导电薄膜制造技术

本发明专利技术揭示一种导电薄膜，其包括承载层及设置于所述承载层上的导电区和引线区，所述导电区设置有第一凹槽，所述第一凹槽内填充导电材料构成相互连通的导电网格，所述引线区设置有第二凹槽，所述第二凹槽内填充有导电材料形成电极引线，所述电极引线与所述导电网格电性连接，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。通过加深引线区第二凹槽的深度，单位面积内可填充更多的导电材料或两种以上不同粒径的导电材料，从而提高引线电极的导电能力。

Conductive film

【技术实现步骤摘要】
导电薄膜
本专利技术涉及电子技术，更具体地讲，本专利技术涉及一种导电薄膜。
技术介绍
透明导电膜是一种既具有高的导电性，又对可见光有很好的透光性的优良性能的导电膜，具有广泛的应用前景。近年来已经成功应用于液晶显示器、触控面板、电磁波防护、太阳能电池的透明电极、透明表面发热器及柔性发光器件等领域中。传统的触摸屏一般采用掺锡氧化铟(IndiumTinOxides，ITO)导电层。在制备ITO层时，总是不可避免的需要镀膜，图形化，电极银引线制作。且在ITO图形化的时候需要对ITO膜进行蚀刻，这种传统的制作流程复杂且冗长，使导电层的导电性差，从而导致良品率不高。并且这种制作流程对工艺、设备要求较高，还在蚀刻中浪费大量的ITO材料，以及产生大量的含重金属的工业废液。金属网导电膜技术的发展弥补了以上缺陷。金属网导电膜一般采用网格状设计且包括可视区和引线区，为保证可视区的透过率一般采用比较小的网格状设计，但是这样的网格线在引线区的导电能力不强。鉴于此，本专利技术通过改善导电薄膜以解决所存在的技术问题。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种导电薄膜以解决上述的技术问题。本专利技术的一个技术方案是：一种导电薄膜，其包括承载层及设置于所述承载层上的导电区和引线区，所述导电区设置有第一凹槽，所述第一凹槽内填充导电材料构成相互连通的导电网格，所述引线区设置有第二凹槽，所述第二凹槽内填充有导电材料形成电极引线，所述电极引线与所述导电网格电性连接，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。在其中一个实施例中，所述第二凹槽构成相互连通的网格。在其中一个实施例中，所述电极引线为非网格状。在其中一个实施例中，所述第二凹槽的宽度大于等于所述第一凹槽的宽度。在其中一个实施例中，所述第二凹槽的宽度大于所述第一凹槽的宽度，所述第二凹槽中填充的导电材料平均粒径大于所述第一凹槽中导电材料的平均粒径，所述第二凹槽填充至少两种及以上不同粒径大小的导电材料。在其中一个实施例中，所述第一凹槽和第二凹槽在所述导电区和引线区的交界处位于同一沟槽内，所述沟槽具有阶梯状的槽底。在其中一个实施例中，所述第二凹槽的深度大于所述承载层的厚度的一半。在其中一个实施例中，所述导电区包括彼此绝缘的若干导电通道，每个所述导电通道由导电网格电性连接至少一根所述电极引线。在其中一个实施例中，相邻的所述导电通道之间设有配色区，所述配色区设置有第三凹槽，所述第三凹槽内填充导电材料或不导电的材料形成配色网格，所述配色区与所述导电通道之间彼此绝缘。在其中一个实施例中，所述导电薄膜还包括基材层，所述承载层设置于所述基材层上，或者所述导电薄膜还包括位于所述基材层和承载层之间的粘合层。在其中一个实施例中，所述承载层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面和/或第二表面设置有导电区及引线区，或者，所述承载层有两层，每层所述承载层的第一表面或第二表面设置有导电区及引线区。本专利技术的有益效果：第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度，通过加深引线区第二凹槽的深度，单位面积内可填充更多的导电材料或两种以上不同粒径的导电材料，从而提高引线电极的导电能力。附图说明图1为本专利技术导电薄膜的剖面结构示意图；图2为本专利技术导电薄膜的平面示意图；图3为本专利技术导电薄膜的局部放大示意图；图4为本专利技术导电薄膜另一种局部放大示意图；图5为本专利技术导电薄膜另一剖面结构示意图；图6为本专利技术导电薄膜又一种剖面结构示意图；图7为本专利技术导电薄膜又一种剖面结构示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施方式。但是，本专利技术可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本专利技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本专利技术揭示一种导电薄膜，其包括承载层及设置于承载层上的导电区和引线区。导电区设置有第一凹槽，第一凹槽内填充导电材料构成相互连通的导电网格。引线区设置有第二凹槽，第二凹槽内填充有导电材料形成电极引线。电极引线与导电网格电性连接。第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度。通过加深引线区第二凹槽的深度，单位面积内可填充更多的导电材料或两种以上不同粒径的导电材料，从而提高引线电极的导电能力。导电薄膜包括数条绝缘设置的电极引线，每条电极引线内，第二凹槽构成相互连通的网格，第二凹槽内填充导电材料后构成相互连通的引线网格。引线网格与导电网格相比，第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度，从而使得引线网格具有较好的导电能力。另一种实施方式，电极引线为非网格状，优选的，一条电极引线为一条第二凹槽，第二凹槽的深度够深，第二凹槽填充成一条实线，即能保证导电性能，又取消了网格方式而使第二凹槽的成型工艺更加简单，良率更高。第二凹槽的宽度大于等于第一凹槽的宽度。第二凹槽为网格状时，第二凹槽的宽度可以等于第一凹槽的宽度，只是深度不一样，当然也可以为第二凹槽的宽度大于第一凹槽的宽度。第二凹槽为非网格状时，第二凹槽的宽度可以大于第一凹槽的宽度，如此，第二凹槽的深度和宽度都大于第一凹槽的深度和宽度，第二凹槽填充导电材料后成为实线，具有导电性能好，工艺简单，良率高的效果。第一凹槽以及第二凹槽所填充的导电材料选自石墨烯、导电碳、金属、金属氧化物等导电材料中的一种或几种。金属包括金、银、铜、铝、镍、锌或任意两者或两者以上的合金。当第二凹槽的宽度大于第一凹槽的宽度时，第二凹槽中填充的导电材料平均粒径可以大于第一凹槽中导电材料的平均粒径，且第二凹槽填充至少两种及以上不同粒径大小的导电材料。例如，所述第二凹槽中填充包含粒径大于800nm的导电材料及粒径小于400nm的导电材料，而第一凹槽中可能含有大粒径的导电材料，如果填充的导电材料的粒径更大由于第一凹槽的宽度影响可能不会填入第一凹槽中。如此，大小粒径配合的导电材料填充后能进一步增强电极引线的导电性能。优选的，第二凹槽的深度大于承载层的厚度的一半，例如，承载层的厚度为6μm，第一凹槽的深度为3μm，第二凹槽的深度为3.5μm、4μm或4.5μm等。以导电薄膜用于触摸屏为例，采集不同位置点的信号，导电区包括彼此绝缘的若干导电通道，每个导电通道由导电网格电性连接至少一根电极引线。电极引线将导电通道的信号引导外界设备上，这样使得能很好的采集信号的变化，其中每个导电通道上连接的电极引线是相互独立的。为了保证导电薄膜特别是透明导电薄膜表面整体的光学效果的一致性，相邻的导电通道之间设有配色区。配色区具有第三凹槽，第三凹槽内填充导电材料或不导电的材料形成配色网格。配色区与导电通道之间彼此绝缘。第三凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电薄膜，其特征在于，其包括承载层及设置于所述承载层上的导电区和引线区，所述导电区设置有第一凹槽，所述第一凹槽内填充导电材料构成相互连通的导电网格，所述引线区设置有第二凹槽，所述第二凹槽内填充有导电材料形成电极引线，所述电极引线与所述导电网格电性连接，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。

【技术特征摘要】
1.一种导电薄膜，其特征在于，其包括承载层及设置于所述承载层上的导电区和引线区，所述导电区设置有第一凹槽，所述第一凹槽内填充导电材料构成相互连通的导电网格，所述引线区设置有第二凹槽，所述第二凹槽内填充有导电材料形成电极引线，所述电极引线与所述导电网格电性连接，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述第二凹槽构成相互连通的网格。3.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述电极引线为非网格状。4.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述第二凹槽的宽度大于等于所述第一凹槽的宽度。5.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述第二凹槽的宽度大于所述第一凹槽的宽度，所述第二凹槽中填充的导电材料平均粒径大于所述第一凹槽中导电材料的平均粒径，所述第二凹槽填充至少两种及以上不同粒径大小的导电材料。6.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立冬，张晟，杨广舟，洪莘，
申请(专利权)人：昇印光电昆山股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32