AMOLED显示屏、显示设备及移动终端制造技术

本发明专利技术提供了一种AMOLED显示屏、显示设备及移动终端，该AMOLED显示屏包括多个像素，其中至少一个像素为第一像素，所述第一像素包括第一走线层和第二走线层，所述第一走线层和第二走线层分隔设置，所述第一走线层上形成有第一电极走线和第一电极片，所述第二走线层上形成有第二电极走线和第二电极片，所述第一电极片和所述第二电极片至少部分重叠形成第一存储电容，所述第一电极走线、第二电极走线和第一存储电容中的至少一项采用透光导电材料制成。本发明专利技术实施例高了第一像素区域的透光度。因此可以满足感光元件或者光源等部件的透光性需求，感光元件和发光元件等部件可以集成到屏下，利于整体结构布局。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED显示屏、显示设备及移动终端
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED显示屏、显示设备及移动终端。
技术介绍
随着通信技术的发展，为了提高移动终端显示屏的视觉效果，目前移动终端比如手机已发展到全面屏的阶段。全面屏手机的显示界面被显示屏完全覆盖，感光元件或者光源等部件均采用屏下设计。如图1所示，现有的有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(Active-matrixOrganicLight-EmittingDiode,AMOLED)显示屏的像素的结构具体包括：玻璃基板1、缓冲层2、多晶硅层3、第一栅极绝缘层4、gate1走线5、第二栅极绝缘层6、gate2走线7、层间绝缘层8、M2源漏极走线层9、PLN平坦化层10、阳极11、存储电容第一电极12和存储电容第二电极13。通常采用金属材料钼Mo形成gate1走线、gate2走线层以及对应每一像素设置的存储电容。由于Mo金属材料的透光性能较差，导致无法满足感光元件或者光源等部件的透光性需求，感光元件或者发光元件等部件无法集成到屏下，不利于整体结构布局。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种AMOLED显示屏、显示设备移动终端，以解决显示屏无法满足透光性需求，导致感光元件或者发发光元件等部件无法集成到屏下，不利于整体结构布局的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的：第一方面，本专利技术实施例提供了一种AMOLED显示屏，包括多个像素，其中至少一个像素为第一像素，所述第一像素包括第一走线层和第二走线层，所述第一走线层和第二走线层分隔设置，所述第一走线层上形成有第一电极走线和第一电极片，所述第二走线层上形成有第二电极走线和第二电极片，所述第一电极片和所述第二电极片至少部分重叠形成第一存储电容，所述第一电极走线、第二电极走线和第一存储电容中的至少一项采用透光导电材料制成。第二方面，本专利技术实施例提供了一种显示设备，该显示设备包括上述AMOLED显示屏。第三方面，本专利技术实施例提供了一种移动终端，包括显示屏和感光元件，所述显示屏上述AMOLED显示屏，所述感光元件设于所述AMOLED显示屏下方，所述AMOLED显示屏对应所述感光元件位置的像素均为所述第一像素。第四方面，本专利技术实施例提供了一种移动终端，包括显示屏和发光元件，所述显示屏为上述AMOLED显示屏，所述发光元件设于所述AMOLED显示屏下方，所述AMOLED显示屏对应所述发光元件位置的像素均为所述第一像素。本实施例中，由于将第一像素中的第一电极走线、第二电极走线和第一存储电容中至少一项采用透光导电材料制成，这样可以提高第一像素区域的透光度。因此可以满足感光元件或者光源等部件的透光性需求，感光元件和发光元件等部件可以集成到屏下，利于整体结构布局。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为传统AMOLED显示屏的像素结构示意图；图2为多晶硅像素版图；图3为gate1像素版图；图4为AMOLED像素单元用于制作形成gate2栅极以及像素电路存储电容的像素版图；图5为AMOLED像素单元中设置层间绝缘层开孔的像素版图；图6为本专利技术实施例提供的AMOLED显示屏中像素分布结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的AMOLED显示屏中第一像素和第二像素连接结构图之一；图8为本专利技术实施例提供的AMOLED显示屏中第一像素和第二像素连接结构剖面示意图；图9为本专利技术实施例提供的AMOLED显示屏中第一像素和第二像素连接结构图之二；图10为本专利技术实施例提供的AMOLED显示屏中第一像素和第二像素连接结构图之三。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。为了方便理解，以下对本专利技术实施例涉及的一些内容进行说明：现有的部分移动终端为非全面屏设计，例如，在非全面屏手机中，手机上的摄像头，LED灯等都是设置在屏幕外面。为了进一步满足大屏占比的需求，手机屏幕逐渐从非全面屏进入到了全面屏时代。在全面屏手机中，全面屏占据了手机正面的绝大部分面积，手机上的摄像头和LED灯等发光元件设置在了屏幕的下方。屏幕下方的灯发出的光(包括可见光在内的各波段的光)需要穿过屏幕发射出去，另外外面的光线需要穿过屏幕被摄像头、光敏传感器或红外线传感器等感光元件接收到。光线包括可见光、红外光和X光等，光线需要穿过AMOLED像素，因此需要AMOLED显示屏的透光率越高越好。AMOLED像素设计包括LTPSTFT像素驱动电路部分，以及OLED发光二极管部分。光线通过的路径主要为：1、通过像素的没有金属走线遮光的缝隙区域；2、有机发光二极管具有一定的透光性，穿透发光二极管区域。相关技术中，AMOLED屏幕像素设计以及工艺制造过程主要有以下步骤：一、在玻璃或者柔性聚酰亚胺PI材质上制作SiOx材质的缓冲层，厚度约300nm左右。之后在缓冲层上利用化学气相沉积法形成约50nm厚度的非晶硅层，通过激光退火的方式形成多晶硅层。之后完成光刻、刻蚀、去胶的图形化工艺流程，主要步骤为：在多晶硅层上涂上光刻胶，利用图2的多晶硅像素版图设计的mask曝光、显影，形成像素版图设计的图形；然后利用等离子体刻蚀技术形成多晶硅图形，之后去光刻胶，即形成图2设计的多晶硅图形。二、在多晶硅图形上化学气相沉积约60nm厚度SiOx膜层以及约60nm厚度的SiNx膜层作为栅极绝缘层。然后物理气相沉积约200nm厚度的Mo金属层，利用图3中gate1走线层的像素版图设计的mask，利用光刻、刻蚀、去胶流程完成gate1栅极图形化过程，制作gate1栅极以及像素电路存储电容的第一电极。三、在以上基础上沉积约130nm厚度SiNx作为栅极绝缘层2，之后物理气相沉积约250nm厚度的Mo金属层作为gate2走线层，利用光刻、显影、刻蚀、去胶工艺完成其图形化过程。制作gate2栅极以及像素电路存储电容的第二电极，具体如图4所示。四、化学气相沉积约250nm厚度SiN、约300nm厚度SiOx作为层间绝缘层，利用图5的设计，完成层间绝缘层开孔的图形化制程，形成连接孔。五、物理气相沉积50nmTi、500nm厚度Al、100nm厚度Ti的M2金属层，利用版图设计的图形，完成源漏电极层的图形化过程，即M2层。形成数据线走线等各种电气连线。六、利用版图设计的图形mask，在涂布工艺制作的厚约1.5μm的平坦化有机膜层上，利用光刻技术形成过孔，用于电连接。七、物理气相沉积约50nm厚ITO膜层、15nm厚度Ag膜层、50nm厚度ITO膜层，并且完成其图形化过程，制作阳极，用于有机发光二极管的正电极。八、涂布约1.5μm厚度的透明有机膜层作为像素定义层，完成其图形化过程。像素定义层去掉的部分，露出的阳极，即为有机发光二极管正电极电流注入的有效区域。九、涂布约1.5μm厚度的透明有机膜层作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AMOLED显示屏，其特征在于，包括多个像素，其中至少一个像素为第一像素，所述第一像素包括第一走线层和第二走线层，所述第一走线层和第二走线层分隔设置，所述第一走线层上形成有第一电极走线和第一电极片，所述第二走线层上形成有第二电极走线和第二电极片，所述第一电极片和所述第二电极片至少部分重叠形成第一存储电容，所述第一电极走线、第二电极走线和第一存储电容中的至少一项采用透光导电材料制成。

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED显示屏，其特征在于，包括多个像素，其中至少一个像素为第一像素，所述第一像素包括第一走线层和第二走线层，所述第一走线层和第二走线层分隔设置，所述第一走线层上形成有第一电极走线和第一电极片，所述第二走线层上形成有第二电极走线和第二电极片，所述第一电极片和所述第二电极片至少部分重叠形成第一存储电容，所述第一电极走线、第二电极走线和第一存储电容中的至少一项采用透光导电材料制成。2.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述透光导电材料为透明氧化铟锡ITO导电薄膜。3.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述多个像素中至少一个像素为第二像素，所述第二像素包括第三走线层和第四走线层，所述第三走线层上形成有第三电极走线和第三电极片，所述第四走线层上形成有第四电极走线和第四电极片，所述第三电极片和所述第四电极片至少部分重叠形成第二存储电容；所述第一电极走线和第三电极走线位于同一层，且所述第一电极走线与所述第三电极走线导电连接；所述第二电极走线和所述第四电极走线位于同一层，且所述第二电极走线和所述第四电极走线导电连接。4.根据权利要求3所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述第三电极走线、第四电极走线和所述第二存储电容均采用金属材料钼制成。...

【专利技术属性】
技术研发人员：文亮，李冠恒，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44