薄膜电容器制造技术

在薄膜电容器(1)中，电极端子层(30)和电容部(10)的电极层(11)通过沿绝缘层(40)的厚度方向贯穿设置的通孔导体(即，第一配线部(43A)和第二配线部(43B))分别连接到电极端子(20A～20C)，由通孔导体(43A、43B)实现沿厚度方向的短电路配线。在薄膜电容器(1)中，旨在实现多个电极端子(20A～20C)的多端子化并实现电路配线的缩短，从而可以获得具有低ESL的薄膜电容器。

Thin Film Capacitor

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜电容器
本公开内容涉及薄膜电容器。
技术介绍
例如，下面的引用文献1公开了一种电容器内置基板，其内部具有芯片电容器，且从该芯片电容器引出的电极端子设置在两个主面上。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-194096号公报专利文献2：日本特开2007-81325号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在上述电容器内置基板中，由于电路配线的长度较长，难以实现低ESL。鉴于此，正在开发通过使用薄膜工艺技术实现电容器内置基板的结构的薄膜电容器(即，内部具有电容器结构并且从该电容器结构引出的电极端子设置在其两个主面上的薄膜电容器)。专利技术人反复研究了上述薄膜电容器，且新发现了一种能够进一步降低这种薄膜电容器中的ESL的技术。本公开内容的各个方面旨在提供具有低ESL的薄膜电容器。解决问题的手段本公开内容的一个实施方式的薄膜电容器包括：电极端子层，位于薄膜电容器的一个面侧，并具有与外部电连接的连接区域；电容部，部分地形成在与电极端子层的一个面侧相反的一侧，并且具有电极层和介电体层交替层叠的层叠结构；绝缘层，从与电极端子层的一个面侧相反的一侧，覆盖形成有电容部的形成区域和未形成电容部的非形成区域；设置在绝缘层上的多个电极端子；以及多个通孔导体，沿电容部的层叠方向贯穿设置于绝缘层中，并将多个电极端子分别连接到电极端子层和电容部的电极层中的任一个。在上述薄膜电容器中，电极端子层和电容部的电极层通过由贯穿设置于绝缘层中的通孔导体分别连接到电极端子上，从而实现电路配线的缩短和多端子化。据此，可以获得具有低ESL的薄膜电容器。本公开内容的另一实施方式的薄膜电容器，其电极端子层具有多个与外部连接的连接区域，且具有穿过相邻的连接区域之间的电极端子层以划分两个连接区域的贯穿部。在这种情况下，多个连接区域中的一部分与其余部分可用作不同极性的电极端子。本公开内容的其他实施方式的薄膜电容器其绝缘层的厚度大于电容部的厚度，或者，电极端子层的厚度比电容部的厚度厚。本公开内容的其他实施方式的薄膜电容器能够安装电子部件，并设置在用于向该电子部件供电的配线板上，其中多个电极端子连接在被安装于薄膜电容器上的电子部件上，且电极端子层连接到配线板上。专利技术效果根据本公开内容的一个方面，提供具有低ESL的薄膜电容器。附图说明图1是示意地示出本公开内容的一个实施方式的薄膜电容器的一部分的截面图。图2的(a)～(e)是用于说明图1所示的薄膜电容器的制造方法的图。图3的(a)～(d)是用于说明图1中所示的薄膜电容器的制造方法的图。图4是示意地示出与图1不同的方式的薄膜电容器的一部分的截面图。具体实施方式在下文中，将参考附图详细描述各种实施方式。此外，在每个附图中，对于相同或相应的部分由相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。如图1所示，一个实施方式的薄膜电容器1，在其内部具有作为电容器结构的电容部10，且在其两个主面上具有从电容部10引出的作为电极端子的电极端子20A～20C、30A～30C。设置在薄膜电容器1的一个主面a上的电极端子20A～20C是用于与安装在薄膜电容器1上的未图示的电子部件连接的电极端子，设置了电极端子20A～20C侧的主面(以下也称为电子部件安装面)上可以安装电子部件。设置在薄膜电容器1的另一个主面1b上的电极端子30A～30C是用于连接到未图示的经由薄膜电容器向安装在薄膜电容器1上的电子部件供电的配线板上的电极端子，薄膜电容器1可以以其中设置有电极端子30A～30C的一侧的主面(下文中也称为配线板安装面)1b以面向配线板的方式安装在配线板上。具体地，薄膜电容器1包括：位于配线板安装面1b侧并且具有多个电连接到配线板的连接区域的电极端子层30，部分地形成在与电极端子层30的配线板侧相反的一侧并且具有电极层11和介电体层12交替层叠的层叠结构的电容部10，从与电极端子层30的配线板侧相反的一侧覆盖形成有电容部10的形成区域和未形成电容部10的非形成区域的绝缘层40，设置在绝缘层40上且将与电子部件连接的多个电极端子20A～20C，以及沿电容部10的层叠方向贯穿设置并将多个电极端子20A～20C分别连接到电极端子层30和电容部10的电极层11中的任一个的多个通孔导体43A、43B。电极端子层30的多个连接区域包括贯穿部31，其贯穿相邻连接区域之间的电极端子层30且分断两个连接区域，被贯穿部31分断的各连接区域成为上述电极端子30A～30C。各贯穿部31由比电极端子层30的厚度厚的绝缘树脂32填埋，实现了电极端子30A～30C之间的高电绝缘性。电极端子层30由具有导电性的材料形成。具体地，形成电极端子层30的导电性材料可以是包含镍(Ni)或铂(Pt)作为主要成分的合金，特别是包含Ni作为主要成分的合金。构成电极端子层30的Ni的纯度可以很高，可以是99.99重量％以上。此外，电极端子层30中可以包含微量杂质。作为能够包含在由含有Ni作为主要成分的合金构成的电极端子层30中的杂质，例如，可以举出铁(Fe)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、锰(Mn)、硅(Si)或铬(Cr)、钒(V)、锌(Zn)、铌(Nb)、钽(Ta)、钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)等的过渡金属元素或稀土元素等、氯(Cl)、硫(S)、磷(P)等。在制造薄膜电容器时，上述杂质从电极端子层30扩散到介电膜时，有可能引起介电体层12的绝缘电阻降低等的性能下降。电极端子层30的厚度可以是10nm～100μm，也可以是1μm～70μm。也可以是约10μm～30μm。当电极端子层30的厚度过薄时，存在制造薄膜电容器1时电极端子层30的手连接变得困难的趋势，当电极端子层30的厚度过厚时，存在抑制漏电流的效果变小的趋势。此外，电极端子层30的面积例如约为1×0.5mm2。另外，上述电极端子层30也可以由金属箔制成，并且可以兼用作基板和电极。如上所述，根据本实施方式的电极端子层30也可以兼用作基板，但也可以采用其电极端子层30设置在由Si、氧化铝等制成的基板上的基板/电极膜结构。电容部10由两个电极层11和两个介电体层12交替层叠在电极端子层30上构成。电极层11由具有导电性的材料形成。具体地，可以使用包含镍(Ni)或铂(Pt)作为主要成分的材料作为电极层11，并且可以使用Ni。当在电极层11中使用含有Ni作为主要成分的的材料时，其含量相对于整个电极层11可以是50摩尔％以上。此外，当电极层11的主要成分为Ni时，进一步包含选自铂(Pt)、钯(Pd)、铱(Ir)、铑(Rh)、钌(Ru)、锇(Os)、铼(Re)、钨(W)、铬(Cr)、钽(Ta)和银(Ag)中的至少一种(以下称为“添加元素”)。通过在电极层11中包含添加元素来防止电极层11的不连续性。此外，电极层11可包含多种添加元素。例如电极层11的厚度例如为约10nm～1000nm。介电体层12由BaTiO3(钛酸钡)、(Ba1-xSrx)TiO3(钛酸锶钡)、(Ba1-XCaX)TiO3、PbTiO3、Pb(ZrXTi1-X)O3等具有钙钛矿结构的(强)介电体材料、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3等代表的复合钙钛矿弛豫型强介电体材料、Bi4Ti3O12、SrBi2Ta2O9等代表的铋层状化合物、(Sr1-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜电容器，包括:电极端子层，位于薄膜电容器的一个面侧，并具有与外部电连接的连接区域，电容部，部分地形成在所述电极端子层的与所述一个面侧相反的一侧，并且具有电极层和介电体层交替层叠的层叠结构，绝缘层，从所述电极端子层的与所述一个面侧相反的一侧覆盖形成有所述电容部的形成区域和未形成所述电容部的非形成区域，设置在所述绝缘层上的多个电极端子，以及多个通孔导体，沿所述电容部的层叠方向贯穿设置于所述绝缘层中，并将所述多个电极端子分别连接到所述电极端子层和所述电容部的电极层中的任一个。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.21 JP 2017-0300271.一种薄膜电容器，包括:电极端子层，位于薄膜电容器的一个面侧，并具有与外部电连接的连接区域，电容部，部分地形成在所述电极端子层的与所述一个面侧相反的一侧，并且具有电极层和介电体层交替层叠的层叠结构，绝缘层，从所述电极端子层的与所述一个面侧相反的一侧覆盖形成有所述电容部的形成区域和未形成所述电容部的非形成区域，设置在所述绝缘层上的多个电极端子，以及多个通孔导体，沿所述电容部的层叠方向贯穿设置于所述绝缘层中，并将所述多个电极端子分别连接到所述电极端子层和所述电容部的电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：角田晃一，富川满广，吉川和弘，吉田健一，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP