一种液晶移相器、液晶天线及液晶移相器的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种液晶移相器，包括相对设置的第一基板和第二基板以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层；在第一基板朝向第二基板一侧设置有第一金属膜层；在第二基板朝向第一基板一侧设置有第二金属膜层，第一金属膜层和第二金属膜层均为图案化金属膜层；第一基板和第二基板为PCB板材。本发明专利技术还提供了一种液晶天线，包括上述的液晶移相器。本发明专利技术还提供了一种上述液晶移相器的制作方法。在超高频无线通信中，基板材料的介电常数和介电损耗值越大，介质损耗越大，信号越差，本申请使用PCB板材作为液晶天线的基板，PCB板材的介电常数和介电损耗比液晶面板常用的玻璃基板更低，介质损耗越小，有利于提升液晶天线在超高频段应用的性能。

A Fabrication Method of Liquid Crystal Phase Shifter, Liquid Crystal Antenna and Liquid Crystal Phase Shifter

【技术实现步骤摘要】
一种液晶移相器、液晶天线及液晶移相器的制作方法
本专利技术涉及无线通信
，具体地，涉及一种液晶移相器、液晶天线及液晶移相器的制作方法。
技术介绍
信息网络的发展日新月异，在各个领域都正在或将会产生重大变革，其中热点技术就有5G和卫星移动互联网通信技术。天线作为通信信息发送和接收的核心设备，已经成为影响信息网络性能指标和用户应用效果的关键因素。当前，因为高低频段(厘米波以下，如频率≤10GHz)的无线电磁波频谱资源相当紧张，因此，只能开发利用超高频段以上(厘米波至太赫兹，10GHz以上)的频谱。液晶移相器作为液晶天线的关键部件，如何设计制作适合于超高频段以上频谱的液晶移相器和液晶天线是本领域技术人员所要解决的问题。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种液晶移相器、液晶天线及液晶移相器的制作方法。本专利技术提供了一种液晶移相器，包括相对设置的第一基板和第二基板以及位于所述第一基板和第二基板之间的液晶层；在第一基板朝向所述第二基板一侧设置有第一金属膜层；在第二基板朝向所述第一基板一侧设置有第二金属膜层，所述第一金属膜层和第二金属膜层均为图案化金属膜层；所述第一基板和第二基板为PCB板材。优选的，所述第一金属膜层和第一基板之间具有透光的第一载体层，所述第二金属膜层和第二基板之间具有透光的第二载体层。优选的，所述第一载体层和第一基板之间具有第一胶层，所述第二载体层和第二基板之间具有第二胶层。优选的，所述PCB板材为PTFE高频板。优选的，所述第一金属膜层和第二金属膜层为铜层。优选的，所述第一金属膜层和第二金属膜层的金属膜层厚度均不小于2.0μm。优选的，所述第一载体层和第二载体层为PI层。优选的，所述第一载体层和第一金属膜层为一体化的覆铜箔PI基材，所述第二载体层和第二金属膜层为一体化的覆铜箔PI基材。本专利技术还提供了一种液晶天线，包括如上所述的液晶移相器，所述液晶天线还包括天线辐射单元。本专利技术还提供了一种液晶移相器的制作方法，用于制作如如上所述的液晶移相器，所述制作方法包括以下步骤：S1：提供PCB板材的第一基板，第一基板上具有第一金属膜层，第一金属膜层上具有第一对位标，第一基板上具有第一通孔，所述第一对位标的位置与第一通孔的位置相对应；S2：提供PCB板材的第二基板，第二基板上具有第二金属膜层，第二金属膜层上具有第二对位标，第二基板具有第二通孔，所述第二对位标的位置与第二通孔的位置相对应；S3：分别透过第一通孔和第二通孔，利用第一对位标和第二对位标，对第一基板和第二基板进行对位贴合。优选的，在步骤S3中，利用CCD镜头，对第一基板和第二基板进行对位贴合。优选的，所述第一对位标为金属对位标，所述第一对位标是通过对第一金属膜层进行曝光蚀刻而得到；所述第二对位标为金属对位标，所述第二对位标是通过对第二金属膜层进行曝光蚀刻而得到；在所述第一金属膜层和第一基板之间设置高透光的第一载体层，所述第一载体层用作第一对位标的支撑层，在所述第二金属膜层和第二基板之间设置高透光的第二载体层，所述第二载体层用作第二对位标的支撑层。优选的，所述步骤S1的制作方法包括以下步骤：提供第一基板，在所述第一基板上设置第一胶层，在第一基板制作第一通孔，在第一胶层制作第一开孔，所述第一通孔和第一开孔的位置相对应；将第一载体层贴合在具有第一开孔的第一胶层；第一金属膜层位于第一载体层背离第一基板的一面上；对第一金属膜层进行图案化处理，得到包括第一对位标的图案化第一金属膜层；所述步骤S2的制作方法包括以下步骤：提供第二基板，在所述第二基板上设置第二胶层，在第二基板制作第二通孔，在第二胶层制作第二开孔，所述第二通孔和第二开孔的位置相对应；将第二载体层贴合在具有第二开孔的第二胶层；第二金属膜层位于第二载体层背离第二基板的一面上；对第二金属膜层进行图案化处理，得到包括第二对位标的图案化第二金属膜层。优选的，所述第一通孔的大小完全覆盖第一对位标；所述第二通孔的大小完全覆盖第二对位标。优选的，在步骤S3对第一基板和第二基板进行对位贴合时，采用的是大片基板制作；在步骤S3之后，还包括热压成盒步骤以制成多个空盒，之后通过小片裁切工艺得到单粒的如权利要求1所述的液晶移相器空盒。优选的，所述第一对位标、第二对位标、第一通孔、和第二通孔在大板制作时设置在大片基板的边缘位置，在小片裁切时，所述第一对位标、第二对位标、第一通孔、和第二通孔被裁切掉。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：1．在超高频无线通信中，基板材料的介电常数和介电损耗值越大，介质损耗越大，信号越差。本申请使用PCB板材作为液晶天线的基板，PCB板材的介电常数和介电损耗比液晶面板常用的玻璃基板更低，介质损耗越小，有利于提升液晶天线在超高频段应用的性能。2．进一步的，由于PCB板材不透光，不利于使用透光抓标方法对两片基板进行对位贴合，导致无法精确对位，无法满足天线的设计要求，进而大幅降低天线性能。本申请进一步在第一金属膜层和第二金属膜层上分别设置对位标，并在第一基板和第二基板上分别设置与对位标位置相对应的通孔，改进后可以利用透光抓标对两片进行对位贴合。3．更进一步的，为了简化流程和工艺，对位标是相应金属膜层通过曝光蚀刻而得到的金属对位标；金属对位标的尺寸小于通孔的尺寸，通过在金属膜层和相应基板之间设置透光的载体层，使曝光蚀刻得到的金属对位标能够得到支撑，同时透光的载体层不会影响到透光抓标对位贴合。附图说明图1为本专利技术实施例一所提供的一种液晶移相器的结构示意图；图2为本专利技术实施例一所提供的液晶移相器在对位贴合时第一基板、第一金属膜层、第一载体层的一种结构示意图；图3为本专利技术实施例一所提供的液晶移相器在对位贴合时第一基板、第一金属膜层、第一载体层和第一胶层的一种结构示意图；图4为本专利技术实施例一所提供的液晶移相器在对位贴合时第一基板、第一金属膜层、第一载体层和第一胶层的另一种结构示意图；图5为本专利技术实施例一所提供的液晶移相器在对位贴合时大片基板的第一基板结构示意图；图6为本专利技术实施例三所提供的一种液晶移相器的制作方法的流程图；图7为本专利技术实施例三所提供的一种液晶移相器制作方法中步骤S1的流程图。附图标记：11-第一基板、21-第一金属膜层、31-第一取向层、12-第二基板、22-第二金属膜层、32-第二取向层、111-第一通孔、211-金属图案、212-第一对位标、40-框胶、50-液晶层、61-第一胶层、611-第一开孔、71-第一载体层。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面结合附图和实施例，对本专利技术作进一步说明：实施例一：如图1所示，为本专利技术实施例一，本具体实施例提供了一种液晶移相器。液晶移相器包括相对设置的第一基板11和第二基板12，还包括位于第一基板11和第二基板12之间的液晶层50。第一基板11和第二基板12之间还具有框胶40，框胶40位于第一基板11和第二基板12的边缘，其用于密封液晶层50。优选的，液晶层50中分布有含塑胶球和环氧框胶40的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶移相器，包括相对设置的第一基板和第二基板以及位于所述第一基板和第二基板之间的液晶层；其特征在于，在第一基板朝向所述第二基板一侧设置有第一金属膜层；在第二基板朝向所述第一基板一侧设置有第二金属膜层，所述第一金属膜层和第二金属膜层均为图案化金属膜层；所述第一基板和第二基板为PCB板材。

【技术特征摘要】
1.一种液晶移相器，包括相对设置的第一基板和第二基板以及位于所述第一基板和第二基板之间的液晶层；其特征在于，在第一基板朝向所述第二基板一侧设置有第一金属膜层；在第二基板朝向所述第一基板一侧设置有第二金属膜层，所述第一金属膜层和第二金属膜层均为图案化金属膜层；所述第一基板和第二基板为PCB板材。2.如权利要求1所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一金属膜层和第一基板之间具有透光的第一载体层，所述第二金属膜层和第二基板之间具有透光的第二载体层。3.如权利要求2所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一载体层和第一基板之间具有第一胶层，所述第二载体层和第二基板之间具有第二胶层。4.如权利要求1所述的液晶移相器，其特征在于，所述PCB板材为PTFE高频板。5.如权利要求1所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一金属膜层和第二金属膜层为铜层。6.如权利要求5所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一金属膜层和第二金属膜层的金属膜层厚度均不小于2.0μm。7.如权利要求2所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一载体层和第二载体层为PI层。8.如权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一载体层和第一金属膜层为一体化的覆铜箔PI基材，所述第二载体层和第二金属膜层为一体化的覆铜箔PI基材。9.一种液晶天线，包括如权利要求1-8中任一项所述的液晶移相器，所述液晶天线还包括天线辐射单元。10.一种液晶移相器的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1-8中任一项所述的液晶移相器，所述制作方法包括以下步骤：S1：提供PCB板材的第一基板，第一基板上具有第一金属膜层，第一金属膜层上具有第一对位标，第一基板上具有第一通孔，所述第一对位标的位置与第一通孔的位置相对应；S2：提供PCB板材的第二基板，第二基板上具有第二金属膜层，第二金属膜层上具有第二对位标，第二基板具有第二通孔，所述第二对位标的位置与第二通孔的位置相对应；S3：分别透过第一通孔和第二通孔，利用第一对位标和第二对位标，对第一基板和第二基板进行对位贴合。11.根据权利要求10所述的液晶移相器的制作方法，其特征在于，在步骤S3...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘智生，徐响战，王立雄，黄英群，王祜新，昝端清，何基强，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44