【技术实现步骤摘要】
用于查找计算人工智能加速器的装置及多芯片模块
本说明内容涉及计算技术,且更具体来说,涉及用于查找计算人工智能(AI)加速器的高带宽存储器(HBM)硅光子硅穿孔(TSV)架构。
技术介绍
高带宽存储器(HighBandwidthMemory,HBM)是用于三维堆叠式动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory,DRAM)的高性能随机存取存储器(randomaccessmemory,RAM)接口。高带宽存储器可与高性能图形加速器及网络器件结合使用。高带宽存储器在2013年10月作为行业标准被联合电子器件工程协会(JointElectronDeviceEngineeringCouncil,JEDEC)采纳。第二代HBM2是在2016年1月被JEDEC接受。与传统的系统存储器或图形存储器相比,HBM以实质上较小的形状因数在使用较少的电力的同时实现较高的带宽。这是通过堆叠多达八个DRAM裸片来实现的,这八个DRAM裸片包括具有存储器控制器的可选的基础裸片且通过硅穿孔(through-siliconvia,TSV)及微凸块进行互连。HBM2能够达到每封装256GB/s的存储带宽。HBM可与神经网络或其他人工智能(artificialintelligence,AI)训练一起使用,此既是存储密集的也需要大量计算。这是由于训练数据集大小增大及模型参数增加以及处理的中间结果增加。[问题的解决方案]本公开的目的是提供一种装置及多芯片封装来实施用于查找计算人工智能(AI)加速器的高带宽存储器(HBM)硅光子硅穿孔(TSV)架构。
技术实现思路
根据一个一般方 ...
【技术保护点】
1.一种用于查找计算人工智能加速器的装置,包括:存储电路裸片,被配置成存储查找表,所述查找表将第一数据转换成第二数据;逻辑电路裸片,包括组合逻辑电路,所述组合逻辑电路被配置成接收所述第二数据;以及光学通孔,耦合在所述存储电路裸片与所述逻辑电路裸片之间且被配置成在所述存储电路裸片与所述逻辑电路裸片之间传输所述第二数据。
【技术特征摘要】
2018.01.09 US 62/615,295;2018.03.02 US 15/911,0631.一种用于查找计算人工智能加速器的装置,包括:存储电路裸片,被配置成存储查找表,所述查找表将第一数据转换成第二数据;逻辑电路裸片,包括组合逻辑电路,所述组合逻辑电路被配置成接收所述第二数据;以及光学通孔,耦合在所述存储电路裸片与所述逻辑电路裸片之间且被配置成在所述存储电路裸片与所述逻辑电路裸片之间传输所述第二数据。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述存储电路裸片包括:驱动器电路,被配置成接收所述第二数据的电性型式;以及光学调制器,被配置成至少部分地根据所述第二数据的所述电性型式来改变光源,其中所述光学调制器与所述光学通孔的波导部分进行耦合。3.根据权利要求1所述的装置,其中所述存储电路裸片包括:光学检测器,被配置成检测穿越所述光学通孔的波导部分进行传送的光学数据,并将所述光学数据转换成电性数据;以及放大器电路,被配置成对所述电性数据提供电增益。4.根据权利要求1所述的装置,其中所述存储电路裸片包括多个存储垫,所述多个存储垫被集合成存储体,且其中所述光学通孔与所述存储体进行通信耦合,使得所述存储体作为整体能够被选择为穿越所述光学通孔进行传送的所述第二数据的来源/接收方。5.根据权利要求1所述的装置,其中所述存储电路裸片包括多个存储垫,且其中所述光学通孔与所述多个存储垫直接进行通信耦合,其中所述存储垫中的每一个存储垫与各自相应的调制形式相关联,使得采用所述相应的调制形式的数据传输只指向/来自相关联的所述存储垫。6.根据权利要求1所述的装置,其中所述逻辑电路裸片包括:排程器电路,被配置成对穿越所述光学通孔的裸片间数据业务量进行协调。7.根据权利要求1所述的装置,其中所述光学通孔包括光子硅穿孔,且其中所述存储电路裸片包括能够重新配置的查找表。8.根据权利要求1所述的装置,其中所述逻辑电路裸片包括:第一组组合逻辑电路,被配置成产生所述第一数据;光学传送器,被配置成将所述第一数据从电性第一数据转换成光学第一数据,并将所述光学第一数据传送到所述存储电路裸片;光学接收器,被配置成接收所述第二数据并将所述第二数据转换成电性形式;以及第二组组合逻辑电路,被配置成接收所述第二数据并处理所述第二数据,且其中所述存储电路裸片包括:所述查找表,包括能够动态地重新配置的逻辑运算,所述能够动态地重新配置的逻辑运算被配置成将所述第一数据转换成所述第二数据,以及电性/光学变换器,被配置成在电性形式与光学形式之间转换数据。9.一种用于查找计算人工智能加速器的装置,包括:第一电路裸片,被配置成存储能够重新配置的逻辑电路;第二电路裸片,包括固定的逻辑电路;以及光学链路,耦合在所述第一电路裸片与所述第二电路裸片之间,且被配置成在所述第一电路裸片与所述第二电路裸片之间传输数据,其中所述装置被配置成首先由所述固...
【专利技术属性】
技术研发人员:谷芃,克里希纳·马拉迪,郑宏忠,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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