P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法、制备方法及电池技术

本发明专利技术公开一种P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法、制备方法及电池，在背激光开槽图案上设置Mark1点，并在硅片上制作带有Mark1点的背面激光开槽区，再在背极主栅线网版上设置Mark2点，并在硅片上印刷带有Mark2点的背极主栅线；利用硅片上的Mark1点，通过调整硅片的位置，使背面激光开槽区对准背铝栅线网版上的背铝栅线，利用Mark2点，横向移动硅片，使背铝栅线网版上的背铝栅线与背极主栅线对准，印刷背铝栅线，使背铝栅线覆盖住背面激光开槽区，且与背极主栅线连接。本发明专利技术确保硅片的背铝栅线与背极主栅线实现有效连接，避免背铝栅线与背极主栅线脱离的情况发生，有效降低双面PERC太阳能电池的不良率。

Counter-printing method, preparation method and battery of P-type PERC double-sided solar cells

The invention discloses a P-type PERC double-sided solar cell counterpoint printing method, preparation method and battery. Mark 1 point is set on the back Laser Grooving pattern, and a back Laser Grooving area with Mark 1 point is made on the silicon wafer. Mark 2 points are set on the back main grid plate, and the back main grid line with Mark 2 points is printed on the silicon wafer; Mark 1 point on the silicon wafer is used to adjust the silicon by adjusting the silicon wafer. The position of the back Laser Grooving area is aligned with the back aluminum grid line on the back aluminum grid plate, and the back aluminum grid line on the back aluminum grid plate is aligned with the back main grid line by moving the silicon chip horizontally using Mark 2 points. The back aluminum grid line is printed to cover the back laser grooving area and connect with the back main grid line. The invention ensures that the back aluminum grid line of the silicon wafer is effectively connected with the back main grid line, avoids the separation of the back aluminum grid line from the back main grid line, and effectively reduces the bad rate of the double-sided PERC solar cell.

【技术实现步骤摘要】
P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法、制备方法及电池
本专利技术涉及太阳能电池技术，尤其涉及一种P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法，还涉及使用该对位印刷方法的P型PERC双面太阳能电池的制备方法，另涉及使用该制备方法制备的P型PERC双面太阳能电池。
技术介绍
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件。当太阳光照射在半导体P-N结上时，会形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成了电流。常规电池的背面设有背银电极和铝背场，尽管铝背场可以在硅片背表面形成P+P的高低结，但是背面的少数载流子复合仍然很严重，限制了转换效率的提升。随着对晶硅太阳能电池光电转换效率的要求越来越高，人们开始研究PERC背钝化太阳电池技术。目前，业界主流厂家的焦点集中在单面PERC太阳能电池的量产化。而对于双面PERC太阳能电池而言，由于其光电转换效率高，同时双面吸收太阳光，发电量更高，在实际应用中具有更大的使用价值。现有的PERC双面太阳能电池包括从下至上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极，背电极主要由呈垂直相交的背极主栅线和背极副栅线相连而成，背极副栅线通常是铝栅线，在背面氮化硅膜上开有贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜的开槽构成激光开槽区，铝栅线位于开槽内的部分与P型硅相连。在PERC双面太阳能电池的制备过程中，一般在背激光开槽图案上设置Mark点(基准点、位置识别点)，在背面印刷铝浆时，利用摄像头抓取Mark点实现背铝栅线与背激光开槽区的对准印刷，保证背铝栅线完全覆盖住激光开槽区。但是，这种印刷方式存在着以下缺点：在实际印刷时，背铝栅线可以覆盖住背激光开槽区，但不能实现背铝栅线与背极主栅线的准确连接。这是因为：背铝栅线的印刷是通过摄像头抓取激光开槽图案上的Mark点来实现背铝栅线和激光开槽图形的对准，但是激光开槽图形是通过激光设备的设置来定位于硅片正中心，而背银电极的印刷是通过人工调试网版将背极主栅网版图案定位于硅片正中心，由于背激光设备的激光开槽图形定位与人工调试的背极主栅图形定位之间存在误差，导致印刷在硅片背面的背铝栅线与背极主栅线的连接出现脱离的情况，从而影响电池性能。
技术实现思路
本专利技术的第一个目的在于提供一种工艺简单、生产成本低、可使背铝栅线与背极主栅线准确对位实现二者有效连接、降低电池不良率的P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法。本专利技术的第一个目的通过如下的技术方案来实现：一种P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法，其特征在于：在硅片上依次制作背面激光开槽区、背极主栅线和背铝栅线的工序中，先在背激光开槽图案上设置Mark1点，并在硅片上制作带有Mark1点的背面激光开槽区，再在背极主栅线网版上设置Mark2点，并在硅片上印刷带有Mark2点的背极主栅线；然后，利用硅片上的Mark1点，通过调整硅片的位置，使背面激光开槽区对准背铝栅线网版上的背铝栅线，再利用Mark2点，通过横向移动硅片，使背铝栅线网版上的背铝栅线与背极主栅线对准，再印刷背铝栅线，使背铝栅线覆盖住背面激光开槽区，且与背极主栅线连接。本专利技术通过在硅片上制作带有Mark1点的激光开槽区和带有Mark2点的背极主栅线，在印刷背铝栅线时，先利用Mark1点，通过调整X(横轴)，Y(纵轴)，θ(角度)三个参数调整硅片的位置，将背铝栅线网版上的背铝栅线与激光开槽区对准，再利用Mark2点，通过在X(横轴)上调整硅片的位置，将背铝栅线网版上的背铝栅线与背极主栅线对准，从而确保硅片的背铝栅线与背极主栅线实现有效连接，避免背铝栅线与背极主栅线脱离的情况发生，可有效降低双面PERC太阳能电池的不良率。而且，本专利技术工艺步骤简单，生产成本低、易于实现，适合于大规模量产。本专利技术的第二个目的在于提供一种使用上述P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法的P型PERC双面太阳能电池制备方法。本专利技术的第二个目的通过如下的技术方案来实现：一种P型PERC双面太阳能电池制备方法，使用上述的P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法。具体而言，一种使用上述P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法的P型PERC双面太阳能电池制备方法，其特征在于包括以下步骤：⑴在P型硅的正面形成绒面；⑵在由步骤⑴所得产品的正面进行扩散，形成N型发射极；⑶利用扩散后的磷硅玻璃为磷源，在由步骤⑵所得产品的正面进行激光掺杂，形成正面激光开槽区；⑷去除由步骤⑶所得产品在扩散过程形成的磷硅玻璃和周边PN结；⑸对步骤⑷所得产品进行退火处理；⑹在由步骤⑸所得产品的背面依次沉积氧化铝膜和背面氮化硅膜，再在正面沉积正面氮化硅膜，或者在由步骤⑸所得产品的正面沉积正面氮化硅膜，再在背面依次沉积氧化铝膜和背面氮化硅膜；⑺在背激光开槽图案上设置Mark1点，在由步骤⑹所得产品上制作带有Mark1点的背面激光开槽区；⑻利用设置了Mark2点的背极主栅线网版，在由步骤⑺所得产品的背面印刷带有Mark2点的背极主栅线；⑼利用Mark1点，通过调整由步骤⑻所得产品的位置，使背面激光开槽区对准背铝栅线网版上的背铝栅线，再利用Mark2点，通过横向移动由步骤⑻所得产品，使背铝栅线网版上的背铝栅线与背极主栅线对准，在由步骤⑻所得产品的背面上印刷背铝栅线，背铝栅线覆盖住背面激光开槽区，并与背极主栅线连接；⑽在由步骤⑼所得产品的正面激光开槽区上印刷正电极浆料，正电极浆料覆盖住正面激光开槽区；⑾将由步骤⑽所得产品进行高温烧结，形成背面电极和正面电极；⑿对由步骤⑾所得产品抗LID(光致衰减)退火即得。本专利技术的第三个目的通过如下的技术方案来实现：一种使用上述P型PERC双面太阳能电池制备方法制备的P型PERC双面太阳能电池。具体而言，一种使用上述P型PERC双面太阳能电池制备方法制备的P型PERC双面太阳能电池，包括从下至上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极，所述背电极主要由呈垂直相交的背极主栅线和背铝栅线相连而成，在所述背面氮化硅膜上开有数条贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜的开槽构成背面激光开槽区，所述P型硅露于所述开槽中，所述背铝栅线位于开槽中的部分与P型硅相连，其特征在于：所述背极主栅线带有Mark2点，其采用设置了Mark2点的背极主栅线网版印刷而成，通过在背激光开槽图案上设置Mark1点，并制作带有Mark1点的背面激光开槽区，利用Mark1点，使背面激光开槽区对准背铝栅线网版上的背铝栅线，再利用Mark2点，使背铝栅线网版上的背铝栅线与背极主栅线对准，印刷背铝栅线，使背铝栅线覆盖住背面激光开槽区，并与背极主栅线连接。作为本专利技术的一种优选实施方式，Mark1点设置在背面氮化硅膜上，所述Mark1点和背面激光开槽区的相对位置预先设定，通过定位Mark1点并根据背面激光开槽区与Mark1点之间的相对位置进行背面激光开槽区和背铝栅线的对位；所述Mark2点设置在背面氮化硅膜上，所述Mark2点和背极主栅线的相对位置预先设定，通过定位Mark2点并根据背极主栅线与Mark2点之间的相对位置进行背极主栅线和背铝栅线的对位。作为本专利技术的一种优选实施方式，所述Mark1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法，其特征在于：在硅片上依次制作背面激光开槽区、背极主栅线和背铝栅线的工序中，先在背激光开槽图案上设置Mark1点，并在硅片上制作带有Mark1点的背面激光开槽区，再在背极主栅线网版上设置Mark2点，并在硅片上印刷带有Mark2点的背极主栅线；然后，利用硅片上的Mark1点，通过调整硅片的位置，使背面激光开槽区对准背铝栅线网版上的背铝栅线，再利用Mark2点，通过横向移动硅片，使背铝栅线网版上的背铝栅线与背极主栅线对准，再印刷背铝栅线，使背铝栅线覆盖住背面激光开槽区，且与背极主栅线连接。

【技术特征摘要】
1.一种P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法，其特征在于：在硅片上依次制作背面激光开槽区、背极主栅线和背铝栅线的工序中，先在背激光开槽图案上设置Mark1点，并在硅片上制作带有Mark1点的背面激光开槽区，再在背极主栅线网版上设置Mark2点，并在硅片上印刷带有Mark2点的背极主栅线；然后，利用硅片上的Mark1点，通过调整硅片的位置，使背面激光开槽区对准背铝栅线网版上的背铝栅线，再利用Mark2点，通过横向移动硅片，使背铝栅线网版上的背铝栅线与背极主栅线对准，再印刷背铝栅线，使背铝栅线覆盖住背面激光开槽区，且与背极主栅线连接。2.一种P型PERC双面太阳能电池制备方法，使用权利要求1所述的P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法。3.一种使用权利要求1所述P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法的P型PERC双面太阳能电池制备方法，其特征在于包括以下步骤：⑴在P型硅的正面形成绒面；⑵在由步骤⑴所得产品的正面进行扩散，形成N型发射极；⑶利用扩散后的磷硅玻璃为磷源，在由步骤⑵所得产品的正面进行激光掺杂，形成正面激光开槽区；⑷去除由步骤⑶所得产品在扩散过程形成的磷硅玻璃和周边PN结；⑸对步骤⑷所得产品进行退火处理；⑹在由步骤⑸所得产品的背面依次沉积氧化铝膜和背面氮化硅膜，再在正面沉积正面氮化硅膜，或者在由步骤⑸所得产品的正面沉积正面氮化硅膜，再在背面依次沉积氧化铝膜和背面氮化硅膜；⑺在背激光开槽图案上设置Mark1点，在由步骤⑹所得产品上制作带有Mark1点的背面激光开槽区；⑻利用设置了Mark2点的背极主栅线网版，在由步骤⑺所得产品的背面印刷带有Mark2点的背极主栅线；⑼利用Mark1点，通过调整由步骤⑻所得产品的位置，使背面激光开槽区对准背铝栅线网版上的背铝栅线，再利用Mark2点，通过横向移动由步骤⑻所得产品，使背铝栅线网版上的背铝栅线与背极主栅线对准，在由步骤⑻所得产品的背面上印刷背铝栅线，背铝栅线覆盖住背面激光开槽区，并与背极主栅线连接；⑽在由步骤⑼所得产品的正面激光开槽区上印刷正电极浆料，正电极浆料覆盖住正面激光开槽区；⑾将由步骤⑽所得产品进行高温烧结，形成背面电极和正面电极；⑿对由步骤⑾所得产品抗LID退火即...

【专利技术属性】
技术研发人员：林纲正，方结彬，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33