半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术是一种半导体装置。半导体装置具备第一半导体元件、与第一半导体元件连接的第一散热板、一体地保持第一半导体元件和第一散热板的密封体、以及与第一半导体元件电连接并且从密封体突出的第一端子。第一散热板具有绝缘基板、内侧导体层和外侧导体层。所述外侧导体层在密封体的第一主表面露出。第一端子从密封体的与第一主表面相邻的第一侧面突出。在密封体的第一主表面，在位于外侧导体层与第一侧面之间的范围内，设置有在沿着第一侧面的方向上延伸的至少一个第一槽。

Semiconductor Device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
日本特开2012-146760公开了一种半导体装置。该半导体装置具备半导体元件、与半导体元件连接的散热板、一体地保持半导体元件和散热板的密封体、以及与半导体元件电连接并且从密封体突出的端子。散热板具有绝缘基板、位于绝缘基板的一侧并且与半导体元件电连接的内侧导体层、以及位于绝缘基板的另一侧的外侧导体层。所述外侧导体层在密封体的主表面露出。端子从密封体的与主表面相邻的侧面突出。
技术实现思路
一般而言，上述半导体装置与冷却器一起组装于半导体组件，且与散热板相邻地配置冷却器。为了在这样的半导体组件中得到更有效的冷却特性，优选使散热板与相邻的冷却器没有间隙地相邻。为此，优选的是，使供散热板露出的密封体的主表面具有优异的平面度。然而，具有绝缘基板的散热板的线膨胀系数较小，相对于此，保持散热板的密封体的线膨胀系数较大。因此，例如在将密封体成形的工序中的温度变化中，在散热板与密封体之间会产生不均匀的热膨胀，伴随于此，有时会在半导体装置整体产生翘曲变形。在这样的情况下，也可以考虑通过在密封体的成形后对密封体的主表面进行切削加工，从而提高主表面的平面度。然而，即使在半导体装置的制造时对密封体的主表面进行切削加工，也无法避免在半导体装置的使用时产生的翘曲变形。因此，本专利技术提供能够抑制产生翘曲变形的半导体装置。本专利技术的方案的半导体装置具备：第一半导体元件；第一散热板，其与第一半导体元件连接；密封体，其一体地保持第一半导体元件和第一散热板；以及第一端子，其与第一半导体元件电连接，并且从所述密封体突出。第一散热板具有：第一绝缘基板；第一内侧导体层，其位于第一绝缘基板的一侧，并且与第一半导体元件电连接；以及第一外侧导体层，其位于第一绝缘基板的另一侧。所述第一外侧导体层在密封体的第一主表面露出。第一端子从密封体的与第一主表面相邻的第一侧面突出。在密封体的第一主表面，在位于第一外侧导体层与第一侧面之间的范围内，设置有在沿着第一侧面的方向上延伸的至少一个第一槽。在上述半导体装置中，从密封体的第一侧面突出的第一端子在密封体的内部朝向第一散热板延伸。由于在该第一端子延伸的范围内不存在第一散热板，且该范围的大部分由密封体构成，所以与存在第一散热板的其他范围相比，伴随着温度变化的变形量较大。关于这一点，在上述半导体装置中的密封体的第一主表面，在位于第一外侧导体层与第一侧面之间的范围内，设置有在沿着第一侧面的方向上延伸的至少一个第一槽。根据这样的结构，在前述第一端子延伸的范围内，热变形、伴随着热变形的热应力被设置于第一主表面的第一槽降低。由此，能够抑制在半导体装置产生的翘曲变形。在上述方案中，也可以是，至少一个第一槽包括多个第一槽，并且在多个第一槽中，越是位于第一侧面的附近的槽，则深度尺寸越大。在上述方案中，也可以是，半导体装置还具备第二端子，所述第二端子与第一半导体元件电连接，并且从密封体突出。也可以是，第二端子从密封体的位于与第一侧面相反的一侧的第二侧面突出。也可以是，在密封体的第一主表面，在位于第一外侧导体层与第二侧面之间的范围内，还设置有在沿着第二侧面的方向上延伸的至少一个第二槽。在上述方案中，也可以是，第一端子的宽度尺寸比第二端子的宽度尺寸大。也可以是，至少一个第一槽的数量比至少一个第二槽的数量多。在上述方案中，也可以是，第一端子的宽度尺寸比第二端子的宽度尺寸大。也可以是，至少一个第一槽的深度尺寸比至少一个第二槽的深度尺寸大。在上述方案中，也可以是，第一端子的宽度尺寸比第二端子的宽度尺寸大。也可以是，至少一个第一槽的数量比至少一个第二槽的数量多。也可以是，至少一个第一槽的深度尺寸比至少一个第二槽的深度尺寸大。在上述方案中，也可以是，半导体装置还具备第二散热板，所述第二散热板隔着第一半导体元件与第一散热板对置。也可以是，第二散热板具有：第二绝缘基板；第二内侧导体层，其位于第二绝缘基板的一侧，并且与第一半导体元件电连接；以及第二外侧导体层，其位于第二绝缘基板的另一侧。也可以是，第二散热板的第二外侧导体层在密封体的位于与第一主表面相反的一侧的第二主表面露出。也可以是，在密封体的第二主表面，在位于第二散热板的第二外侧导体层与第一侧面之间的范围内，设置有在沿着第一侧面的方向上延伸的第三槽。在上述方案中，也可以是，至少一个第三槽包括多个第三槽，并且在多个第三槽中，越是位于第一侧面的附近的槽，则深度尺寸越大。在上述方案中，也可以是，在密封体的第二主表面，在位于第二外侧导体层与第二侧面之间的范围内，还设置有在沿着第二侧面的方向上延伸的至少一个第四槽。在上述方案中，也可以是，第一端子的宽度尺寸比第二端子的宽度尺寸大。也可以是，至少一个第三槽的数量比至少一个第四槽的数量多。在上述方案中，也可以是，第一端子的宽度尺寸比第二端子的宽度尺寸大。也可以是，至少一个第三槽的深度尺寸比至少一个第四槽的深度尺寸大。在上述方案中，也可以是，第一端子的宽度尺寸比第二端子的宽度尺寸大。也可以是，至少一个第三槽的数量比至少一个第四槽的数量多。也可以是，至少一个第三槽的深度尺寸比至少一个第四槽的深度尺寸大。在上述方案中，也可以是，半导体装置还具备第二散热板，所述第二散热板隔着第一半导体元件与所述第一散热板对置。也可以是，第二散热板具有：第二绝缘基板；第二内侧导体层，其位于第二绝缘基板的一侧，并且与第一半导体元件电连接；以及第二外侧导体层，其位于第二绝缘基板的另一侧。也可以是，第二散热板的第二外侧导体层在密封体的位于与第一主表面相反的一侧的第二主表面露出。也可以是，在密封体的第二主表面，在位于第二散热板的第二外侧导体层与第一侧面之间的范围内，设置有在沿着第一侧面的方向上延伸的第三槽。在上述方案中，也可以是，至少一个第三槽包括多个第三槽，并且在多个第三槽中，越是位于第一侧面的附近的槽，则深度尺寸越大。在上述方案中，也可以是，半导体装置还具备第二端子，所述第二端子与第一半导体元件电连接，并且从密封体突出。也可以是，第二端子从密封体的位于与第一侧面相反的一侧的第二侧面突出。也可以是，在密封体的第二主表面，在位于第二外侧导体层与第二侧面之间的范围内，还设置有在沿着第二侧面的方向上延伸的至少一个第四槽。在上述方案中，也可以是，第一端子的宽度尺寸比第二端子的宽度尺寸大。也可以是，至少一个第三槽的数量比至少一个第四槽的数量多。在上述方案中，也可以是，半导体装置的所述第一端子的宽度尺寸比所述第二端子的宽度尺寸大。也可以是，所述至少一个第三槽的深度尺寸比所述至少一个第四槽的深度尺寸大。在上述方案中，也可以是，第一端子的宽度尺寸比第二端子的宽度尺寸大。也可以是，至少一个第三槽的数量比至少一个第四槽的数量多。也可以是，至少一个第三槽的深度尺寸比至少一个第四槽的深度尺寸大。在上述方案中，也可以是，半导体装置还具备：第二半导体元件；第三散热板，其与第二半导体元件连接，并且通过密封体与第二半导体元件一体地被保持；以及第三端子，其与第二半导体元件电连接，并且从密封体突出。也可以是，第三散热板具有：第三绝缘基板；第三内侧导体层，其位于第三绝缘基板的一侧，并且与第二半导体元件电连接；以及第三外侧导体层，其位于第三绝缘基板的另一侧。也可以是，第三散热板的第三外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一半导体元件；第一散热板，其与所述第一半导体元件连接；密封体，其一体地保持所述第一半导体元件和所述第一散热板；以及第一端子，其与所述第一半导体元件电连接，并且从所述密封体突出，其中，所述第一散热板具有：第一绝缘基板；第一内侧导体层，其位于所述第一绝缘基板的一侧，并且与所述第一半导体元件电连接；以及第一外侧导体层，其位于所述绝缘基板的另一侧，所述第一外侧导体层在所述密封体的第一主表面露出，所述第一端子从所述密封体的与所述第一主表面相邻的第一侧面突出，在所述密封体的所述第一主表面，在位于所述第一外侧导体层与所述第一侧面之间的范围内，设置有在沿着所述第一侧面的方向上延伸的至少一个第一槽。

【技术特征摘要】
2018.01.17 JP 2018-0056431.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一半导体元件；第一散热板，其与所述第一半导体元件连接；密封体，其一体地保持所述第一半导体元件和所述第一散热板；以及第一端子，其与所述第一半导体元件电连接，并且从所述密封体突出，其中，所述第一散热板具有：第一绝缘基板；第一内侧导体层，其位于所述第一绝缘基板的一侧，并且与所述第一半导体元件电连接；以及第一外侧导体层，其位于所述绝缘基板的另一侧，所述第一外侧导体层在所述密封体的第一主表面露出，所述第一端子从所述密封体的与所述第一主表面相邻的第一侧面突出，在所述密封体的所述第一主表面，在位于所述第一外侧导体层与所述第一侧面之间的范围内，设置有在沿着所述第一侧面的方向上延伸的至少一个第一槽。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一个第一槽包括多个第一槽，并且在所述多个第一槽中，越是位于所述第一侧面的附近的槽，则深度尺寸越大。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括第二端子，所述第二端子与所述第一半导体元件电连接，并且从所述密封体突出，其中，所述第二端子从所述密封体的位于与所述第一侧面相反的一侧的第二侧面突出，在所述密封体的所述第一主表面，在位于所述第一外侧导体层与所述第二侧面之间的范围内，还设置有在沿着所述第二侧面的方向上延伸的至少一个第二槽。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一端子的宽度尺寸比所述第二端子的宽度尺寸大，所述至少一个第一槽的数量比所述至少一个第二槽的数量多。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一端子的宽度尺寸比所述第二端子的宽度尺寸大，所述至少一个第一槽的深度尺寸比所述至少一个第二槽的深度尺寸大。6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一端子的宽度尺寸比所述第二端子的宽度尺寸大，所述至少一个第一槽的数量比所述至少一个第二槽的数量多，所述至少一个第一槽的深度尺寸比所述至少一个第二槽的深度尺寸大。7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括第二散热板，所述第二散热板隔着所述第一半导体元件与所述第一散热板对置，其中，所述第二散热板具有：第二绝缘基板；第二内侧导体层，其位于所述第二绝缘基板的一侧，并且与所述第一半导体元件电连接；以及第二外侧导体层，其位于所述第二绝缘基板的另一侧，所述第二散热板的所述第二外侧导体层在所述密封体的位于与所述第一主表面相反的一侧的第二主表面露出，在所述密封体的所述第二主表面，在位于所述第二散热板的所述第二外侧导体层与所述第一侧面之间的范围内，设置有在沿着所述第一侧面的方向上延伸的至少一个第三槽。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一个第三槽包括多个第三槽，并且在所述多个第三槽中，越是位于所述第一侧面的附近的槽，则深度尺寸越大。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，在所述密封体的所述第二主表面，在位于所述第二外侧导体层与所述第二侧面之间的范围内，还设置有在沿着所述第二侧面的方向上延伸的至少一个第四槽。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：土持真悟，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP