数据读取方法及装置、存储器及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种数据读取方法及装置、存储器及存储介质。数据编程方法包括：获取数据读取的读取地址；根据所述读取地址，确定的地址位，其中，所述地址位由m个比特组成，m为正整数；利用与N‑m个比特对应的读取电压，从所述读取地址对应的第二存储单元中读取出状态位，其中，所述状态位由N‑m个比特组成，N为大于2的正整数；m为小于N的正整数；组合所述地址位和所述状态位，获得所需读取的第二数据。

【技术实现步骤摘要】
数据读取方法及装置、存储器及存储介质
本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种数据读取方法及装置、存储器及存储介质。
技术介绍
存储器为存储数据的器件。所述存储器包括存储阵列；所述存储阵列可为二维(2D)存储阵列或三维(3D)存储阵列。所述存储阵列由存储单元构成。阈值电压存储单元的可调节电压在已知电压范围内。在向所述存储单元写入数据时，通常根据需要写入数据向所述存储单元的栅极施加对应的电压。当从存储单元读取数据时，通过在所述可调节电压范围内调整读取电压，再结合存储单元的导通与否的状态，就能够准确的读取出所述存储单元记忆的数据。为了提高存储阵列的存储容量，出现了多值存储；例如，二值存储(Multi-levelcell，MLC)、三值存储(Triple-levelcell，TLC)及四值存储(Quadruple-levelcell，QLC)等；但是存储单元的栅极能够被施加的电压范围是预定的维持不变的，比如，若进行单值存储(Single-levelcell，SLC)调节存储单元的阈值电压在第一电压范围内表示存储记忆为“0”，调节存储单元的阈值电压在第二电压范围内表示存储记忆为“1”。若进行二值存储，则一个存储单元存储的数据可能为“00”、“01”、“10”及“11”四种状态，阈值电压存储单元有四个不同的电压范围，而这四个电压均为已知电压范围内的电压。如此，这四个电压之间的压差平均值，相对于前述第一电压和第二电压之间的压差是更小的。而在数据写入的过程中，向栅极施加电压是不可避免的会出现电压波动，而这种波动在相邻两个电压之间的压差较小时，会导致存储单元记忆的数据出现错误；从而导致存储器的存储可靠性低等问题。在先关技术中为了降低上述存储错误率，会通过存储单元的编程算法来增加可靠性，但是这样就导致的编程算法复杂及编程效率低等问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例期望提供一种数据读取方法及装置、存储器及存储介质。本专利技术的技术方案是这样实现的：一种数据读取方法，其特征在于，包括：获取数据读取的读取地址；根据所述读取地址，确定的地址位，其中，所述地址位由m个比特组成，m为正整数；利用与N-m个比特对应的读取电压，从所述读取地址对应的第二存储单元中读取出状态位，其中，所述状态位由N-m个比特组成，N为大于2的正整数；m为小于N的正整数；组合所述地址位和所述状态位，获得所需读取的第二数据。一种数据读取装置，包括：第二获取模块，用于获取数据读取的读取地址；第二确定模块，用于根据所述读取地址，确定的地址位，其中，所述地址位由m个比特组成，m为正整数；读取模块，用于利用与N-m个比特对应的读取电压，从所述读取地址对应的第二存储单元中读取出状态位，其中，所述状态位由N-m个比特组成，N为大于2的正整数；m为小于N的正整数；组合模块，用于组合所述地址位和所述状态位，获得所需读取的第二数据。一种存储设备，包括：存储器；处理器，与所述存储器连接，用于通过执行位于所述存储器上的计算机可执行指令，实现前述任意技术方案提供的数据读取方法。一种计算机存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令；所述计算机可执行指令被执行后，能够前述任意技术方案提供的数据读取方法。本专利技术实施例提供的技术方案，在进行数据读取时，首先根据读取地址确定地址位，然后基于从读取地址对应的第二存储单元中读取出状态位，再组合地址位和状态位得到第二数据。在读取状态位的读取电压，同样的相对于直接从第二存储单元读取N个比特，相邻两个读取电压之间的压差是增大了的，如此同样可以减少因为读取电压的电压波动导致的读取错误，从而提高了数据读取的可靠性。此外，采用本实施例提供的数据编程方法及数据读取方法进行数据编程和数据读写时，由于不再完全依赖编程算法或读取算法本身来确保数据存储和读取的可靠性，无需复杂化编程或读取算法，可以采用现有的任意编程或读取算法，如此与现有技术的兼容性强，且编程算法及读取算法简单的特点，也减少了因为编程算法和读取算法的复杂导致的延时，从而还提升了编程效率和读取效率。附图说明图1为本专利技术实施例提供的第一种数据编程方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的第二种数据编程方法的流程示意图；图3为本专利技术实施例提供的第三种数据编程方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种数据读取方法的流程示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种数据编程装置的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种数据读取装置的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种存储阵列的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种数据编程方法的流程示意图；图9为本专利技术实施例提供的地址位与存储单元的字线的对应示意图；图10为一种不同的多值存储的阈值电压/读取电压之间的对比示意图；图11为本专利技术实施例提供的对包含4个比特的数据进行3个比特的状态位的多值存储的阈值电压/读取电压的示意图。具体实施方式以下结合说明书附图及具体实施例对本专利技术的技术方案做进一步的详细阐述。如图1所示，本实施例提供一种数据编程方法，包括：步骤S110：获取待存储的第一数据，其中，所述第一数据包含N个比特，N为大于2的整数；步骤S120：根据所述N个比特中的地址位，确定存储所述第一数据的第一存储单元，其中，所述地址位由所述N个比特中的m个比特组成，m为小于N的正整数；步骤S130：根据所述N个比特中的状态位所对应的阈值电压，对所述第一存储单元进行数据写入的编程，其中，所述状态位由所述N个比特中除所述m个比特以外的剩余N-m个比特组成。本实施例提供的数据编程方法可应用于各种存储设备，例如，2D闪存器或3D闪存存储器等闪存设备，或闪存存储器以外的非闪存类型的存储设备。所述3D闪存器可包括：3DNAND闪存存储器。在本实施例中，所述数据编程方法可以用于存储器的多值存储技术中，所述第一数据为待存储的数据，共有N个比特。若采用二值存储，则N为2；若采用三值存储，则N为3；若采用四值存储，则N为4。总之，在本实施例中，所述第一数据为一个存储单元存储的最小数据单位。在本实施例中，所述第一数据由N个比特，这N比特在存储过程中被分为地址位和状态位。地址位与存储第一数据的第一存储单元的存储地址具有匹配关系；状态位为第一存储单元实际存储的数据。所述地址位可为所述N个比特中的任意位置的m个比特；所述状态位可为地址位以外的其他剩余比特。所述m个比特可为1或大于1的整数。m大于2时，所述m个比特可以为所述N个比特中连续分布的m个比特，也可以是所述N个比特中间隔分布的m个比特。例如，所述m个比特可为N个比特中连续分布的高m位或低m位，如此，在确定所述第一存储单元，可以快速简略截取所述N个比特中的高m位或低m位就确定了地址位，并进一步基于地址位与第一存储单元的存储地址之间的映射关系，快速确定出存储所述第一数据的第一存储单元。在比如，所述m个比特可为所述N个比特中的至少部分奇数位的比特或者偶数位的比特。m个比特的比特值取决于所述第一数据本身，若不同的第一数据对应的m个比特可相同或不同。剩余N-m个比特为状态位，第一存储单元仅需记忆状态位，则第一存储单元的可调节阈值电压范围需要等分的阈值电压范围的数目就减小了，如此，相邻两个阈值电压范围之间的压差就增大了，如此第一方面，编程过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种数据读取方法，其特征在于，包括：获取数据读取的读取地址；根据所述读取地址，确定的地址位，其中，所述地址位由m个比特组成，m为正整数；利用与N‑m个比特对应的读取电压，从所述读取地址对应的第二存储单元中读取出状态位，其中，所述状态位由N‑m个比特组成，N为大于2的正整数；m为小于N的正整数；组合所述地址位和所述状态位，获得所需读取的第二数据。

【技术特征摘要】
1.一种数据读取方法，其特征在于，包括：获取数据读取的读取地址；根据所述读取地址，确定的地址位，其中，所述地址位由m个比特组成，m为正整数；利用与N-m个比特对应的读取电压，从所述读取地址对应的第二存储单元中读取出状态位，其中，所述状态位由N-m个比特组成，N为大于2的正整数；m为小于N的正整数；组合所述地址位和所述状态位，获得所需读取的第二数据。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述读取地址，确定的地址位，包括：根据所述读取地址所指向的字线地址，确定所述地址位。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述读取地址所指向的字线地址，确定所述地址位，包括：根据所述第二存储单元集合的字线地址的奇偶性，确定所述地址位。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述读取地址所匹配的第二存储单元集合，确定所述地址位，包括：根据所述第二存储单元集合的字线地址的地址范围，确定所述地址位。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述读取地址，确定的地址位，包括：根据所述读取地址所指向的存储芯片，确定所述地址位。6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述组合所述地址位和所述状态位，获得所需读取的第二数据，包括：以所述地址位为高m位且以所述状态位为低N-m位，组成包含N个比特的所述第二数据；或者，以所述地址位为低m位且以所述状态位为高N-m位，组成包含N个比特的所述第二数据。7.一种数据读取装置，其特征在于，包括：第二获取模块，用于获取数据读取的读取地址；第二确定模块，用于根...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵成林，刘红涛，王明，李达，靳磊，张念华，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42