一种阵列基板、其制备方法及显示面板技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开一种阵列基板、其制备方法及显示面板，阵列基板包括：阵列基板包括衬底，其中：衬底与电容区相对的部位设有用于形成薄膜晶体管的栅极、有源层、源漏极；源漏极与衬底之间形成有至少两层介质层，其中至少一层介质层与电容区相对的部分的厚度大于与RGB显示区相对的部分的厚度；源漏极背离衬底一侧依次设有钝化层和平坦化层，钝化层和平坦化层与电容区相对的部分的厚度大于与RGB显示区相对的部分的厚度。上述阵列基板，通过使介质层与电容区相对的部位的厚度大于与RGB显示区相对的部位的厚度，可避免在制作阳极与源漏极连接的过孔时，光刻胶曝光时间过长或者平坦化层被损伤的情况。

An array substrate, its preparation method and display panel

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、其制备方法及显示面板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、其制备方法及显示面板。
技术介绍
近些年，自发光器件正得到迅猛发展，OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)因其容易实现高色域、高对比度和柔性显示，正受到和面板厂商的青睐；microLED(microLight-EmittingDiode，微发光二极管)作为下一代最受欢迎的显示技术，各厂家也在加紧研发。对于OLED和microLed类型的自发光器件，因其自发光特性，常容易被制成底发射面板，即发光器件发出的光穿过阵列基板发出，以显示画面信息。但是，由于底发射显示面板中，通常将色阻层设置于阵列基板中的钝化层背离衬底的一侧，导致钝化层表面的平坦化层较厚，在平坦化层背离衬底的一侧形成阳极时，阳极通过贯穿钝化层和平坦化层的过孔与源极连接。过厚的平坦化层容易导致以下问题，在平坦化层和钝化层形成供阳极穿过的过孔时，较为费力，例如，当使用光刻、刻蚀形成过孔时，光刻胶需要加厚，曝光时间加长，浪费光刻胶，但若光刻胶厚度不够，在过孔打通时，光刻胶已被损耗完，导致平坦化层表面粗糙，最终影响其上的阳极发生晶化，阳极功函数发生变化，发光层也会变形，最终导致显示面板发光质量差。
技术实现思路
本专利技术公开了一种阵列基板、其制备方法及显示面板，用于缓解因底发射结构导致的平坦化层较厚，并最终导致成本过高或者影响显示面板发光质量的技术问题。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种阵列基板，包括：所述阵列基板包括电容区和显示区，所述显示区包括RGB显示区，所述阵列基板包括衬底，其中：所述衬底与所述电容区相对的部位设有用于形成薄膜晶体管的栅极、有源层、源漏极；所述源漏极与所述衬底之间形成有至少两层介质层，其中至少一层所述介质层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；源漏极背离所述衬底一侧依次设有钝化层和平坦化层，所述钝化层和平坦化层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；在与所述RGB显示区的部分，所述钝化层背离所述衬底的一侧设有RGB色阻。在上述阵列基板中，在与RGB显示区的部分，钝化层背离所述衬底的一侧设有RGB色阻，导致平坦化层过厚，而源漏极与衬底之间形成有至少两层介质层，这些介质层如有源层、层间介质层和栅绝缘层等，至少一层介质层与电容区相对的部分的厚度大于与RGB显示区相对的部分的厚度，导致源漏极更加远离衬底，也就更加靠近平坦化层背离衬底的侧面，因此，述钝化层和平坦化层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度，进而，当采用光刻、刻蚀等方法在平坦化层和钝化层形成用于使平坦化层表面的阳极与源极连接的过孔时，所需穿过的距离就缩短，只需在平坦化层表面沉积较薄的光刻胶即可完成过孔刻蚀，即不会延长曝光时间，浪费光刻胶，也不会导致平坦化层损伤影响发光质量。优选地，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；其中，其中一层所述介质层包括形成于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，其中一层所述介质层包括位于所述栅极与所述有源层之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，其中一层所述介质层包括位于所述源漏极和所述有源层之间的层间介质层，所述层间介质层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。优选地，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；其中，其中一层所述介质层包括形成于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，其中一层所述介质层包括位于所述栅极与所述有源层之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。优选地，所述显示区还包括W显示区，钝化层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，至少一层所述介质层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。优选地，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；其中，所述介质层包括形成于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，所述介质层包括位于所述有源层与所述栅极之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，所述介质层包括位于所述源漏极和所述有源层之间的层间介质层，所述层间介质层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。优选地，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；其中，所述介质层包括形成于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，所述介质层包括位于所述有源层与所述栅极之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。一种上述技术方案所述的阵列基板的制备方法，包括：在衬底与电容区相对的部位形成用于形成薄膜晶体管的栅极、有源层、源漏极；其中，所述源漏极与所述衬底之间形成有至少两层介质层，至少一层所述介质层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；源漏极背离所述衬底一侧依次形成钝化层和平坦化层，其中，所述源漏极与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；在与所述RGB显示区的部分，所述钝化层背离所述衬底的一侧设有RGB色阻。与现有技术相比，所述的阵列基板的制备方法与所述的阵列基板所具有的优势相同。优选地，在所述衬底上依次形成缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、层间介质层、源漏极、钝化层和平坦化层，其中，所述有源层、栅绝缘层、栅极、层间介质层和源漏极与所述电容区相对、并形成顶栅型薄膜晶体管；其中，所述缓冲层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，所述栅绝缘层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，所述层间介质层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。优选地，在所述衬底上依次形成缓冲层、栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极、钝化层和平坦化层，其中，所述有源层、栅绝缘层、栅极和源漏极与所述电容区相对、并形成底栅型薄膜晶体管；所述缓冲层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，所述栅绝缘层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。优选地，当所述缓冲层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度时，所述缓冲层的形成过程包括：在所述衬底沉积有机硅玻璃溶液；前烘；采用构图工艺形成所述缓冲层的图案，以使所述缓冲层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；后烘，将缓冲层形成致密SiOx。优选地，所述缓冲层与所述电容区相对的部分的厚度为所述缓冲层与所述RGB显示区相对的部分的厚度的一半。优选地，所述显示区还包括W显示区，钝化层与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：所述阵列基板包括电容区和显示区，所述显示区包括RGB显示区，所述阵列基板包括衬底，其中：所述衬底与所述电容区相对的部位设有用于形成薄膜晶体管的栅极、有源层、源漏极；所述源漏极与所述衬底之间形成有至少两层介质层，其中至少一层所述介质层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；源漏极背离所述衬底一侧依次设有钝化层和平坦化层，所述钝化层和平坦化层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；在与所述RGB显示区的部分，所述钝化层背离所述衬底的一侧设有RGB色阻。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：所述阵列基板包括电容区和显示区，所述显示区包括RGB显示区，所述阵列基板包括衬底，其中：所述衬底与所述电容区相对的部位设有用于形成薄膜晶体管的栅极、有源层、源漏极；所述源漏极与所述衬底之间形成有至少两层介质层，其中至少一层所述介质层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；源漏极背离所述衬底一侧依次设有钝化层和平坦化层，所述钝化层和平坦化层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；在与所述RGB显示区的部分，所述钝化层背离所述衬底的一侧设有RGB色阻。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；其中，其中一层所述介质层包括形成于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，其中一层所述介质层包括位于所述栅极与所述有源层之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，其中一层所述介质层包括位于所述源漏极和所述有源层之间的层间介质层，所述层间介质层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；其中，其中一层所述介质层包括形成于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，其中一层所述介质层包括位于所述栅极与所述有源层之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区还包括W显示区，钝化层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，至少一层所述介质层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；其中，所述介质层包括形成于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，所述介质层包括位于所述有源层与所述栅极之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，所述介质层包括位于所述源漏极和所述有源层之间的层间介质层，所述层间介质层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；其中，所述介质层包括形成于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，底栅结构TFT没有缓冲层，介质层有栅绝缘层、刻蚀阻挡层、钝化层所述介质层包括位于所述有源层与所述栅极之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。7.一种权利要求1-6任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底与电容区相对的部位形成用于形成薄膜晶体管的栅极、有源层、源漏极；其中，所述源漏极与所述衬底之间形成有至少两层介质层，至少一层所述介质层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相...

【专利技术属性】
技术研发人员：方金钢，丁录科，刘军，周斌，成军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11