一种降低电磁干扰的PCB布局结构制造技术

本发明专利技术公开了一种降低电磁干扰的PCB布局结构，包括基板、布线层和场效应晶体管，基板包括第一板层，布线层包括第一布线层，第一布线层的铜箔上设置有电感，第一布线层设置在第一表面上，第一布线层上还设置有多个场效应晶体管，场效应晶体管的栅极和漏极两者引线成差分对布线规则且两者于PCB上通孔以最短距离相邻，高边场效应晶体管输入电压端与低边场效应晶体管接地端经过第二电容相连接，第二电容需紧邻于场效应晶体管；输出电压通过第一电容与接地连接；在第一布线层上的电感区域，下方须铺上接地层防止重要讯号现通过，本发明专利技术可以解决现有技术中充电磁干扰问题，也不需要增加多余电子元器件，节约了生产成本，同时提高了生产效率。

A PCB Layout Structure for Reducing Electromagnetic Interference

【技术实现步骤摘要】
一种降低电磁干扰的PCB布局结构
本专利技术涉及DC-DC
，特别涉及一种降低电磁干扰的PCB布局结构。
技术介绍
随着电气时代的发展，人类生活环境中各种电磁波源越来越多，例如无线电广播、电视、微波通信；家庭用的电器；输电线路的工频电磁场；高频电磁场等。当这些电磁场的强度超过一定限度、作用时间足够长时，就可能危及人体健康；同时还会干扰其他电子设备和通信。对此，都需要进行防护。对电子产品开发，生产、使用过程中常常提出电磁干扰、屏蔽等概念。电子产品正常运行时其核心是电路板及其安装在上面的元器件、零部件等之间的一个协调工作过程。要提高电子产品的性能指标减少电磁干扰的影响是非常重要的；随着电子系统的复杂度越来越高，EMI问题也越来越多。为了使自己的产品能达到相关国际标准，设计人员不得不往返于办公室和EMC实验室，反复地测试、修改设计、再测试。这样既浪费了人力，物力，也拖延了产品的上市时间，给企业带来不可估量的损失。于是，如何在产品设计的阶段就及时发现EMI问题变得重要。PCB布局、布线以及电源层的处理对整个电路板的EMI问题有着非常重要的影响。由于现阶段许多电子产品需求法规认证,场效应晶体管摆设不当很容易造成电子产品的标准认证不通过,现有技术中，主要是通过板边镀铜增加接地面积的方法，来减低电磁干扰的。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术公开了一种降低电磁干扰的PCB布局结构，包括基板、布线层和场效应晶体管，所述基板包括第一板层，所述布线层包括第一布线层，所述第一布线层的铜箔上设置有电感，所述第一布线层设置在所述第一板层的第一表面上，所述第一布线层上还设置有多个场效应晶体管；所述场效应晶体管一端分别与输入电压和接地线连接，所述场效应晶体管另一端的引线与所述电感连接；所述电感与输出电压连接，所述输出电压116通过第一电容与所述接地线连接，第一电容与第二电容接地方向为同侧，所述输入电压与所述接地线通过第二电容连接，并紧邻于所述场效应晶体管。进一步地，所述多个场效应晶体管为N沟道增强型晶体管。进一步地，所述多个场效应晶体管栅极的引线与所述场效应晶体管漏极的引线间距等于5mil。进一步地，所述多个场效应晶体管高低边场效应晶体反向排列。进一步地，所述多个场效应晶体管栅极和漏极的引线与所述电感的引线的宽度不小于20mil。进一步地，所述第一电容和所述第二电容接地方向为同侧。进一步地，所述场效应晶体为两个。进一步地，所述场效应晶体管漏极与所述电感路径中所产生的过孔需与其他引线或是其他电源层的距离均大于40mil。进一步地，所述第二电容的电容量为0.1uF。实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：1、本专利技术通过电子元器件合理的布局，减少电磁干扰；2、本专利技术不需要增加多余电子元器件，节约了生产成本，同时提高了生产效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。图1为本专利技术的PCB板的结构图；图2为本专利技术的电子元件在PCB板同一面的摆放位置图；图3为本专利技术的电子元件在PCB板不同一面的摆放位置图；图4为四个场效应晶体管同一面的摆放位置图；图5为本专利技术的场效应晶体管与电感的连接电路；图6为四个场效应晶体管不同一面的摆放位置图。其中，图中附图标记对应为：1-第一板层；2-第二板层；3-第一布线层；4-第二布线层；11-第一表面；12-第二表面；111-电感；112-场效应晶体管；113-第一电容；114-第二电容；115-输入电压；116-输出电压；117-接地线；1111-场效应晶体管漏极的引线；1121-场效应晶体管栅极的引线。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1参见附图1～图5，本实施例提供了一种降低电磁干扰的PCB布局结构，包括基板、布线层和场效应晶体管112，所述基板包括第一板层1，所述布线层包括第一布线层3，所述第一布线层3的铜箔上设置有电感111，所述第一布线层3设置在所述第一板层1的第一表面11上，所述第一布线层3上还设置有多个场效应晶体管112；所述场效应晶体管112一端分别与输入电压115和接地线117连接，所述场效应晶体管112另一端的引线与所述电感111连接；所述电感111与输出电压116连接，所述输出电压116通过第一电容113与所述接地线117连接，第一电容与第二电容接地方向为同侧，所述输入电压115与所述接地线117通过第二电容114连接，并紧邻于所述场效应晶体管112。电磁干扰主要产生的原因为大量电流瞬间切换，而DC-DC降压容易引发电磁干扰，尤其是对EMI防治较弱的电子零件，可以使用提供的摆设方式来降低电磁干扰；DC-DC降压电路使用2个场效应晶体管112，所述DC-DC降压电路用于将直流电压降低，本实施例为小于15A电流的摆设方式。具体地，所述电感111、所述第一电容113、所述第二电容114和所述多个场效应晶体管112设置在同一面，为最佳摆设，可减少PCB通孔，借此降低电磁干扰。优选地，所述多个场效应晶体管112为N沟道增强型晶体管，所述多个场效应晶体管112高低边场效应晶体反向排列。具体地，所述场效应晶体112为两个，所述场效应晶体112设置在所述第一布线层3上，其中一个场效应晶体112的一端与输入电压115连接，另一个场效应晶体112的一端与接地线117连接。优选地，所述多个场效应晶体管112栅极的引线与所述场效应晶体管漏极的引线间距等于5mil，成差分对布线规则，降低电磁干扰。优选地，PCB板上的场效应晶体管漏极与电感路径中所产生的过孔，需与其他引线或是其他电源层等，距离均大于40mil。优选地，所述多个场效应晶体管112栅极的引线1121与场效应晶体管漏极1111的引线宽度不小于20mil。优选地，所述第一电容113和所述第二电容114接地方向为同侧此例为右侧，所述第二电容114并紧邻于场效应晶体管。优选地，PCB板结构图中所述电感111正下方板层可铺上所述接地层117防止重要的引线通过。具体地，重要的元器件都设置在所述第一板层1，减少过孔数量，从而降低电磁干扰。实施例2参见附图1～图5，本实施例提供了一种降低电磁干扰的PCB布局结构，包括基板、布线层和场效应晶体管112，所述基板包括第一板层1，所述布线层包括第一布线层3，所述第一布线层3的铜箔上设置有电感111，所述第一布线层3设置在所述第一板层1的第一表面11上，所述第一布线层3上还设置有多个场效应晶体管112；所述场效应晶体管112一端分别与输入电压115和接地线117连接，所述场效应晶体管112另一端的引线与所述电感111连接；所述电感111与输出电压116连接，所述输出电压116通过第一电容113与所述接地线117连接，第一电容与第二电容接地方向为同侧，所述输入电压115与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低电磁干扰的PCB布局结构，其特征在于，包括基板、布线层和场效应晶体管(112)，所述基板包括第一板层(1)，所述布线层包括第一布线层(3)，所述第一布线层(3)的铜箔上设置有电感(111)，所述第一布线层(3)设置在所述第一板层(1)的第一表面(11)上，所述第一布线层(3)上还设置有多个场效应晶体管(112)；所述场效应晶体管(112)一端分别与输入电压(115)和接地线(117)连接，所述场效应晶体管(112)另一端与所述电感(111)连接；所述电感(111)与输出电压(116)连接，所述输出电压(116)通过第一电容(113)与所述接地线(117)连接，接地方向与第二电容(114)接地方向同侧，所述输入电压(115)与所述接地线(117)通过第二电容(114)连接，并紧邻于所述场效应晶体管(112)。

【技术特征摘要】
1.一种降低电磁干扰的PCB布局结构，其特征在于，包括基板、布线层和场效应晶体管(112)，所述基板包括第一板层(1)，所述布线层包括第一布线层(3)，所述第一布线层(3)的铜箔上设置有电感(111)，所述第一布线层(3)设置在所述第一板层(1)的第一表面(11)上，所述第一布线层(3)上还设置有多个场效应晶体管(112)；所述场效应晶体管(112)一端分别与输入电压(115)和接地线(117)连接，所述场效应晶体管(112)另一端与所述电感(111)连接；所述电感(111)与输出电压(116)连接，所述输出电压(116)通过第一电容(113)与所述接地线(117)连接，接地方向与第二电容(114)接地方向同侧，所述输入电压(115)与所述接地线(117)通过第二电容(114)连接，并紧邻于所述场效应晶体管(112)。2.根据权利要求1所述的一种降低电磁干扰的PCB布局结构，其特征在于，所述多个场效应晶体管(112)为N沟道增强型晶体管。3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宥纶，
申请(专利权)人：厦门佐之记商贸有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35