存储器系统及其操作方法技术方案

本发明专利技术提供一种存储器系统及操作该存储器系统的方法。该存储器系统可包括：存储器装置，包括存储块，存储块包括多个串；以及存储器控制器，响应于从主机接收的写入请求，控制存储器装置对存储块执行编程操作，其中存储器装置在编程操作期间通过顺序地选择串来对多个串进行编程。

Memory system and its operation method

【技术实现步骤摘要】
存储器系统及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年2月6日提交的、申请号为10-2018-0014695的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本公开的各个实施例总体涉及一种存储器系统及操作该存储器系统的方法。特别地，实施例涉及一种能够在编程操作期间改善存储器单元的阈值电压分布的存储器系统及操作该存储器系统的方法。
技术介绍
计算机环境范例已经转变成使计算系统可随时随地使用的普适计算。因此，诸如移动电话、数码相机和膝上型计算机的便携式电子装置的使用已经迅速增加。通常，这种便携式电子装置使用采用存储器装置的存储器系统，换言之，使用数据存储装置。数据存储装置可用作便携式电子装置的主存储器装置或辅助存储器装置。因为不存在机械驱动部件，所以使用存储器装置的数据存储装置提供诸如出色的稳定性和耐用性、高信息访问速度和低功耗的优点。作为具有这些优点的存储器系统的示例，数据存储装置包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡和固态驱动器(SSD)。
技术实现思路
本公开的各个实施例涉及一种能够改善存储器单元的阈值电压分布的存储器系统及操作该存储器系统的方法。本公开的实施例可提供一种存储器系统。该存储器系统可包括:存储器装置，包括存储块,存储块包括多个串；以及存储器控制器，配置成响应于从主机接收的写入请求，控制存储器装置对存储块执行编程操作，其中存储器装置在编程操作期间通过顺序地选择串来对多个串进行编程。本公开的实施例可提供一种存储器系统。该存储器系统可包括：存储器装置，包括多个页面，每一个页面具有多个子页面；以及控制器，配置成控制存储器装置以：将数据编程到与多个页面中的第一页面的第一子页面联接的存储器单元中；将数据编程到与随后页面的第一子页面联接的存储器单元中，然后将数据编程到与多个页面中的前一页面的剩余子页面序列联接的存储器单元中；并且将数据编程到与多个页面中的最后页面的剩余子页面序列联接的存储器单元中，其中存储器装置包括多个串，每一个串联接到第一子页面和剩余子页面序列，并且其中存储器装置通过顺序地选择串来顺序地编程数据。本公开的实施例可提供一种操作存储器系统的方法。该方法可包括：通过从存储块的多个页面中选择第一页面来执行第一编程操作，通过从多个页面中选择第二页面来执行第一编程操作，通过选择第一页面来执行第二编程操作，通过从多个页面中选择第三页面来执行第一编程操作，并且通过选择第二页面来执行第二编程操作，其中第一编程操作被配置成顺序地选择包括在所选择的页面中的存储器单元并对所选择的存储器单元进行编程。本公开的实施例可提供一种操作存储器系统的方法。该方法可包括：通过从存储块的多个页面中选择第一页面来执行第一编程操作，通过从多个页面中选择第二页面来执行第一编程操作，通过选择第一页面来依次执行第二编程操作和第三编程操作，通过从多个页面中选择第三页面来执行第一编程操作，通过选择第二页面来依次执行第二编程操作和第三编程操作，并且通过从多个页面中选择第四页面来执行第一编程操作，其中第一编程操作被配置成顺序地选择包括在所选择的页面中的存储器单元并对所选择的存储器单元进行编程。附图说明图1是示出根据本公开的实施例的存储器系统的示图。图2是示出图1的存储器装置的示图。图3是示出图2的存储块的示图。图4是示出具有三维(3D)结构的存储块的示例的示图。图5是示出具有3D结构的存储块的示例的示图。图6是示出根据本公开的实施例的存储器系统的编程操作的流程图。图7是示出根据本公开的实施例的编程操作的序列的示图。图8是示出第一编程操作之后存储器单元的保持特性的示图。图9是说明根据本公开的实施例的存储器系统的编程操作的阈值电压分布图。图10是示出根据本公开的实施例的存储器系统的编程操作的流程图。图11是示出根据本公开的实施例的编程操作的序列的示图。图12是示出包括图2的存储器装置的存储器系统的实施例的示图。图13是示出包括图2的存储器装置的存储器系统的实施例的示图。图14是示出包括图2的存储器装置的存储器系统的实施例的示图。图15是示出包括图2的存储器装置的存储器系统的实施例的示图。具体实施方式将参考随后结合附图描述的实施例更详细地描述本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法。本公开不限于以下实施例，而是可以其它形式实施。相反地，提供这些实施例以便使本公开彻底且充分，并且将本公开的技术实质全面地传达给本领域技术人员。在整个公开中，相同的附图标记在整个本专利技术的各个附图和实施例中表示相同的部件。注意的是，对“实施例”的参考不一定仅针对一个实施例，并且对“实施例”的不同参考不一定针对相同的实施例。附图不一定按比例绘制，在一些情况下，为了清楚地示出实施例的特征，可能夸大了比例。本文使用术语的目的仅是描述特定实施例而不旨在限制本专利技术。如本文所使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式也可包括复数形式，反之亦然。还应注意的是，在本说明书中，“连接/联接”不仅指一个部件直接地联接另一部件，而且还指通过中间部件间接地联接另一部件。在说明书中，除非上下文另有明确表示，否则当元件被称为“包括”或“包含”部件时，并不排除其它部件，而是可进一步包括其它部件。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。图1是示出根据本公开的实施例的存储器系统的示图。参照图1，存储器系统1000可包括用于存储数据的存储器装置1100和用于在主机2000的控制下控制存储器装置1100的存储器控制器1200。主机2000可使用诸如以下的接口协议与存储器系统1000进行通信：高速外围组件互连(PCI-E)、高级技术附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)或串列SCSI(SAS)。另外，被提供用于主机2000与存储器系统1000之间的数据通信的接口协议不限于上述示例，并且可以是诸如通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、增强型小型磁盘接口(ESDI)或电子集成驱动器(IDE)的接口协议。存储器控制器1200可控制存储器系统1000的全部操作，并且可控制主机2000与存储器装置1100之间的数据交换。例如，存储器控制器1200可响应于来自主机2000的请求，通过控制存储器装置1100来编程或读取数据。进一步地，存储器控制器1200可存储包括在存储器装置1100中的主存储块和存储块的信息，并且可选择存储器装置1100，使得根据为编程操作而加载的数据量而对主存储块或存储块执行编程操作。在实施例中，存储器装置1100的非限制性示例可包括双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM)、低功率双倍数据速率第四代(LPDDR4)SDRAM、图形双倍数据速率SDRAM(GDDRSDRAM)、低功率DDR(LPDDR)SDRAM、Rambus动态随机存取存储器(RDRAM)或闪速存储器。存储器控制器1200可包括编程序列控制器1210。编程序列控制器1210可为包括在存储块中的多个串设置编程序列，该存储块从包括在存储器装置1100中的多个存储块中选择，并且当从主机2000接收到写入请求时，将对该存储块执行编程操作。例如，编程序列控制器1210可设置编程序列，使得包括在所选择的存储块中的多个串被顺序本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器系统，包括：存储器装置，包括存储块，所述存储块包括多个串；以及存储器控制器，响应于从主机接收的写入请求，控制所述存储器装置对所述存储块执行编程操作，其中所述存储器装置在所述编程操作期间通过顺序地选择串来对所述多个串进行编程。

【技术特征摘要】
2018.02.06 KR 10-2018-00146951.一种存储器系统，包括：存储器装置，包括存储块，所述存储块包括多个串；以及存储器控制器，响应于从主机接收的写入请求，控制所述存储器装置对所述存储块执行编程操作，其中所述存储器装置在所述编程操作期间通过顺序地选择串来对所述多个串进行编程。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器装置进一步包括：外围电路，对所述存储块执行所述编程操作；以及控制逻辑，响应于从所述存储器控制器输出的命令和地址来控制所述外围电路。3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中所述外围电路包括：电压生成电路，响应于从所述控制逻辑输出的操作信号来生成操作电压；行解码器，响应于行地址来将所述操作电压传送到所述存储块的字线；以及页面缓冲器组，包括多个页面缓冲器，其中所述页面缓冲器组响应于从所述控制逻辑输出的页面缓冲器控制信号，基于在所述编程操作中待被编程的数据来控制所述存储块的位线的电位电平。4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述多个页面缓冲器在所述编程操作期间被顺序地激活，并且所述多个页面缓冲器中被激活的页面缓冲器基于待被编程的数据来控制所述位线中对应位线的电位电平。5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述多个页面缓冲器中被去激活的剩余页面缓冲器将编程禁止电压施加到对应位线。6.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储块包括多个页面。7.根据权利要求6所述的存储器系统，其中在所述编程操作期间，所述存储器装置执行编程最低有效位数据即LSB数据的第一编程操作和编程最高有效位数据即MSB数据的第二编程操作。8.根据权利要求7所述的存储器系统，其中所述存储器装置：执行所述第一编程操作，使得在通过顺序地选择包括在所述多个页面的第一页面中的存储器单元来执行所述第一编程操作之后，通过顺序地选择包括在所述多个页面的第二页面中的存储器单元来执行所述第一编程操作，并且在所述第一编程操作之后通过顺序地选择包括在所述第一页面中的存储器单元来执行所述第二编程操作。9.根据权利要求6所述的存储器系统，其中在所述编程操作期间，所述存储器装置执行编程最低有效位数据即LSB数据的第一编程操作、编程中央有效位数据即CSB数据的第二编程操作以及编程最高有效位数据即MSB数据的第三编程操作。10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中所述存储器装置：执行所述第一编程操作，使得在通过顺序地选择包括在所述多个页面的第一页面中的存储器单元来执行所述第一编程操作之后，通过顺序地选择包括在所述多个页面的第二页面中的存储器单元来执行所述第一编程操作，在所述第一编程操作之后通过顺序地选择包括在所述第一页面中的存储器单元来执行所述第二编程操作，并且在所述第二编程操作之后通过顺序地选择包括在所述第一页面中的存储器单元来执行所述第三编程操作。11.根据权利要求10所述的存储器系统，其中在对所述第一页面执行所述第三编程操作之后，所述存储器装置：通过顺序地选择包括在所述多个页面的第三页面中的存储器单元来执行所述第一编程操作，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李熙烈，权景喆，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR