阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板以及依次设置在衬底基板上的有源层、栅极、源极和漏极，还包括屏蔽层，位于衬底基板和有源层之间。屏蔽层在衬底基板上的正投影区域的外轮廓大于有源层在衬底基板上的正投影区域的外轮廓。以及屏蔽层设置有第一过孔，第一过孔的位置与源极与有源层接触的位置对应；和/或，屏蔽层设置有第二过孔，第二过孔的位置与漏极与有源层接触的位置对应。本发明专利技术实施例还公开了一种显示面板、显示装置和阵列基板的制造方法。由于本发明专利技术实施例的屏蔽层的外轮廓大于有源层的外轮廓，增强了屏蔽层的遮挡效果。同时，屏蔽层设置有第一过孔和/或第二过孔，从而避免了源、漏极与屏蔽层之间寄生电容的产生。

Array Substrate and Its Manufacturing Method, Display Panel and Display Device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，具体为阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
传统显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，阵列基板包括多个薄膜晶体管，当薄膜晶体管包括的有源层受到光照时，其特性容易发生漂移，影响薄膜晶体管的正常使用。为了防止环境光直接或间接地照射到有源层，通常在有源层的下方设置一屏蔽层，用于遮挡环境光的照射。专利技术人发现，目前屏蔽层所遮挡的位置仅与有源层的沟道区的位置对应，而并不对整个有源层的区域进行遮挡，使得有源层容易受到环境光的照射，从而影响薄膜晶体管的特性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置，解决现有技术存在的有源层容易受到环境光的照射，从而影响薄膜晶体管的特性的技术问题。为了解决上述问题，本专利技术实施例主要提供如下技术方案：在第一方面中，本专利技术实施例公开了一种阵列基板，包括：衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的有源层、栅极、源极和漏极，还包括屏蔽层，位于所述衬底基板和所述有源层之间；所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓大于所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓；以及所述屏蔽层设置有第一过孔，所述第一过孔的位置与所述源极与所述有源层接触的位置对应；和/或，所述屏蔽层设置有第二过孔，所述第二过孔的位置与所述漏极与所述有源层接触的位置对应。可选地，所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影区域的面积大于所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域的面积。可选地，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓大于或等于源极过孔在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓；所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓大于或等于漏极过孔在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓。可选地，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影面积大于或等于所述源极与所述有源层接触的区域在所述衬底基板上的正投影面积。可选地，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影面积大于或等于所述漏极与所述有源层接触的区域在所述衬底基板上的正投影面积。可选地，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影面积等于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影面积。可选地，还包括公共电极线，所述公共电极线与所述屏蔽层位于同一层，并与所述屏蔽层电连接。可选地，所述公共电极线与所述屏蔽层为一体结构。可选地，还包括：公共电极线，以及位于所述有源层与所述屏蔽层之间的绝缘层，位于所述有源层与所述栅极之间的栅极绝缘层；所述公共电极线与所述栅极位于同一层，且通过贯穿所述绝缘层和所述栅极绝缘层的第三过孔与所述屏蔽层电连接。可选地，所述屏蔽层的材料为铜、铝、钼、钛、铬和钨中的至少一种。在第二方面中，本专利技术实施例公开了一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板。在第三方面中，本专利技术实施例公开了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。在第四方面中，本专利技术实施例公开了一种阵列基板的制造方法，包括有源层、栅极、源极和漏极的制作，还包括：通过构图工艺在衬底基板上制作屏蔽层，所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓大于所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓；在所述屏蔽层上制作第一过孔和/或第二过孔，所述第一过孔的位置与所述源极与所述有源层接触的位置对应，所述第二过孔的位置与所述漏极与所述有源层接触的位置对应。可选地，在所述屏蔽层上制作第一过孔和/或第二过孔之后，该方法具体包括：在所述屏蔽层上制作绝缘层；在所述绝缘层上通过构图工艺依次制作有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极。可选地，该方法还包括公共电极线的制作，所述公共电极线与所述屏蔽层采用同一次构图工艺制作形成；或，所述公共电极线与所述栅极采用同一次构图工艺制作形成。借由上述技术方案，本专利技术实施例提供的技术方案至少具有下列优点：由于本专利技术实施例的阵列基板包括的屏蔽层在衬底基板上的正投影区域的外轮廓大于有源层在衬底基板上的正投影区域的外轮廓，因此，屏蔽层能够对整个有源层的区域进行遮挡，避免有源层受到环境光的照射，进而提高薄膜晶体管的特性；另外，由于本专利技术实施例中屏蔽层设置有第一过孔，第一过孔的位置与源极与有源层接触的位置对应，这样能够降低与有源层接触位置处的源极与屏蔽层之间的寄生电容；以及，屏蔽层设置有第二过孔，第二过孔的位置与漏极与有源层接触的位置对应，这样能够降低与有源层接触位置处的漏极与屏蔽层之间的寄生电容，提高阵列基板的性能。上述说明仅是本专利技术实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术实施例的具体实施方式。附图说明通过阅读下文可选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出可选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术实施例的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1为现有技术阵列基板的结构示意图；图2为图1中沿A-A’线的剖面图；图3为本专利技术实施例的阵列基板的第一实施例的结构示意图；图4为图3中沿A-A’线的剖面图；图5为本专利技术实施例的阵列基板的第二实施例的结构示意图；图6为图5中沿A-A’线的剖面图；图7为图5中沿B-B’线的剖面图；图8为图5中沿C-C’线的剖面图；图9为本专利技术实施例的阵列基板的第三实施例的结构示意图；图10为图9中沿A-A’线的剖面图；图11为图9中沿B-B’线的剖面图；图12为图9中沿C-C’线的剖面图；图13为本专利技术实施例的阵列基板的制造方法的流程图。附图标记介绍如下：1-衬底基板；2-屏蔽层；3-绝缘层；4-有源层；5-栅极绝缘层；6-栅极；7-层间绝缘层；8-源极；9-漏极；10-钝化层；11-像素电极；12-数据线；13-栅线；14-公共电极线；15-第一过孔；16-第二过孔；17-过孔；171-第三过孔；18-公共电极；19-第二绝缘层。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。本
技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”到另一元件时，它可以直接连接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”可以包括无线连接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的有源层、栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括屏蔽层，位于所述衬底基板和所述有源层之间；所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓大于所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓；以及所述屏蔽层设置有第一过孔，所述第一过孔的位置与所述源极与所述有源层接触的位置对应；和/或，所述屏蔽层设置有第二过孔，所述第二过孔的位置与所述漏极与所述有源层接触的位置对应。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的有源层、栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括屏蔽层，位于所述衬底基板和所述有源层之间；所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓大于所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓；以及所述屏蔽层设置有第一过孔，所述第一过孔的位置与所述源极与所述有源层接触的位置对应；和/或，所述屏蔽层设置有第二过孔，所述第二过孔的位置与所述漏极与所述有源层接触的位置对应。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影区域的面积大于所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域的面积。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓大于或等于源极过孔在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓；所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓大于或等于漏极过孔在所述衬底基板上的正投影区域的外轮廓。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影面积大于或等于所述源极与所述有源层接触的区域在所述衬底基板上的正投影面积。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影面积大于或等于所述漏极与所述有源层接触的区域在所述衬底基板上的正投影面积。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影面积等于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影面积。7.如权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括公共电极线，所述公共电极线与所述屏蔽层位于同一层，并与...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，马永达，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11