The present application relates to a cleaning method for reducing the particle size of wafer surface, which belongs to the field of semiconductor processing technology. The method comprises cleaning and drying the wafer cleaned with a cleaning solution to produce a wafer with low surface granularity; the cleaning and drying steps include gas washing and/or drying, and the drying includes at least the first and second drying; the temperature of the first drying is higher than that of the second drying. The application method can effectively remove particulate contaminants on the surface of wafers, such as silicon carbide wafers, so that the particle size on the wafer surface is less than 50, and there is no water stain on the wafer surface, which improves the quality of wafer products, improves the wafer pass rate, reduces the probability of impurities embedded in the wafer to affect the electronic performance of the wafer, reduces the cost and reduces the loss of wafer surface. Injury.
【技术实现步骤摘要】
一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法
本申请涉及一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法,属于半导体加工
技术介绍
碳化硅单晶是最重要的第三代半导体材料之一,因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质,而被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。提供的碳化硅晶片往往要经过机械削磨或化学腐蚀工艺,才能使碳化硅晶片的表面光洁平坦,但是碳化硅晶片在研磨后,碳化硅晶片的表面会附着有微粒子,微粒子会成为污染物颗粒,必须从碳化硅晶片表面完全去除才能保持碳化硅电子器件的可靠性。现有技术中碳化硅晶片清洗结构后都是采用一次甩干,导致碳化硅晶片无法甩净,需要反复清洗,且甩干后,碳化硅晶片表面颗粒度大约为100~300个,而且碳化硅晶片表面水渍明显。
技术实现思路
为解决上述问题,本申请提供了一种在晶片被研磨、切割和/或抛光后从晶片表面上清除颗粒污染物的清洁方法,可提高晶片通过率,减少杂质嵌入晶片的内部以影响晶片的电子性能,降低成本,减少原材料的消耗,降低晶片表面的损伤。本申请提供一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法,其特征在于,将用清洗液清洗的晶片经清洁干燥处理,即制得表面颗粒度低的晶片;所述清洁干燥步骤包括气体冲洗和/或甩干,所述甩干至少包括第一次甩干和第二次甩干;所述第一次甩干的温度大于第二次甩干的温度。可选地,所述第一次甩干的温度40-60℃;所述第二次甩干的温度为15-35℃。进一步地,所述第一次甩干的温度45-55℃;所述第二次甩干的温度为20-30℃。更进一步地,所述第一次甩干的温度50℃;所述第二次甩干的温度为25℃。可选地,所述第一次甩 ...
【技术保护点】
1.一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法,其特征在于,包括:将用清洗液清洗的晶片经清洁干燥处理,即制得表面颗粒度低的晶片;所述清洁干燥步骤包括气体冲洗和/或甩干,所述甩干至少包括第一次甩干和第二次甩干;所述第一次甩干的温度大于第二次甩干的温度。
【技术特征摘要】
1.一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法,其特征在于,包括:将用清洗液清洗的晶片经清洁干燥处理,即制得表面颗粒度低的晶片;所述清洁干燥步骤包括气体冲洗和/或甩干,所述甩干至少包括第一次甩干和第二次甩干;所述第一次甩干的温度大于第二次甩干的温度。2.根据权利要求1所述的清洁方法,其特征在于,所述第一次甩干的温度40-60℃;所述第二次甩干的温度为15-35℃。3.根据权利要求1所述的清洁方法,其特征在于,所述第一次甩干的转速1800-2200r/min,时间2-5min,加热温度40-60℃。4.根据权利要求1所述的清洁方法,其特征在于,所述第二次甩干的转速500-1000r/min,时间3-8min,15-35℃。5.根据权利要求1所述的清洁方法,其特征在于,所述气体冲洗使用的气体为非活性气体,所述气体冲洗的压力为1-1.3MPa;优选地,所述气体冲洗使用的气体为氮气。6.根据权利要求1所述的清洁方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:牛长峰,王伟,
申请(专利权)人:山东天岳先进材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:山东,37
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