【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的高功率微波应用
本专利技术涉及半导体领域，其中所涉及一种半导体器件的高功率微波应用。
技术介绍
在微波频段，相对于半导体器件，真空电子器件虽然具有高功率、高效率等显著的优点，但同时具有体积大、重量重、一致性差等缺点。因而随着半导体器件的快速发展，真空电子器件如行波管、返波管、速调管、磁控管等在通讯、雷达、制导、电子对抗、微波加热、加速器、受控热核聚变等领域面临着巨大的挑战。因此，真空电子器件急需向小型化方向发展、同时需要进一步提高功率，以应对来自半导体器件的挑战。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述问题，从而提供一种半导体器件的高功率微波应用。本专利技术将小功率时为非线性检波、非线性变频和非线性压缩效应，大功率时为非线性损伤效应；非线性检波、非线性变频是高频HPM能量转换成低频能量对低频电子系统发生干扰、扰乱效应的主要机制，获得了非线性检波/变频电压随HPM功率增大而增大但增长速率变慢的效应规律，得出检波/变频电压与微波功率的经验公式，获得了检波效率随带外微波频率增大而减小的效应规律；非线性压缩效应是微波器件HPM干扰效应的主要机制。导体内部不可避免存在缺陷，缺陷使半导体PN结或氧化层局部HPM击穿损伤，在PN结或氧化层内部形成低电阻通道，对正常信号旁路分流，使半导体器件损伤降级；半导体损伤电流、损伤耗散功率、损伤程度随HPM功率增大而增大，损伤电阻随HPM功率增大而减小。基区烧毁面积与缺陷数量随高功率微波作用的时间与功率增大而增大，不同的烧毁面积引起失效器件的直流特性将发生变化。器件仿真与实验结果吻合较好。通过效应实验和失效分析，揭示了栅氧...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的高功率微波应用，将小功率时为非线性检波、非线性变频和非线性压缩效应，大功率时为非线性损伤效应；非线性检波、非线性变频是高频HPM能量转换成低频能量对低频电子系统发生干扰、扰乱效应的主要机制，获得了非线性检波/变频电压随HPM功率增大而增大但增长速率变慢的效应规律，得出检波/变频电压与微波功率的经验公式，获得了检波效率随带外微波频率增大而减小的效应规律；非线性压缩效应是微波器件HPM干扰效应的主要机制。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的高功率微波应用，将小功率时为非线性检波、非线性变频和非线性压缩效应，大功率时为非线性损伤效应；非线性检波、非线性变频是高频HPM能量转换成低频能量对低频电子系统发生干扰、扰乱效应的主要机制，获得了非线性检波/变频电压随HPM功率增大而增大但增长速率变慢的效应规律，得出检波/变频电压与微波功率的经验公式，获得了检波效率随带外微波频率增大而减小的效应规律；非线性压缩效应是微波器件HPM干扰效应的主要机制。2.根据权利要求1所述的导体内部不可避免存在缺陷，缺陷使半导体PN结或氧化层局部HPM击穿损伤，在PN结或氧化层内部形成低电阻通道，对正常信号旁路分流，使半导体器件损伤降级；半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：泰瑞科微电子淮安有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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