出至所述等离子体处理室内。

【技术特征摘要】
2018.02.16 JP 2018-025726;2018.10.23 JP 2018-199521.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理室，对片状基材进行等离子体处理；高频天线，用以使所述等离子体处理室内产生等离子体；以及送出机构，将所述片状基材沿着上下方向送出至所述等离子体处理室内。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述送出机构设于所述等离子体处理室的上方。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：卷取机构，沿着上下方向卷取已穿过所述等离子体处理室的所述片状基材，所述送出机构及所述卷取机构设于所述等离子体处理室的下方。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，包括：卷取辊，卷取所述片状基材；以及冷却辊，一面将经等离子体处理的所述片状基材引导至所述卷取辊一面对所述片状基材进行冷却。5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木泰雄，丹上正安，
申请(专利权)人：等离子体成膜有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP