本发明专利技术提供一种断线修补线的电阻测量方法及断线修补线的电阻测量装置。该断线修补线的电阻测量方法通过在显示面板的外围区中形成与断线处的一端连接的辅助图案，该辅助图案的结构与显示区中的子像素的结构相同，后续形成修补线连接断线处的两端，该修补线位于辅助图案中，使得位于显示面板的外围区中的修补线等同于位于显示面板的显示区中，测量位于外围区中的修补线的电阻值等同于测量位于显示区中的修补线的电阻值，从而有效监控修补线的电阻值，提高断线修补的成功率，进而提高显示面板良率。
Resistance Measurement Method of Broken Repair Line and Resistance Measurement Device of Broken Repair Line
【技术实现步骤摘要】
断线修补线的电阻测量方法及断线修补线的电阻测量装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种断线修补线的电阻测量方法及断线修补线的电阻测量装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)与彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线透射出来产生画面。目前断线修补机已广泛用于修复LCD和OLED中TFT阵列基板的栅极扫描线或数据线的金属断线缺陷，通过镀膜长线来连接金属断线处，而使金属断线恢复导通，来提升TFT阵列基板的良率。镀膜的阻值是确保长线导通成功的重要参数，如果阻值过大，断线缺陷修补不成功，显示面板就只能报废处理。由于显示面板的显示区有复杂的电路设计，难以对阻值进行扎针测试，现有的监控镀膜阻值的方式，是在显示面板的外围区设计用于测试镀膜阻值的测试键(TestKey)。现有的测试键主要由两片金属引脚(Pad)和连接两片金属引脚的金属断线组成，在金属断线处进行镀膜长线后，用测量设备测量镀膜长线的阻值。现有的测试键由于设计在显示面板的外围区，因此只有金属图案，由于显示面板的显示区的制程要比外围区复杂很多，所以通过此种测试键来测量镀膜阻值，无法准确监控在显示区修补金属断线缺陷的效果，会造成显示面板修补失败，从而影响良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种断线修补线的电阻测量方法，可以有效监控修补线的电阻值，提高断线修补的成功率，进而提高显示面板良率。本专利技术的目的还在于提供一种断线修补线的电阻测量装置，可以有效监控修补线的电阻值，提高断线修补的成功率，进而提高显示面板良率。为实现上述目的，本专利技术提供了一种断线修补线的电阻测量方法，包括如下步骤：步骤S1、提供显示面板，所述显示面板包括显示区及包围显示区的外围区；所述显示区包括呈阵列式排布的多个子像素；步骤S2、在显示面板的外围区中设置分别与所述显示面板位于外围区中的断线处的两端连接的至少两个间隔设置的测试键；步骤S3、在显示面板的外围区中形成与断线处的一端连接的辅助图案；所述辅助图案的结构与子像素的结构相同；步骤S4、形成连接所述断线处两端的修补线；所述修补线位于辅助图案中；步骤S5、通过测试键测量所述修补线的电阻值。所述步骤S4中，通过镭射化学气相沉积形成连接所述断线处两端的修补线。所述子像素和辅助图案均包括沿横向延伸的扫描线、沿纵向延伸的数据线以及薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管的栅极连接扫描线，源极连接数据线，漏极连接像素电极。所述断线处为子像素的扫描线的断线处；所述辅助图案的扫描线与断线处的一端连接。所述断线处为子像素的数据线的断线处，所述辅助图案的数据线与断线处的一端连接。本专利技术还提供一种断线修补线的电阻测量装置，包括：设于显示面板上的至少两个间隔设置的测试键以及分别与所述测试键连接的图案单元、长线成膜单元和测量单元；所述显示面板包括显示区及包围显示区的外围区；所述显示区包括呈阵列式排布的多个子像素；所述测试键用于设置在显示面板的外围区中并分别与所述显示面板位于外围区中的断线处的两端连接；所述图案单元用于在显示面板的外围区中形成与断线处的一端连接的辅助图案；所述辅助图案的结构与子像素的结构相同；所述长线成膜单元用于形成连接所述断线处两端的修补线；所述修补线位于辅助图案中；所述测量单元用于通过测试键测量所述修补线的电阻值。所述长线成膜单元通过镭射化学气相沉积形成连接所述断线处两端的修补线。所述子像素和辅助图案均包括沿横向延伸的扫描线、沿纵向延伸的数据线以及薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管的栅极连接扫描线，源极连接数据线，漏极连接像素电极。所述断线处为子像素的扫描线的断线处；所述辅助图案的扫描线与断线处的一端连接。所述断线处为子像素的数据线的断线处，所述辅助图案的数据线与断线处的一端连接。本专利技术的有益效果：本专利技术的断线修补线的电阻测量方法通过在显示面板的外围区中形成与断线处的一端连接的辅助图案，该辅助图案的结构与显示区中的子像素的结构相同，后续形成修补线连接断线处的两端，该修补线位于辅助图案中，使得位于显示面板的外围区中的修补线等同于位于显示面板的显示区中，测量位于外围区中的修补线的电阻值等同于测量位于显示区中的修补线的电阻值，从而有效监控修补线的电阻值，提高断线修补的成功率，进而提高显示面板良率。本专利技术的断线修补线的电阻测量装置，可以有效监控修补线的电阻值，提高断线修补的成功率，进而提高显示面板良率。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的断线修补线的电阻测量方法的流程图；图2为本专利技术的断线修补线的电阻测量方法的步骤S2的示意图；图3为本专利技术的断线修补线的电阻测量方法的步骤S3的示意图；图4为本专利技术的断线修补线的电阻测量方法的步骤S4的示意图；图5为本专利技术的断线修补线的电阻测量方法的子像素和辅助图案的示意图；图6为本专利技术的断线修补线的电阻测量装置的示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术提供一种断线修补线的电阻测量方法，包括如下步骤：步骤S1、提供显示面板50，所述显示面板50包括显示区52及包围显示区52的外围区51；所述显示区52包括呈阵列式排布的多个子像素521；步骤S2、请参阅图2，在显示面板50的外围区51中设置分别与所述显示面板50位于外围区51中的断线处501的两端连接的至少两个间隔设置的测试键10；步骤S3、请参阅图3，在显示面板50的外围区51中形成与断线处501的一端连接的辅助图案502；；所述辅助图案502的结构与子像素521的结构相同；步骤S4、请参阅图4，形成连接所述断线处501两端的修补线31；所述修补线31位于辅助图案502中；步骤S5、通过测试键10测量所述修补线31的电阻值(例如，对测试键10进行扎针测试测量修补线31的电阻值)。需要说明的是，本专利技术针对显示面板50的外围区51与显示区52的制程差异，通过在显示面板50的外围区51中形成与断线处501的一端连接的辅助图案502，该辅助图案502的结构与显示区52中的子像素521的结构相同，后续形成修补线31连接断线处501的两端，该修补线31位于辅助图案502中，使得位于显示面板50的外围区51中的修补线31等同于位于显示面板50的显示区52中，测量位于外围区51中的修补线31本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种断线修补线的电阻测量方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供显示面板(50)，所述显示面板(50)包括显示区(52)及包围显示区(52)的外围区(51)；所述显示区(52)包括呈阵列式排布的多个子像素(521)；步骤S2、在显示面板(50)的外围区(51)中设置分别与所述显示面板(50)位于外围区(51)中的断线处(501)的两端连接的至少两个间隔设置的测试键(10)；步骤S3、在显示面板(50)的外围区(51)中形成与断线处(501)的一端连接的辅助图案(502)；所述辅助图案(502)的结构与子像素(521)的结构相同；步骤S4、形成连接所述断线处(501)两端的修补线(31)；所述修补线(31)位于辅助图案(502)中；步骤S5、通过测试键(10)测量所述修补线(31)的电阻值。
【技术特征摘要】
1.一种断线修补线的电阻测量方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供显示面板(50)，所述显示面板(50)包括显示区(52)及包围显示区(52)的外围区(51)；所述显示区(52)包括呈阵列式排布的多个子像素(521)；步骤S2、在显示面板(50)的外围区(51)中设置分别与所述显示面板(50)位于外围区(51)中的断线处(501)的两端连接的至少两个间隔设置的测试键(10)；步骤S3、在显示面板(50)的外围区(51)中形成与断线处(501)的一端连接的辅助图案(502)；所述辅助图案(502)的结构与子像素(521)的结构相同；步骤S4、形成连接所述断线处(501)两端的修补线(31)；所述修补线(31)位于辅助图案(502)中；步骤S5、通过测试键(10)测量所述修补线(31)的电阻值。2.如权利要求1所述的断线修补线的电阻测量方法，其特征在于，所述步骤S4中，通过镭射化学气相沉积形成连接所述断线处(501)两端的修补线(31)。3.如权利要求1所述的断线修补线的电阻测量方法，其特征在于，所述子像素(521)和辅助图案(502)均包括沿横向延伸的扫描线(200)、沿纵向延伸的数据线(300)以及薄膜晶体管(400)；其中，所述薄膜晶体管(400)的栅极(401)连接扫描线(200)，源极(402)连接数据线(300)，漏极(403)连接像素电极(100)。4.如权利要求3所述的断线修补线的电阻测量方法，其特征在于，所述断线处(501)为子像素(521)的扫描线(200)的断线处(501)；所述辅助图案(502)的扫描线(200)与断线处(501)的一端连接。5.如权利要求3所述的断线修补线的电阻测量方法，其特征在于，所述断线处(501)为子像素(521)的数据线(300)的断线处(501)，所述辅助图案(502)的数据线(300)与断线处(501)的一端连接。6.一种断线修补线的电阻测量装置，其特征在于，包括：设于显示面板(50)...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈少甫，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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