腔体清洁装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种腔体清洁装置，用于对一半导体工艺腔体内部进行清洁，所述腔体清洁装置包括等离子体生成部件和腔体电场施加部件；其中，所述等离子体生成部件产生的等离子体在所述半导体工艺腔体内流动，所述腔体电场施加部件用于在所述半导体工艺腔体内产生一电场，以吸引所述等离子体中的带电离子到达所述半导体工艺腔体的内壁。所述腔体电场施加部件用于在所述半导体工艺腔体体壁上施加电压，以吸附用于清洁的带电离子，使带电离子到达所述半导体工艺腔体内各个位置，特别是气态等离子体正常情况难以到达的位置，从而提升清洁的效果。

Cavity cleaning device

【技术实现步骤摘要】
腔体清洁装置
本技术涉及半导体设备领域，尤其涉及一种腔体清洁装置。
技术介绍
近年来，随着半导体制造工艺的发展，对元件的集成度和性能要求越来越高，化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，简称CVD)在半导体制造领域中起着举足轻重的作用。通常来说，化学气相沉积是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程，从而实现薄膜的沉积。然而，当反应腔体使用之后，沉积薄膜也会附着在腔体内壁上，如此在接下来的反应过程中，这些附着的副产物会成为污染晶圆等的污染源。因此，为提高反应的稳定性和产品的良率，通常会对反应腔体进行清洁。现有技术中，反应腔体的清洁方式主要有原位清洁(in-situclean)和异位清洁(RemotePlasmaSourceclean)，其中异位清洁已经成为当前清洁方式的主流。通常原位清洁和异位清洁都是使用NF3在射频电场的作用下解离成等离子体，采用等离子体对反应腔体进行清洁，其中原位清洁是NF3在反应腔体内解离成等离子体，然后对反应腔体进行清洁，但是射频电场也可能会对反应腔体的内壁产生较大损伤，并且清洁效果不是很理想；而异位清洁是在其它设备中对NF3进行解离，相较于原位清洁，减少了对反应腔体内壁产生的损伤，且清洁效率有所提升。但是目前异位清洁方式还是存在一定的缺陷，例如反应腔体内有很多地方是NF3等离子体难以到达的地方，如腔体底部或夹角处等，清洁效果达不到，沉积生成的薄膜等成为离子污染源，对产品质量产生影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种腔体清洁装置，以改进现有技术中半导体工艺腔体内部分区域成为清洁盲区，清洁效果不佳，导致产品质量受影响的问题。为了达到上述目的，本技术提供了一种腔体清洁装置，用于对一半导体工艺腔体内部进行清洁，所述腔体清洁装置包括等离子体生成部件和腔体电场施加部件；其中，所述等离子体生成部件产生的等离子体在所述半导体工艺腔体内流动，所述腔体电场施加部件用于在所述半导体工艺腔体内产生一电场，以吸引所述等离子体中的带电离子到达所述半导体工艺腔体的内壁。可选的，在所述腔体清洁装置中，所述等离子体包括F-离子。可选的，在所述腔体清洁装置中，所述半导体工艺腔体具有进气口、排气口以及承载面朝向所述进气口的水平承载部件。可选的，在所述腔体清洁装置中，所述半导体工艺腔体包括第一表面，所述第一表面朝向所述水平承载部件上与所述承载面相对的另一面，且所述第一表面平行于所述承载面，所述电场的正电势端作用于所述第一表面。可选的，在所述腔体清洁装置中，所述半导体工艺腔体包括第二表面，所述第二表面垂直于所述承载面，所述电场的正电势端作用于所述第二表面。可选的，在所述腔体清洁装置中，所述半导体工艺腔体在所述水平承载部件背离所述进气口的一侧设置有升降部件，所述升降部件与所述半导体工艺腔体连通。可选的，在所述腔体清洁装置中，所述电场的正电势端作用于所述升降部件的表面。可选的，在所述腔体清洁装置中，所述等离子体生成部件为远程等离子体清洗部件，所述远程等离子体清洗部件产生的等离子体从所述进气口进入所述半导体工艺腔体，从所述排气口排出所述半导体工艺腔体。可选的，在所述腔体清洁装置中，所述半导体工艺腔体内设置有与所述进气口连接的气体分流部件，所述等离子体通过所述气体分流部件进入所述半导体工艺腔体。可选的，在所述腔体清洁装置中，所述半导体工艺腔体为CVD反应腔体。在本技术提供的腔体清洁装置，用于对一半导体工艺腔体内部进行清洁，所述腔体清洁装置包括等离子体生成部件和腔体电场施加部件；其中，所述等离子体生成部件产生的等离子体在所述半导体工艺腔体内流动，所述腔体电场施加部件用于在所述半导体工艺腔体内产生一电场，以吸引所述等离子体中的带电离子到达所述半导体工艺腔体的内壁。所述腔体电场施加部件用于在所述半导体工艺腔体体壁上施加电压，以吸附用于清洁的带电离子，使带电离子到达所述半导体工艺腔体内各个位置，特别是气态等离子体正常情况难以到达的位置，从而提升清洁的效果，并使所述半导体工艺腔体中产品的质量也有了较大的提高。附图说明图1为本技术实施例一提供的安装有腔体清洁装置的半导体工艺腔体剖视图。图2为本技术实施例二提供的安装有腔体清洁装置的半导体工艺腔体剖视图。图3为本技术实施例提供的持续电场清洁时间折线图。图4为本技术实施例提供的脉冲电场清洁时间折线图。其中，10-半导体工艺腔体；11-进气口；12-排气口；13-气体分流部件；20-水平承载部件；21-承载平台；22-支撑柱；30-升降部件；31-压缩件；311-金属物；312-外壳；32-法兰；41-腔体电场施加部件。具体实施方式下面将结合示意图对本技术的腔体清洁装置的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本技术中腔体清洁装置的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。目前，在进行半导体工艺(包括化学气象沉积工艺)之后，一般会沉积一层薄膜在半导体工艺腔体的内壁，若所述半导体工艺腔体还与其他空腔连通，则其他空腔内也会出现薄膜，但是这些薄膜会影响下次工艺，例如经过加热可能会变成颗粒杂质，接着附着在晶圆或其他被加工的产品上，影响产品质量。因此通常情况下，在本次工艺结束后或下次工艺开始前，都需要对所述半导体工艺腔体进行清洁，但是目前的清洁效果不佳，还是会在所述半导体工艺腔体底部或夹角处等残留杂质，形成污染源。为此，本技术提供了一种腔体清洁装置，可以用于对一半导体工艺腔体内部进行清洁，所述半导体工艺腔体可以为化学气象沉积工艺反应腔体(即CVD反应腔体)。请参考图1和图2，图1为本技术实施例一提供的安装有腔体清洁装置的半导体工艺腔体剖视图。图2为本技术实施例二提供的安装有腔体清洁装置的半导体工艺腔体剖视图。所述腔体清洁装置包括等离子体生成部件和腔体电场施加部件41；其中，所述等离子体生成部件产生的等离子体在所述半导体工艺腔体10内流动，所述腔体电场施加部件41用于在所述半导体工艺腔体10内产生一电场，以吸引所述等离子体中的带电离子到达所述半导体工艺腔体10的内壁。本技术在所述半导体工艺腔体10部分体壁上设置了所述腔体电场施加部件41，以吸附用于清洁的带电离子，使所述带电离子到达所述半导体工艺腔体10内各个位置，特别是气态等离子体正常情况难以到达的位置，从而提升清洁的效果，并使所述半导体工艺腔体10中产品的质量也有了较大的提高。进一步的，所述等离子体生成部件为远程等离子体清洗部件，所述远程等离子体清洗部件产生的等离子体从所述进气口11进入所述半导体工艺腔体10，从所述排气口12排出所述半导体工艺腔体10。具体的，所述等离子体包括F-离子，所述F-离子由所述等离子体生成部件对NF3在其他反应腔室内解离形成，并通过所述半导体工艺腔体10内设置的气体分流部件13进入所述半导体工艺腔体10，所述气体分流部件13用于将所述等离子体分流并分散。具体的，所述半导体工艺腔体10具有进气口11、排气口12以及承载面朝向所述进气口11的水平承载部件20，所述进气口11朝向所述水平承载部件20承载面，所述排气口本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种腔体清洁装置，用于对一半导体工艺腔体内部进行清洁，其特征在于，所述腔体清洁装置包括等离子体生成部件和腔体电场施加部件；其中，所述等离子体生成部件产生的等离子体在所述半导体工艺腔体内流动，所述腔体电场施加部件用于在所述半导体工艺腔体内产生一电场，以吸引所述等离子体中的带电离子到达所述半导体工艺腔体的内壁。

【技术特征摘要】
1.一种腔体清洁装置，用于对一半导体工艺腔体内部进行清洁，其特征在于，所述腔体清洁装置包括等离子体生成部件和腔体电场施加部件；其中，所述等离子体生成部件产生的等离子体在所述半导体工艺腔体内流动，所述腔体电场施加部件用于在所述半导体工艺腔体内产生一电场，以吸引所述等离子体中的带电离子到达所述半导体工艺腔体的内壁。2.如权利要求1所述的腔体清洁装置，其特征在于，所述等离子体包括F-离子。3.如权利要求2所述的腔体清洁装置，其特征在于，所述半导体工艺腔体具有进气口、排气口以及承载面朝向所述进气口的水平承载部件。4.如权利要求3所述的腔体清洁装置，其特征在于，所述半导体工艺腔体包括第一表面，所述第一表面朝向所述水平承载部件上与所述承载面相对的另一面，且所述第一表面平行于所述承载面，所述电场的正电势端作用于所述第一表面。5.如权利要求4所述的腔体清洁装置，其特征在于，所述半导体工艺腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨事成，张锋，吴孝哲，吴龙江，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32