存储方法及设备技术

本申请提供的存储方法及设备，该存储设备包括NAND Flash和NOR Flash，该NAND Flash被配置成数据存储区，该NOR Flash被配置成存储文件系统的文件存储区。若获取到目标数据，则将该目标数据存储写入NAND Flash中的空闲区域，并更新该系统存储区中文件系统的相应字段。如此，将需要反复读写的系统存储区和高温下只能写入数据的数据存储区分开，大大提高了存储设备在高温下的工作寿命和稳定性。

Storage methods and devices

【技术实现步骤摘要】
存储方法及设备
本申请涉及存储领域，具体而言，涉及一种存储方法及设备。
技术介绍
在很多工业设备中，我们经常需要对测量信号进行高速采集并进行存储，最后PC机将数据下载后做分析处理。NANDFlash是近些年流行和发展起来适合用于数据存储的存储介质。具有容量大、尺寸小和同等容量价格低等优点。因此，NANDFlash被用于制作常规的U盘。虽然NANDFlash在常温下具有较好的擦除寿命，但是在高温环境下，NANDFlash的寿命急剧下。因此常规的U盘或者常规的存储设备不适合在高温环境下使用。
技术实现思路
为了克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种存储方法，应用于存储设备，所述存储设备包括NANDFlash和NORFlash，所述NANDFlash配置成数据存储区，所述NORFlash配置成存储文件系统的系统存储区；所述方法包括：获取目标数据，并将所述目标数据追加写入所述数据存储区的空闲区域；根据写入的所述目标数据，更新所述系统存储区中的文件系统的相应字段，以使根据所述文件系统中的数据能够读取所述数据存储区中的目标数据。可选地，所述存储设备还包括EEPROM(EEPROM，ElectricallyErasableProgrammablereadonlymemory)，所述方法还包括：若所述存储设备在工作过程中，需要在所述NANDFlash中新建文件，将所述NANDFlash中所存储文件的目录信息写入所述EEPROM。可选地，所述文件系统为FAT文件系统，所述相应字段为FSInfo字段和根目录字段。可选地，所述NANDFlash为高温NANDFlash，所述NORFlash为高温NORFlash，所述EEPROM为高温EEPROM。可选地，所述NORFlash还用于存储所述存储设备运行的程序。本申请的另一目的在于提供一种存储设备，包括存储器、处理器和存储于所述存储器并能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述存储器包括NANDFlash和NORFlash，所述NANDFlash配置成数据存储区，所述NORFlash配置成存储文件系统的系统存储区，所述计算机程序在所述处理器上运行时实现本申请提供的存储方法。本申请实施例的另一目的在于提供一种存储方法，应用于存储设备，所述存储设备包括NANDFlash，所述NANDFlash划分成数据存储区和系统存储区，所述系统存储区预存有不可更改的文件系统，所述文件系统用于使得所述数据存储区中的数据能够被读取，所述方法包括：获取目标数据，并将所述目标数据写入所述数据存储区。可选地，所述存储设备还包括EEPROM，所述方法还包括：若所述存储设备在工作过程中，需要在所述NANDFlash中新建文件，将所述NANDFlash中所存储文件的目录信息写入所述EEPROM。可选地，所述文件系统为FAT文件系统。本申请实施例的另一目的在于提供一种存储方法，应用于存储设备，所述存储设备包括NANDFlash和NORFlash，所述NORFlash预存有不可更改的文件系统，所述文件用于使得所述数据存储区中的数据能够被读取，所述方法包括：获取目标数据，并将所述目标数据追加写入所述NANDFlash的空闲区域。相对于现有技术而言，本申请具有以下有益效果：本申请实施例提供的存储方法及设备，该存储设备包括NANDFlash和NORFlash，该NANDFlash被配置成数据存储区，该NORFlash被配置成存储文件系统的文件存储区。若获取到目标数据，则将该目标数据存储写入NANDFlash中的空闲区域，并更新该系统存储区中文件系统的相应字段。如此，将需要反复读写的系统存储区和高温下只能写入数据的数据存储区分开，大大提高了存储设备在高温下的工作寿命和稳定性。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本申请实施例提供的存储设备的硬件结构图之一；图2为本申请实施例提供的存储方法的步骤流程图；图3为本申请实施例提供的存储设备的硬件结构图之二；图4为本申请实施例提供的存储设备的硬件结构图之三图5为本申请实施例提供的NANDFlash的区域结构图；图6为本申请实施例提供的MBR字段中的数据；图7为本申请实施例提供的DBR字段中的数据；图8为本申请实施例提供的FSInfo字段中的数据；图9为本申请实施例提供的FAT表字段中的数据a；图10为本申请实施例提供的FAT表字段中的数据b；图11为本申请实施例提供的FAT表字段中的数据c；图12为本申请实施例提供的FAT表字段中的数据d。图标：100-存储设备；130-处理器；140-NANDFlash；120-NORFlash；150-EEPROM；1401-系统存储区；1402-数据存储区。具体实施方式为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本申请的一种具体的实施例中，一般的存储设备只会包含一种NANDFlash存存储介质，文件系统和存储数据都是都存放在该NANDFlash存储介质中，每次更改其中的数据会频繁的擦写文件系统所在的存储区域。在高温的工作环境中进行对NANDFlash进行这种反复擦写操作会导致存储设备寿命急剧下降。尤其是在石油勘探设备中，对高温性能有特殊的要求，一般要求设备耐温等级达到150℃和175℃两个等级，该温度等级远远高于一般的工业设备。目前能够耐受上述高温的存储介质有EEPROM和NORFlash，但是EEPROM和NORFlash本身的存储容量较小，无法适应大容量的应用场景。有鉴于此，请参照图1，图1是本申请实施例提供的存储设备100的硬件结构图。该存储设备100包括处理器130、NANDFlash140和NORFlash120。该NANDFlash140配置成数据存储区，该NORFlash120配置成存储文件系统的系统存储区1401。该处理器130、NANDFlash140和NORFlash120各元件相互之间直接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。所述存储设备100的操作系统可以是，但不限于，安卓(Android)系统、IOS(iPhoneoperatingsystem)系统、Windowsphone系统、Windows系统等。所述处理器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储方法，其特征在于，应用于存储设备，所述存储设备包括NAND Flash和NOR Flash，所述NAND Flash配置成数据存储区，所述NOR Flash配置成存储文件系统的系统存储区；所述方法包括：获取目标数据，并将所述目标数据追加写入所述数据存储区的空闲区域；根据写入的所述目标数据，更新所述系统存储区中的文件系统的相应字段，以使根据所述文件系统中的数据能够读取所述数据存储区中的目标数据。

【技术特征摘要】
1.一种存储方法，其特征在于，应用于存储设备，所述存储设备包括NANDFlash和NORFlash，所述NANDFlash配置成数据存储区，所述NORFlash配置成存储文件系统的系统存储区；所述方法包括：获取目标数据，并将所述目标数据追加写入所述数据存储区的空闲区域；根据写入的所述目标数据，更新所述系统存储区中的文件系统的相应字段，以使根据所述文件系统中的数据能够读取所述数据存储区中的目标数据。2.根据权利要求1所述的存储方法，其特征在于，所述存储设备还包括带电可擦可编程只读存储器EEPROM，所述方法还包括：若所述存储设备在工作过程中，需要在所述NANDFlash中新建文件，将所述NANDFlash中所存储文件的目录信息写入所述EEPROM。3.根据权利要求1所述的存储方法，其特征在于，所述文件系统为FAT文件系统，所述相应字段为FSInfo字段和根目录字段。4.根据权利要求1-3任一项所述的存储方法，其特征在于，所述NANDFlash为高温NANDFlash，所述NORFlash为高温NORFlash，所述EEPROM为高温EEPROM。5.根据权利要求1所述的存储方法，其特征在于，所述NORFlash还用于存储所述存储设备运行的程序。6.一种存储设备，其特征在于，包括存储器、处理器和存储于所述存储器并能够在所述处理器上...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏涛，赵瑞峰，徐再鹏，林涛，王涛，彭林熹，徐鑫，
申请(专利权)人：武汉海阔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42