一种电容器参数测试仪制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电容器参数测试仪，属于电容器测试领域。该测试仪包括嵌入式微处理器、电容参数测试仪电路、液晶触控屏显示器、微型打印机、存储器、I/O接口和开关电源；所述电容参数测试仪电路包括A/D转换器、多通道调理电路、数字移相驱动电路、PWM驱动电路、同步脉冲整形隔离电路、双变压器串整流倍压电路、同步脉冲电路、熔断器、发光二极管、二极管、双向可控硅、复合场效应管和电阻器。本实用新型专利技术集成了多种测试功能，可用于测试工业高功率电容器的主要参数。

A Capacitor Parameter Tester

【技术实现步骤摘要】
一种电容器参数测试仪
本技术涉及电容器测试领域，具体涉及一种电容器参数测试仪。
技术介绍
电容器是一种容纳电荷的电子器件，广泛用于电子、电力领域的电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。电容器在使用前通常要进行参数测试，以便筛选出质量符合要求的电容器。电容器的测试参数包括电容器容量、损耗角正切值、绝缘电阻和耐电压。现有技术采用精密LCR测试仪测试电容量及损耗角正切值、采用高电阻测试仪测试绝缘电阻、采用耐电压测试仪测试耐电压，即测试一只电容器需要将其分别安装到上述三种仪器的测试工装中进行测试，记录数据后再拆卸来，在大批量电容器的测试过程中，如此反复拆装，不仅操作复琐、耽误时间，而且测试效率低。而且工业中常用的是高功率电容器，在传统的测试方法中，为了测定容量、耐压与漏电流三参数，涉及到3种检测仪器(电桥测试仪、耐压测试仪及漏电流测试仪)，由于需在测试设备之间进行转换，测试步骤复杂，费事费时，测试效率低，而且还存在混淆差错风险，尤其是在测试时经常会因混淆差错导致铝电解电容器没有放电或放电不彻底而损坏仪器或仪表，对于大容量高电压电容器甚至还会使操作人员瞬间触电，存在着不安全隐患。因此，亟需设计一种专用于检测高压大功率储能电容器的检测仪器，结构简单、操作方便安全，并且具有测试效率高的功能特点，以满足市场和工业生产的特殊需求。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种电容器参数测试仪，用于测试工业中高功率电容器的主要参数。为达到上述目的，本技术提供如下技术方案：一种电容器参数测试仪，包括嵌入式微处理器、电容参数测试仪电路、液晶触控屏显示器、微型打印机、存储器、I/O接口和开关电源；所述电容参数测试仪电路包括A/D转换器、多通道调理电路、数字移相驱动电路、PWM驱动电路、同步脉冲整形隔离电路、双变压器串整流倍压电路、同步脉冲电路、熔断器、发光二极管DS1、二极管D1、晶体管、电阻器；所述熔断器包括熔断器F1、熔断器F2和熔断器F3；所述晶体管包括双向可控硅Q1、复合场效应管Q2和复合场效应管Q3；所述电阻器包括电阻R1至电阻R9；所述嵌入式微处理器分别与开关电源、液晶触控屏显示器、微型打印机、存储器、I/O接口、PWM驱动电路、数字移相驱动电路和A/D转换器并联连接；所述A/D转换器与多通道调理电路串联连接；所述熔断器F1的输入端与火线L连接，输出端分别与联动开关S1和开关K1并联；所述联动开关S1的另一端与开关电源输入端连接；所述开关电源输出端与24V直流电模块输入端连接；所述24V直流电模块输出端连接至嵌入式微处理器；所述开关K1的另一端分别与Q1的阳极和双变压器串联整流倍压电路连接；所述双向可控硅Q1的控制极与数字移相驱动电路输出端G1连接，其阴极与双变压器串联整流倍压电路连接；所述双变压器串联整流倍压电路的输出端与熔断器F2和电阻R2的输入端并联；所述熔断器F2的输出端与开关K2的输入端连接，所述开关K2的第一个输出端与I/O接口连接，其第二个输出端与二极管D1的输入端连接；所述二极管D1的输出端与熔断器F2输入端连接；所述熔断器F2输出端分别与电阻R7和电阻R8的输入端连接；所述电阻R7的输出端与复合场效应管Q2的漏极连接；所述复合场效应管Q2的栅极与PWM驱动电路输出端G2连接，其源极分别与电阻R5输出端、复合场效应管Q3的源极和同步脉冲电路输出端并联连接至电阻R9输入端；所述电阻R8的输出端与复合场效应管Q3的漏极连接；所述复合场效应管Q3的栅极与PWM驱动电路连接；所述电阻R2与电阻R3的连接点与多通道调理电路电压采集输入端U1连接，所述电阻R3的输出端连接至公共端口COM；所述电阻R5与电阻R4的连接点与多通道调理电路电压采集输入端U2连接；所述同步脉冲整形隔离电路输入端与同步脉冲电路输出端连接；所述零线N与发光二极管DS1和电阻R1串联至同步脉冲电路的输出端。进一步，所述电阻R9分别与测试电路COM端和多通道调理电路电流采集输入端I1及待测电容器模块的负极连接；所述待测电容器模块的正极与仪器直流高压输出端连接；所述双变压器串整流倍压电路和同步脉冲电路采用一点式接地。进一步，所述熔断器F1的输入端连接至220V交流电的火线L。进一步，所述液晶触控屏显示器与嵌入式微处理器之间通过RS485实现连接；所述微型打印机与嵌入式微处理器之间通过RS232实现连接。进一步，所述熔断器F2与电阻R2的连接处设置有充电电压测试点；所述熔断器F2与电阻R4的连接处设置有电容充放电压测试点。进一步，所述数字温度传感器以贴装于待测电容器模块的外表并且与嵌入式微处理传感器连接。本技术的有益效果在于：本技术所述的电容器参数测试仪是一种结构简单、操作方便安全，且测试效率高的测试装置，主要用于测试工业中高功率电容器的主要参数。附图说明为了使本技术的目的、技术方案和有益效果更加清楚，本技术提供如下附图进行说明：图1为本技术所述电容器参数测试仪电路原理框图；图2为本技术所述电容器参数测试仪面板图。具体实施方式下面将结合附图，对本技术的优选实施例进行详细的描述。如图1所示，一种电容器参数测试仪，包括嵌入式微处理器、电容参数测试仪电路、液晶触控屏显示器、微型打印机、存储器、I/O接口和开关电源；所述电容参数测试仪电路包括A/D转换器、多通道调理电路、数字移相驱动电路、PWM驱动电路、同步脉冲整形隔离电路、双变压器串整流倍压电路、同步脉冲电路、熔断器、发光二极管DS1、二极管D1、晶体管、电阻器；所述熔断器包括熔断器F1、熔断器F2和熔断器F3；所述晶体管包括双向可控硅Q1、复合场效应管Q2和复合场效应管Q3；所述电阻器包括电阻R1至电阻R9；所述嵌入式微处理器分别与开关电源、液晶触控屏显示器、微型打印机、存储器、I/O接口、PWM驱动电路、数字移相驱动电路和A/D转换器并联连接；所述A/D转换器与多通道调理电路串联连接；所述熔断器F1的输入端与火线L连接，输出端分别与联动开关S1和开关K1并联；所述联动开关S1的另一端与开关电源输入端连接；所述开关电源输出端与24V直流电模块输入端连接；所述24V直流电模块输出端连接至嵌入式微处理器；所述开关K1的另一端分别与Q1的阳极和双变压器串联整流倍压电路连接；所述双向可控硅Q1的控制极与数字移相驱动电路输出端G1连接，其阴极与双变压器串联整流倍压电路连接；所述双变压器串联整流倍压电路的输出端与熔断器F2和电阻R2的输入端并联；所述熔断器F2的输出端与开关K2的输入端连接，所述开关K2的第一个输出端与I/O接口连接，其第二个输出端与二极管D1的输入端连接；所述二极管D1的输出端与熔断器F2输入端连接；所述熔断器F2输出端分别与电阻R7和电阻R8的输入端连接；所述电阻R7的输出端与复合场效应管Q2的漏极连接；所述复合场效应管Q2的栅极与PWM驱动电路输出端G2连接，其源极分别与电阻R5输出端、复合场效应管Q3的源极和同步脉冲电路输出端并联连接至电阻R9输入端；所述电阻R8的输出端与复合场效应管Q3的漏极连接；所述复合场效应管Q3的栅极与PWM驱动电路连接；所述电阻R2与电阻R3的连接点与多通道调理电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容器参数测试仪，其特征在于，该测试仪包括嵌入式微处理器、电容参数测试仪电路、液晶触控屏显示器、微型打印机、存储器、I/O接口和开关电源；所述电容参数测试仪电路包括A/D转换器、多通道调理电路、数字移相驱动电路、PWM驱动电路、同步脉冲整形隔离电路、双变压器串整流倍压电路、同步脉冲电路、熔断器、发光二极管DS1、二极管D1、晶体管、电阻器；所述熔断器包括熔断器F1、熔断器F2和熔断器F3；所述晶体管包括双向可控硅Q1、复合场效应管Q2和复合场效应管Q3；所述电阻器包括电阻R1至电阻R9；所述嵌入式微处理器分别与开关电源、液晶触控屏显示器、微型打印机、存储器、I/O接口、PWM驱动电路、数字移相驱动电路和A/D转换器并联连接；所述A/D转换器与多通道调理电路串联连接；所述熔断器F1的输入端与火线L连接，输出端分别与联动开关S1和开关K1并联；所述联动开关S1的另一端与开关电源输入端连接；所述开关电源输出端与24V直流电模块输入端连接；所述24V直流电模块输出端连接至嵌入式微处理器；所述开关K1的另一端分别与Q1的阳极和双变压器串联整流倍压电路连接；所述双向可控硅Q1的控制极与数字移相驱动电路输出端G1连接，其阴极与双变压器串联整流倍压电路连接；所述双变压器串联整流倍压电路的输出端与熔断器F2和电阻R2的输入端并联；所述熔断器F2的输出端与开关K2的输入端连接，所述开关K2的第一个输出端与I/O接口连接，其第二个输出端与二极管D1的输入端连接；所述二极管D1的输出端与熔断器F2输入端连接；所述熔断器F2输出端分别与电阻R7和电阻R8的输入端连接；所述电阻R7的输出端与复合场效应管Q2的漏极连接；所述复合场效应管Q2的栅极与PWM驱动电路输出端G2连接，其源极分别与电阻R5输出端、复合场效应管Q3的源极和同步脉冲电路输出端并联连接至电阻R9输入端；所述电阻R8的输出端与复合场效应管Q3的漏极连接；所述复合场效应管Q3的栅极与PWM驱动电路连接；所述电阻R2与电阻R3的连接点与多通道调理电路电压采集输入端U1连接，所述电阻R3的输出端连接至公共端口COM；所述电阻R5与电阻R4的连接点与多通道调理电路电压采集输入端U2连接；所述同步脉冲整形隔离电路输入端与同步脉冲电路输出端连接；零线N与发光二极管DS1和电阻R1串联至同步脉冲电路的输出端。...

【技术特征摘要】
1.一种电容器参数测试仪，其特征在于，该测试仪包括嵌入式微处理器、电容参数测试仪电路、液晶触控屏显示器、微型打印机、存储器、I/O接口和开关电源；所述电容参数测试仪电路包括A/D转换器、多通道调理电路、数字移相驱动电路、PWM驱动电路、同步脉冲整形隔离电路、双变压器串整流倍压电路、同步脉冲电路、熔断器、发光二极管DS1、二极管D1、晶体管、电阻器；所述熔断器包括熔断器F1、熔断器F2和熔断器F3；所述晶体管包括双向可控硅Q1、复合场效应管Q2和复合场效应管Q3；所述电阻器包括电阻R1至电阻R9；所述嵌入式微处理器分别与开关电源、液晶触控屏显示器、微型打印机、存储器、I/O接口、PWM驱动电路、数字移相驱动电路和A/D转换器并联连接；所述A/D转换器与多通道调理电路串联连接；所述熔断器F1的输入端与火线L连接，输出端分别与联动开关S1和开关K1并联；所述联动开关S1的另一端与开关电源输入端连接；所述开关电源输出端与24V直流电模块输入端连接；所述24V直流电模块输出端连接至嵌入式微处理器；所述开关K1的另一端分别与Q1的阳极和双变压器串联整流倍压电路连接；所述双向可控硅Q1的控制极与数字移相驱动电路输出端G1连接，其阴极与双变压器串联整流倍压电路连接；所述双变压器串联整流倍压电路的输出端与熔断器F2和电阻R2的输入端并联；所述熔断器F2的输出端与开关K2的输入端连接，所述开关K2的第一个输出端与I/O接口连接，其第二个输出端与二极管D1的输入端连接；所述二极管D1的输出端与熔断器F2输入端连接；所述熔断器F2输出端分别与电阻R7和电阻R8的输入端连接；所述电阻R7的输出端与复合场效应管Q2...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，刘典，王利，周慧，
申请(专利权)人：重庆机床集团有限责任公司，
类型：新型
国别省市：重庆,50