一种污水深度净化装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种污水深度净化装置，包括格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，等离子体单元，氢还原脱氮单元，混凝沉淀池，气体处理单元和污泥浓缩单元；所述格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，等离子体单元，氢还原脱氮单元，混凝沉淀池依次连接，污水经过格栅过滤和曝气沉淀池沉淀后经过生化处理池和二沉池进行生化处理及沉淀，然后经过等离子体单元处理后进入氢还原脱氮单元脱除氨氮和总氮最后再经过混凝沉淀池进行混凝沉淀后产出净水。

A Deep Purification Device for Sewage

【技术实现步骤摘要】
一种污水深度净化装置
本专利技术涉及一种污水深度净化装置。
技术介绍
当前的市政污水处理厂比较常用污水处理技术不外乎活性污泥法和生物膜法两种工艺。活性污泥法主要有A2/O及其改良工艺(如UCT工艺)、各种氧化沟工艺、SBR类及其变型工艺(CAST工艺等)等，目前活性污泥法占有绝对优势，仅有少数污水厂采用生物膜法工艺。采用这些工艺的出水如不加深度处理多数只能达到《城镇污水处理厂污染物排放标准》(GB18918-2002)一级B标准出水指标，其指标如表1：表1基本控制项目最高允许排放浓度(日均值)序号基本控制项目一级B标准(mg/L)1COD602BOD203SS204动植物油35石油类36阴离子表面活性剂17总氮(以N计)208氨氮(以N计)8(15)9总磷(以P计)110色度(稀释倍数)3011pH6-912粪大肠菌群数(个/L)104现有的多数市政污水处理厂的污水处理工艺的出水只能达到一级B的标准，部分污水厂在A2/O及其改良工艺(如UCT工艺)之后增加混凝除磷和生物脱氮或MBR工艺处理后可以达到一级A标准的出水水质。如果需要更高的水质，还需进一步深度处理。这两种工艺，不仅占地面积大，投资多，运行费用高，而且经过处理后的排放水只能达到《城镇污水处理厂污染物排放标准》(GB18918-2002)一级A标准出水指标，不能达到《地表水环境质量标准》(GB3838－2002)的有关水质标准，如果要达到《地表水环境质量标准》(GB3838－2002)的有关水质标准还要进行深度处理，因此，急需一种经济实用的污水深度处理再生利用方法。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种污水深度净化装置。本专利技术通过以下技术方案来实现：一种污水深度净化装置，其特征在于，包括格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，等离子体单元，氢还原脱氮单元，混凝沉淀池，气体处理单元和污泥浓缩单元；所述等离子体单元包括等离子体机；所述污泥浓缩单元包括污泥浓缩池和污泥脱水机；所述格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，等离子体单元，氢还原脱氮单元，混凝沉淀池依次连接，污水经过格栅过滤和曝气沉淀池沉淀后经过生化处理池和二沉池进行生化处理及沉淀，然后经过等离子体单元处理后进入氢还原脱氮单元脱除氨氮和总氮最后再经过混凝沉淀池进行混凝沉淀；污泥浓缩单元则对所述格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，氢还原脱氮单元和混凝沉淀池产生的沉淀进行污泥浓缩及过滤；所述气体处理单元对所述生化处理池和二沉池产生的沼气经收集、淋洗、吸收和净化处理。优选地，水体分别通过提升泵泵入所述生化处理池和等离子体单元。优选地，所述格栅包括粗格栅和细格栅。优选地，所述生化处理池为氧化沟生化处理系统、AA/O生化处理系统、SBR生化处理系统或生物曝气过滤处理系统。优选地，所述氧化沟生化处理系统是Pasveer氧化沟、T型三沟式氧化沟、DE型氧化沟、Carrousel氧化沟或Orbal氧化沟。优选地，所述AA/O生化处理系统是应用的A2/O工艺或UCT工艺。优选地，所述SBR生化处理系统是应用传统SBR工艺、CAST工艺、UNITANK工艺或MSBR工艺。优选地，所述等离子体机的脉冲工作电压为350～10000V，相邻两电极间的电压为6～9V，频率为2400～2600MHz，电流密度为1～600mA/cm2,步骤(4)中污水在电解机中的停留时间为5s～10min。优选地，所述等离子体机设有脉冲电源和等离子发生槽，所述离子发生槽内的阴极为钛、铁、铝、锌、铜、铅、镍、钼、铬、有贵金属氧化物涂层的惰性电极中的一种，阳极为有贵金属氧化物涂层的惰性电极，电极为板状或网状。优选地，所述混凝沉淀池中的混凝沉淀使用的混凝剂为铁盐、铝盐、聚铝、聚铁的一种或任意两种以上组合；所述铁盐为硫酸铁、硫酸亚铁；所述铝盐为硫酸铝或氯化铝；所述聚铝为聚合氯化铝、聚合硫酸铝或聚合硅酸铝；所述聚铁为聚合氯化铁、聚合硫酸铁或聚合硅酸铁；所述混凝剂的用量为1～50g/m3。优选地，所述混凝沉淀池中的混凝沉淀中使用的助凝剂为PAM，用量为1～3g/m3。优选地，在所述混凝沉淀池前设置pH检测装置，当检测水体的pH小于7时，在水体中加入氢氧化钠或碳酸钠调节水体的pH值为7～9。优选地，在所述曝气沉砂池和生化处理池之间设置初沉池。本专利技术具有如下有益效果：1、投资省；2、出水水质高，可以作为再生水直接利用；3、占地少；4、运行费用低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。图1为基于A2/O与等离子体技术污水深度净化工艺流程图；图2为改良的A2/O与等离子体技术污水深度净化工艺流程图；图3为基于氧化沟与等离子体技术的污水深度净化工艺流程图；图4为基于SBR与等离子体技术的污水深度净化工艺流程图；图5为基于AO与等离子体技术的污水深度净化工艺流程图；图6为曝气生物滤池与等离子体技术的污水深度净化工艺流程图；图7为本专利技术装置图。图中：1、粗格栅过滤；2、细格栅过滤；3、曝气沉砂池；4、厌氧池；5、好氧池；6、生化处理池；7、二沉池；8、等离子体机；9氢气；10、氢还原脱氮单元；11、污泥出口；12、污泥浓缩池；13、污泥脱水机；14、电解制氢机；15、混凝沉淀池；16、净水出口。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。粗格栅过滤、细格栅过滤和曝气沉砂池依次连接，经过曝气沉砂池分离泥砂和油脂后的污水经过提升泵泵至厌氧池，经过厌氧处理后的污水进至好氧池进行好氧处理，再经过生化处理后进入二沉池进行沉淀分离，上清液经提升泵至等离子体机，处理后进入脱氮反应池脱氮反应池，脱氮处理后进入混凝沉淀过滤池12进行混凝沉淀和过滤处理后得深度净化水(再生水)。电解质经过泵泵入电解制氢机制氢后，上部氢气经过氢气泵泵入脱氮反应池中进行脱氮反应，下部分离出的电解液经过管道与二沉池出水一同泵入等离子体机。粗格栅和细格栅过滤的渣及曝气沉砂池的泥砂一同泵入污泥收集并入污泥管，二沉池污泥收集于污泥管中，一部经过污泥回流管泵入A池、O池和AO池，以保持A池(厌氧池)、O池(好氧池)和AO池的污泥浓度，剩余污泥经过污泥管和污泥泵泵至污泥浓缩池内，经过重力浓缩和理化调理后进入污泥脱水机脱水。污泥脱水产生的污水泵入A池(厌氧池)。具体实施方式如下：实施例一，参照图1，某污水处理厂的实施例，所述污水的进水水质指标如表2。表2、某污水处理厂的进水水质指标序号基本控制项目测定值(mg/L)1COD4002BOD本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种污水深度净化装置，其特征在于，包括格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，等离子体单元，氢还原脱氮单元，混凝沉淀池，气体处理单元和污泥浓缩单元；所述等离子体单元包括等离子体机；所述污泥浓缩单元包括污泥浓缩池和污泥脱水机；所述格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，等离子体单元，氢还原脱氮单元，混凝沉淀池依次连接，污水经过格栅过滤和曝气沉淀池沉淀后经过生化处理池和二沉池进行生化处理及沉淀，然后经过等离子体单元处理后进入氢还原脱氮单元脱除氨氮和总氮最后再经过混凝沉淀池进行混凝沉淀；污泥浓缩单元则对所述格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，氢还原脱氮单元和混凝沉淀池产生的沉淀进行污泥浓缩及过滤。所述气体处理单元对所述生化处理池和二沉池产生的沼气经收集、淋洗、吸收和净化处理。

【技术特征摘要】
1.一种污水深度净化装置，其特征在于，包括格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，等离子体单元，氢还原脱氮单元，混凝沉淀池，气体处理单元和污泥浓缩单元；所述等离子体单元包括等离子体机；所述污泥浓缩单元包括污泥浓缩池和污泥脱水机；所述格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，等离子体单元，氢还原脱氮单元，混凝沉淀池依次连接，污水经过格栅过滤和曝气沉淀池沉淀后经过生化处理池和二沉池进行生化处理及沉淀，然后经过等离子体单元处理后进入氢还原脱氮单元脱除氨氮和总氮最后再经过混凝沉淀池进行混凝沉淀；污泥浓缩单元则对所述格栅，曝气沉砂池，生化处理池，二沉池，氢还原脱氮单元和混凝沉淀池产生的沉淀进行污泥浓缩及过滤。所述气体处理单元对所述生化处理池和二沉池产生的沼气经收集、淋洗、吸收和净化处理。2.根据权利要求1所述的污水深度净化装置，其特征在于，水体分别通过提升泵泵入所述生化处理池和等离子体单元。3.根据权利要求1所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述格栅包括粗格栅和细格栅。4.根据权利要求1-3之一所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述生化处理池为氧化沟生化处理系统、AA/O生化处理系统、SBR生化处理系统或生物曝气过滤处理系统。5.根据权利要求4所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述氧化沟生化处理系统是Pasveer氧化沟、T型三沟式氧化沟、DE型氧化沟、Carrousel氧化沟或Orbal氧化沟。6.根据权利要求4所述的污水深度净化装置，其特征在于，所述AA/O生化处理系统是应用的A2/O工艺或UCT工艺。7.根据权利要求4所述的污水深度净化装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴以伯，闫承凯，
申请(专利权)人：大渊环境技术厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35