一种像素排布结构及相关装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种像素排布结构及相关装置，其中在像素排布结构中：第一子像素位于第一虚拟矩形的中心位置处四个顶角位置处；第二子像素位于第一虚拟矩形的侧边中心位置处；第三子像素位于第二虚拟矩形内，且至少有两个第三子像素的形状一致。第二虚拟矩形由位于第一虚拟矩形相邻两个侧边中心位置处的两个第二子像素、与该两个第二子像素均相邻的第一子像素作为顶角顺次相连形成。这种像素排布方式与现有的像素排布结构相比，在同等工艺条件下可以使第一子像素、第二子像素和第三子像素紧密排列，从而在满足最小的子像素间隔的条件下，尽可能增大单个子像素的面积，进而降低显示器件的驱动电流，增加显示器件的寿命。

A Pixel Arrangement Structure and Related Devices

【技术实现步骤摘要】
一种像素排布结构及相关装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素排布结构、有机电致发光显示面板、高精度金属掩模板及显示装置。
技术介绍
有机电致发光(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示器件是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器相比，OLED显示器件具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，目前，在手机、PDA、数码相机等平板显示领域，OLED显示器件已经开始取代传统的液晶显示屏(LiquidCrystalDisplay，LCD)。OLED显示器件的结构主要包括：衬底基板，制作在衬底基板上呈矩阵排列的子像素。其中，各子像素一般都是通过有机材料利用蒸镀成膜技术透过高精细金属掩膜板，在阵列基板上的相应的子像素位置形成有机电致发光结构。但是，目前OLED显示器件内，像素排布结构中子像素开口面积较小，从而需要增大驱动电流才能满足显示的亮度要求。但是OLED在大的驱动电流下工作容易导致器件老化速度增快，从而缩短OLED显示器件的寿命。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种像素排布结构、有机电致发光显示面板、高精度金属掩模板及显示装置，用以解决现有OLED器件中存在的子像素之间的距离较大的问题。因此，本专利技术实施例提供了一种像素排布结构，包括：位置互不重叠的第一子像素，第二子像素和第三子像素；所述第一子像素位于第一虚拟矩形的中心位置处和所述第一虚拟矩形的四个顶角位置处；所述第二子像素位于所述第一虚拟矩形的侧边中心位置处；所述第三子像素位于第二虚拟矩形内，所述第二虚拟矩形由位于所述第一虚拟矩形相邻两个侧边中心位置处的两个所述第二子像素、与该两个第二子像素均相邻且分别位于所述第一虚拟矩形的中心位置处和所述第一虚拟矩形的一顶角位置处的所述第一子像素作为顶角顺次相连形成，且四个所述第二虚拟矩形构成一个所述第一虚拟矩形；至少有两个所述第三子像素的形状不一致。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，各所述第三子像素的面积相同，或者至少有两个所述第三子像素的面积不相同。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，所述第三子像素与相邻的所述第一子像素相对的侧边之间的最小距离大于或等于工艺极限距离，所述第三子像素与相邻的所述第二子像素相对的侧边之间的最小距离大于或等于工艺极限距离。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，所述第三子像素与相邻的所述第一子像素相对的侧边的最大距离与最小距离的比值范围为1～1.5；所述第三子像素与相邻的所述第二子像素相对的侧边的最大距离与最小距离的比值范围为1～1.5。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，所述第三子像素与相邻所述第一子像素相对的侧边相互平行。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，所述第三子像素与相邻所述第二子像素相对的侧边相互平行。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，所述第三子像素位于相邻两个所述第一子像素的连线和相邻两个所述第二子像素的连线的交点位置处。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，位于所述第一虚拟矩形的同一对角线上的两个所述第三子像素的形状一致；位于所述第一虚拟矩形的不同对角线上的两个所述第三子像素的形状不一致；位于所述第一虚拟矩形的同一对角线上的两个所述第三子像素的形状不一致；位于所述第一虚拟矩形的不同对角线上的两个所述第三子像素的形状一致。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，形状一致的两个所述第三子像素呈镜像对称。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，至少两个所述第一子像素的面积不相同，或，各所述第一子像素的面积相同。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，至少两个所述第一子像素的形状不一致，或，各所述第一子像素的形状一致。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，至少两个所述第二子像素的面积不相同，或，各所述第二子像素的面积相同。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，至少两个所述第二子像素的形状不一致，或，各所述第二子像素的形状一致。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，所述第一子像素为红色子像素，所述第二子像素为蓝色子像素；或，所述第一子像素为蓝色子像素，所述第二子像素为红色子像素；所述第三子像素为绿色子像素。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，所述第三子像素的面积小于所述第一子像素的面积，且所述第三子像素的面积小于所述第二子像素的面积。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，所述第一子像素的面积与所述第二子像素的面积相同。可选地，在本专利技术实施例提供的像素排布结构中，所述第三子像素的形状为凹多边形。相应地，本专利技术实施例还提供了一种有机电致发光显示面板，包括多个紧密排列的像素排布结构，所述像素排布结构为本专利技术实施例提供的上述任一种像素排布结构；其中，相邻的第一虚拟矩形以共用侧边的方式在行方向和列方向排列。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种高精度金属掩模板，用于制作本专利技术实施例提供的上述像素排布结构，其中，包括：多个开口区域，所述开口区域与所述第一子像素，第二子像素或第三子像素的形状和位置对应。本专利技术实施例的有益效果包括：本专利技术实施例提供的一种像素排布结构、有机电致发光显示面板、高精度金属掩模板及显示装置，其中在像素排布结构中：第一子像素位于第一虚拟矩形的中心位置处和第一虚拟矩形的四个顶角位置处；第二子像素位于第一虚拟矩形的侧边中心位置处；第三子像素位于第二虚拟矩形内，至少有两个第三子像素的形状不一致。第二虚拟矩形由位于第一虚拟矩形相邻两个侧边中心位置处的两个第二子像素、与该两个第二子像素均相邻且分别位于第一虚拟矩形的中心位置处和第一虚拟矩形的一顶角位置处的第一子像素作为顶角顺次相连形成，且四个第二虚拟矩形构成一个所述第一虚拟矩形。这种像素排布方式与现有的像素排布结构相比，在同等工艺条件下可以使第一子像素、第二子像素和第三子像素紧密排列，从而在满足最小的子像素间隔的条件下，尽可能增大单个子像素的面积，进而降低显示器件的驱动电流，增加显示器件的寿命。附图说明图1为本专利技术实施例提供的像素排布结构的示意图之一；图2为本专利技术实施例提供的像素排布结构的示意图之二；图3为本专利技术实施例提供的像素排布结构的示意图之三；图4为本专利技术实施例提供的像素排布结构的示意图之四；图5为本专利技术实施例提供的像素排布结构的示意图之五；图6为本专利技术实施例提供的像素排布结构的示意图之六；图7为本专利技术实施例提供的像素排布结构的示意图之七；图8为本专利技术实施例提供的像素排布结构的示意图之八；图9为本专利技术实施例提供的像素排布结构的示意图之九；图10为本专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供的一种像素排布结构，如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素排布结构，其特征在于，包括：位置互不重叠的第一子像素，第二子像素和第三子像素；所述第一子像素位于第一虚拟矩形的中心位置处和所述第一虚拟矩形的四个顶角位置处；所述第二子像素位于所述第一虚拟矩形的侧边中心位置处；所述第三子像素位于第二虚拟矩形内，所述第二虚拟矩形由位于所述第一虚拟矩形相邻两个侧边中心位置处的两个所述第二子像素、与该两个第二子像素均相邻且分别位于所述第一虚拟矩形的中心位置处和所述第一虚拟矩形的一顶角位置处的所述第一子像素作为顶角顺次相连形成，且四个所述第二虚拟矩形构成一个所述第一虚拟矩形；至少有两个所述第三子像素的形状不一致。

【技术特征摘要】
1.一种像素排布结构，其特征在于，包括：位置互不重叠的第一子像素，第二子像素和第三子像素；所述第一子像素位于第一虚拟矩形的中心位置处和所述第一虚拟矩形的四个顶角位置处；所述第二子像素位于所述第一虚拟矩形的侧边中心位置处；所述第三子像素位于第二虚拟矩形内，所述第二虚拟矩形由位于所述第一虚拟矩形相邻两个侧边中心位置处的两个所述第二子像素、与该两个第二子像素均相邻且分别位于所述第一虚拟矩形的中心位置处和所述第一虚拟矩形的一顶角位置处的所述第一子像素作为顶角顺次相连形成，且四个所述第二虚拟矩形构成一个所述第一虚拟矩形；至少有两个所述第三子像素的形状不一致。2.如权利要求1所述的像素排布结构，其特征在于，各所述第三子像素的面积相同，或至少有两个所述第三子像素的面积不相同。3.如权利要求1所述的像素排布结构，其特征在于，所述第三子像素与相邻的所述第一子像素相对的侧边之间的最小距离大于或等于工艺极限距离，所述第三子像素与相邻的所述第二子像素相对的侧边之间的最小距离大于或等于工艺极限距离。4.如权利要求3所述的像素排布结构，其特征在于，所述第三子像素与相邻的所述第一子像素相对的侧边的最大距离与最小距离的比值范围为1～1.5；所述第三子像素与相邻的所述第二子像素相对的侧边的最大距离与最小距离的比值范围为1～1.5。5.如权利要求3所述的像素排布结构，其特征在于，所述第三子像素与相邻所述第一子像素相对的侧边相互平行；所述第三子像素与相邻所述第二子像素相对的侧边相互平行。6.如权利要求1所述的像素排布结构，其特征在于，所述第三子像素位于相邻两个所述第一子像素的连线和相邻两个所述第二子像素的连线的交点位置处。7.如权利要求6所述的像素排布结构，其特征在于，位于所述第一虚拟矩形的同一对角线上的两个所述第三子像素的形状一致；位于所述第一虚拟矩形的不同对角线上的两个所述第三子像素的形状不一致；位于所述第一虚拟矩形的同一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王本莲，汪杨鹏，王杨，尹海军，邱海军，胡耀，代伟男，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11