本发明专利技术提供了一种柔性导电材料触控传感器,包括透明PI层、第一银网格导电图层、第一保护层、第二银网格导电图层和第二保护层。同时,本发明专利技术还公开了上述柔性导电材料触控传感器的制备方法。本发明专利技术提供的柔性导电材料触控传感器,厚度更薄,弯折性更好,可代替传统的ITO传感器,能更好的适应未来柔性屏市场。
【技术实现步骤摘要】
一种柔性导电材料触控传感器及其制备方法
本专利技术属于触控领域,尤其涉及一种柔性导电材料触控传感器及其制备方法。
技术介绍
未来可穿戴设备、智能窗户、智能家居等产品,对触摸面板的需求朝着大尺寸、可弯曲的方向发展,这就需要触摸面板越来越薄,柔性并且可弯曲。触摸面板中重要组成部分:触控传感层,也应未来市场需求,朝着超薄化、可折叠的方向发展。现有技术中主流的触控传感层一般是单层或多层ITO(IndiumTinOxide,氧化铟锡)膜层结构复合在玻璃或薄膜(一般为PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)材料制备获得)上;且多数ITO传感层(ITOsensor)包括上下两层,其上下线需要分别做好后再进行组合。ITO是一种N型氧化物半导体,是一种在均匀载体上通过黄光曝光工艺、激光光刻工艺或丝印印刷工艺生成的透明导电薄膜,用于将操作体的触摸位置转换为电信号,以实现操作体触摸位置的识别。如图1所示:现有的多层ITO传感层包括上线ITO11、下线ITO13,其间通过光学透明胶(OCA1)12进行粘合,所述下线ITO13通过光学透明胶14粘合在玻璃盖板15上。并且上下线ITO还包括多层薄膜,所述上线ITO11包含上线PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜111、上线图案112和上线走线113;所述下线ITO13包含下线PET薄膜131、下线图案132和下线走线133。ITOsensor具有多层薄膜结构,厚度无法朝着超薄化方向发展,并且ITO膜层较脆,不宜用于可弯曲应用,在柔性基材上的导电率及透光率等本质问题也不易克服;并且ITOsensor可量产的最窄的线宽线距为20μm*20μm,最薄也只能做到195μm。
技术实现思路
为克服现有技术中触控传感层相对较厚、不适宜可弯曲应用的问题,本专利技术提供了一种柔性导电材料触控传感器,其包括依次层叠设置的透明PI层、第一银网格导电图层、第一保护层、第二银网格导电图层和第二保护层;具体的,所述第一银网格导电图层设置于所述透明PI层上;所述第一保护层设置于所述第一银网格导电图层上;所述第二银网格导电图层设置于所述第一保护层上;所述第二保护层设置于所述第二银网格导电图层上。进一步的,所述第一银网格导电图层、第二银网格导电图层为具有纳米结构导电材料的银网格传感器。进一步的,所述第一银网格导电图层包括第一银网格图案和第一走线;所述第一银网格图案和所述第一走线是同时形成的;所述第二银网格导电图层包括第二银网格图案和第二走线;所述第二银网格图案和所述第二走线是同时形成的。进一步的,所述第一银网格图案的线宽为3.5-4μm;所述第二银网格图案的线宽为3.5-4μm;所述第一走线的线宽为6-8μm;所述第一走线与所述第一走线之间的线距为6-8μm;所述第二走线的线宽为6-8μm;所述第二走线与所述第二走线之间的线距为6-8μm。进一步的,所述透明PI层的厚度为9-11μm。更进一步的,所述第一银网格导电图层的厚度为0.5-0.7μm;所述第二银网格导电图层的厚度为0.5-0.7μm;所述第一保护层的厚度为1.5-2.0μm;所述第二保护层的厚度为1.0-1.5μm。另一方面,本专利技术提供一种柔性导电材料触控传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将PI液分散涂布在玻璃基板上,固化后形成透明PI层;S2、在透明PI层上涂布银胶油墨,经过预干、曝光、显影、固烤后形成第一银网格导电图层;所述第一银网格导电图层包括第一银网格图案和第一走线;S3、在所述第一银网格导电图层上涂布OC负性胶,经过预干、曝光、显影、固烤后形成第一保护层;S4、在所述第一保护层上涂布银胶油墨,经过预干、曝光、显影、固烤后形成第二银网格导电图层;所述第二银网格导电图层包括第二银网格图案和第二走线;S5、在所述第二银网格导电图层上涂布OC负性胶,经过预干、曝光、显影、固烤后形成第二保护层;所述玻璃基板、透明PI层、第一银网格导电图层、第一保护层、第二银网格导电图层和第二保护层共同构成触控传感器前体;S6、将所述触控传感器前体从所述玻璃基板上剥离,形成柔性导电材料触控传感器。进一步,所述第一银网格图案和所述第一走线是同时形成的;所述第二银网格图案和第二走线是同时形成的。更进一步,所述银胶油墨为具有纳米结构导电材料的银网格传感器。与现有技术相比,本专利技术具有以下有益效果:选用性能优良的薄膜类绝缘材料聚酰亚胺(PI)作为柔性导电材料触控传感器(AgMeshsensor)的基材,可适宜耐高低温性、耐弯折性;在上面涂布银胶油墨(AgMesh),通过曝光、显影、蚀刻成触控图文,AgMeshsensor比传统的ITOsensor更薄,线宽线距可达到8*8μm、总厚度小于15μm;且具有更好的弯折性能,能更好的适应未来柔性屏市场。本专利技术所提供的柔性导电材料触控传感器的制备方法,其中,涂布银胶油墨可同时曝光、显影、蚀刻成第一银网格图案和第一走线,而传统的ITOsensor是先做图案再做走线,可节省曝光显影的次数;并且AgMeshsensor的涂布是在每层固烤后直接涂布,因此,可节省制作工艺。通过本方法制备的产品,厚度更薄,弯折性好,能更好的适应未来柔性屏市场。附图说明图1是现有技术中ITOsensor的结构示意图。图2是本专利技术具体实施方式中提供的柔性导电材料触控传感器的结构示意图。图3是本专利技术具体实施方式中提供的柔性导电材料触控传感器所述第一银网格导电图层的示意图。图4是本专利技术提供的一种柔性导电材料触控传感器的制备方法的流程图。其中,11、上线ITO;12、OCA1;13、下线ITO;14、OCA2;15、玻璃盖板;16、FPC;111、上线PET薄膜;112、上线图案;113、上线走线;131、下线PET薄膜;132、下线图案;133、下线走线;21、透明PI层;22、第一银网格导电图层;23、第一保护层;24、第二银网格导电图层;25、第二保护层;221、第一银网格图案;222、第一走线;241、第二银网格图案;242、第二走线。具体实施方式为了使本专利技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。以下通过实施例对本专利技术进行进一步的说明。实施例1本实施例1提供的柔性导电材料触控传感器,如图2所示,包括依次层叠设置的透明PI层21、第一银网格导电图层22、第一保护层23、第二银网格导电图层24和第二保护层25;具体为:第一银网格导电图层22设置于透明PI层21上;第一保护层23设置于第一银网格导电图层22上;第二银网格导电图层24设置于第一保护层23上;第二保护层25设置于第二银网格导电图层24上。本专利技术主要是用于柔性触控屏中,因此柔性基底材料的选用也是本专利技术需要解决的技术问题。替代传统的PET薄膜或者树脂类薄膜基底,本专利技术选用聚酰亚胺,即PI作为柔性导电材料触控传感器的基材。聚酰亚胺具有优良的耐高低温性、耐弯折性,并且具有极高的透射率,是性能最好的薄膜类绝缘材料,特别适宜用作柔性触摸屏(全面屏)中柔性印制电路板基材。触控传感器的工作原理是通过压电材料或压阻材料产生的电容差,通过FPC(柔性印刷线路板)将电容信号有效搜索传递给触控主本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种柔性导电材料触控传感器,其特征在于,包括:透明PI层、第一银网格导电图层、第一保护层、第二银网格导电图层和第二保护层;所述第一银网格导电图层设置于所述透明PI层上;所述第一保护层设置于所述第一银网格导电图层上;所述第二银网格导电图层设置于所述第一保护层上;所述第二保护层设置于所述第二银网格导电图层上。
【技术特征摘要】
1.一种柔性导电材料触控传感器,其特征在于,包括:透明PI层、第一银网格导电图层、第一保护层、第二银网格导电图层和第二保护层;所述第一银网格导电图层设置于所述透明PI层上;所述第一保护层设置于所述第一银网格导电图层上;所述第二银网格导电图层设置于所述第一保护层上;所述第二保护层设置于所述第二银网格导电图层上。2.根据权利要求1所述的柔性导电材料触控传感器,其特征在于,所述第一银网格导电图层、第二银网格导电图层为具有纳米结构导电材料的银网格传感器。3.根据权利要求1所述的柔性导电材料触控传感器,其特征在于,所述第一银网格导电图层包括第一银网格图案和第一走线;所述第一银网格图案和所述第一走线是同时形成的;所述第二银网格导电图层包括第二银网格图案和第二走线;所述第二银网格图案和所述第二走线是同时形成的。4.根据权利要求3所述的柔性导电材料触控传感器,其特征在于,所述第一银网格图案的线宽为3.5-4μm;所述第二银网格图案的线宽为3.5-4μm。5.根据权利要求3所述的柔性导电材料触控传感器,其特征在于,所述第一走线的线宽为6-8μm;所述第一走线与所述第一走线之间的线距为6-8μm;所述第二走线的线宽为6-8μm;所述第二走线与所述第二走线之间的线距为6-8μm。6.根据权利要求1所述的柔性导电材料触控传感器,其特征在于,所述透明PI层的厚度为9-11μm。7.根据权利要求1-7任一项所述的柔性导电材料触控传感器,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋维,李飞,林汉塔,黎美锋,王令,
申请(专利权)人:深圳市骏达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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