一种等离子体耦合吸附VOCs的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公布了一种等离子体耦合吸附VOCs的装置，包括净化吸附筒体、进气管和出气管，等离子体放电部的下方设有半导体吸附筒，半导体吸附筒通过螺栓组件固定在净化吸附筒体的内部左右侧面，半导体吸附筒的内部填充半导体耦合吸附颗粒。本实用新型专利技术在半导体吸附筒的外壁面设有蜂窝孔，并且半导体吸附筒的内部填充半导体耦合吸附颗粒，半导体耦合吸附颗粒为氧化铝或者二氧化钛半导体，能够有效地吸附VOCs，从而等离子体放电部在进行电离降解时能够电离充分，无需二次回流电离降解，解决了现有技术的等离子体吸附VOCs的装置在进入等离子降解装置后无法稳定停留，导致需要多次流通降解，降解速率较慢的技术问题。

A plasma coupled adsorption device for VOCs

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体耦合吸附VOCs的装置
本技术属于等离子净化装置
，具体涉及一种等离子体耦合吸附VOCs的装置。
技术介绍
等离子体降解VOCs技术及相关概念等离子体是不同于固、液、气等状态的物质存在的第四种状态，其中含有离子、电子、激发态原子或分子、自由基等物种，由于在一定的空间范围内气体中的正、负电荷相等，故称之为等离子体。它是由大量正负带电粒子和中性粒子组成并表现出集体行为的一种准中性气体，其主要特征是：粒子间存在长程库伦相互作用；等离子体的运动与电磁场的运动紧密相耦合；存在极其丰富的集体效应和集体运动模式。从总体上看整个气体能量基本不受影响，体系可维持在较低温度，能量消耗维持在最低限度。因此在化学和环境保护中应用非常有利，利用高能电子辐射化学技术，将挥发性有机化合物的结构破坏，并转化为其他易回收的形式或无害的物质，这就是等离子体降解VOCs技术。现有技术的等离子体吸附VOCs的装置在电离降解的过程中，由于废气流通速率过快，在进入等离子降解装置后无法稳定停留，导致需要多次流通降解，降解速率较慢。
技术实现思路
（1）技术方案为了克服现有技术不足，本技术提供一种等离子体耦合吸附VOCs的装置，包括净化吸附筒体、进气管和出气管，所述净化吸附筒体的左侧壁面固定连接所述进气管，所述净化吸附筒体的右侧壁面固定连接所述出气管，所述净化吸附筒体的底面设有与其固定连接的脚座，所述净化吸附筒体为立方体结构，所述净化吸附筒体的内部上方设有第一等离子体放电部，所述第一等离子体放电部包括第一放电空心板、第一放电板、第一放电锥尖头和第一通气板，所述第一放电空心板的两端设有绝缘安装座，所述第一放电空心板的内部通过所述绝缘安装固定所述第一放电板，所述第一放电板的顶面和底面固定所述第一放电锥尖头，所述第一放电空心板的底面固定所述第一通气板，所述第一通气板的底面设有通气孔，所述第一等离子体放电部的下方设有第一半导体吸附筒，所述第一半导体吸附筒通过螺栓组件固定在所述净化吸附筒体的内部左右侧面，并且所述第一半导体吸附筒的外壁面设有蜂窝孔，所述第一半导体吸附筒的内部填充第一半导体耦合吸附颗粒。进一步地，所述净化吸附筒体的内部下方设有第二等离子体放电部，所述第二等离子体放电部和所述第一等离子体放电部的结构相同。进一步地，所述第二等离子体放电部的下方设有第二半导体吸附筒，并且所述第一半导体吸附筒的外壁面设有蜂窝孔，所述第二半导体吸附筒的内部填充第二半导体耦合吸附颗粒。进一步地，所述出气管上设有手动插板阀。本技术的工作原理：首先从进气管通入VOCs，由于第一半导体吸附筒的外壁面设有蜂窝孔，并且第一半导体吸附筒的内部填充第一半导体耦合吸附颗粒，第一半导体耦合吸附颗粒为氧化铝或者二氧化钛半导体，能够有效地吸附VOCs，从而第一等离子体放电部在进行电离降解时能够电离充分，无需二次回流电离降解，最后从出气管流出。（2）有益效果本技术的有益效果：相比于现有技术，本技术在半导体吸附筒的外壁面设有蜂窝孔，并且半导体吸附筒的内部填充半导体耦合吸附颗粒，半导体耦合吸附颗粒为氧化铝或者二氧化钛半导体，能够有效地吸附VOCs，从而等离子体放电部在进行电离降解时能够电离充分，无需二次回流电离降解，解决了现有技术的等离子体吸附VOCs的装置在进入等离子降解装置后无法稳定停留，导致需要多次流通降解，降解速率较慢的技术问题。附图说明图1是等离子体耦合吸附VOCs的装置的结构示意图；图2是第一放电板的立体结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步的说明。实施例一如图1~2所示，本实施案例提供一种等离子体耦合吸附VOCs的装置，包括净化吸附筒体1、进气管11和出气管12，所述净化吸附筒体1的左侧壁面固定连接所述进气管11，所述净化吸附筒体1的右侧壁面固定连接所述出气管12，所述净化吸附筒体1的底面设有与其固定连接的脚座13，所述净化吸附筒体1为立方体结构，所述净化吸附筒体1的内部上方设有第一等离子体放电部2，所述第一等离子体放电部2包括第一放电空心板21、第一放电板22、第一放电锥尖头23和第一通气板24，所述第一放电空心板21的两端设有绝缘安装座，所述第一放电空心板21的内部通过所述绝缘安装固定所述第一放电板22，所述第一放电板22的顶面和底面固定所述第一放电锥尖头23，所述第一放电空心板21的底面固定所述第一通气板24，所述第一通气板24的底面设有通气孔，所述第一等离子体放电部2的下方设有第一半导体吸附筒4，所述第一半导体吸附筒4通过螺栓组件41固定在所述净化吸附筒体1的内部左右侧面，并且所述第一半导体吸附筒4的外壁面设有蜂窝孔，所述第一半导体吸附筒4的内部填充第一半导体耦合吸附颗粒42。在本实施例中，所述净化吸附筒体1的内部下方设有第二等离子体放电部3，所述第二等离子体放电部3和所述第一等离子体放电部2的结构相同，所述第二等离子体放电部3的下方设有第二半导体吸附筒5，并且所述第一半导体吸附筒5的外壁面设有蜂窝孔，所述第二半导体吸附筒5的内部填充第二半导体耦合吸附颗粒52，所述出气管12上设有手动插板阀14。在实际工作中，首先从进气管11通入VOCs，由于第一半导体吸附筒4的外壁面设有蜂窝孔，并且第一半导体吸附筒4的内部填充第一半导体耦合吸附颗粒42，第一半导体耦合吸附颗粒42为氧化铝或者二氧化钛半导体，能够有效地吸附VOCs，从而第一等离子体放电部2在进行电离降解时能够电离充分，无需二次回流电离降解，提高降解速率。以上所述实施例仅表达了本技术的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形、改进及替代，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体耦合吸附VOCs的装置，包括净化吸附筒体（1）、进气管（11）和出气管（12），所述净化吸附筒体（1）的左侧壁面固定连接所述进气管（11），所述净化吸附筒体（1）的右侧壁面固定连接所述出气管（12），所述净化吸附筒体（1）的底面设有与其固定连接的脚座（13），其特征在于，所述净化吸附筒体（1）为立方体结构，所述净化吸附筒体（1）的内部上方设有第一等离子体放电部（2），所述第一等离子体放电部（2）包括第一放电空心板（21）、第一放电板（22）、第一放电锥尖头（23）和第一通气板（24），所述第一放电空心板（21）的两端设有绝缘安装座，所述第一放电空心板（21）的内部通过所述绝缘安装座固定所述第一放电板（22），所述第一放电板（22）的顶面和底面固定所述第一放电锥尖头（23），所述第一放电空心板（21）的底面固定所述第一通气板（24），所述第一通气板（24）的底面设有通气孔，所述第一等离子体放电部（2）的下方设有第一半导体吸附筒（4），所述第一半导体吸附筒（4）通过螺栓组件（41）固定在所述净化吸附筒体（1）的内部左右侧面，并且所述第一半导体吸附筒（4）的外壁面设有蜂窝孔，所述第一半导体吸附筒（4）的内部填充第一半导体耦合吸附颗粒（42）。...

【技术特征摘要】
1.一种等离子体耦合吸附VOCs的装置，包括净化吸附筒体（1）、进气管（11）和出气管（12），所述净化吸附筒体（1）的左侧壁面固定连接所述进气管（11），所述净化吸附筒体（1）的右侧壁面固定连接所述出气管（12），所述净化吸附筒体（1）的底面设有与其固定连接的脚座（13），其特征在于，所述净化吸附筒体（1）为立方体结构，所述净化吸附筒体（1）的内部上方设有第一等离子体放电部（2），所述第一等离子体放电部（2）包括第一放电空心板（21）、第一放电板（22）、第一放电锥尖头（23）和第一通气板（24），所述第一放电空心板（21）的两端设有绝缘安装座，所述第一放电空心板（21）的内部通过所述绝缘安装座固定所述第一放电板（22），所述第一放电板（22）的顶面和底面固定所述第一放电锥尖头（23），所述第一放电空心板（21）的底面固定所述第一通气板（24），所述第一通气板（24）的底面设有通气孔，所述第一等离子体放电部...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘华刚，
申请(专利权)人：福州美美环保科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35