一种钝化接触结构及太阳能电池制造技术

本申请公开了一种钝化接触结构及太阳能电池，所述钝化接触结构包括基底，所述基底的第一表面区域上设置所述第一掺杂层，所述第一掺杂层背离所述基底的表面至少局部区域上设置所述钝化隧穿层，所述钝化隧穿层背离所述第一掺杂层的表面局部区域上设置所述掺杂膜层，所述第一掺杂层、所述掺杂膜层和所述钝化隧穿层表面共同形成的区域上设置所述第一介质膜层；所述第一电极穿过所述第一介质膜层与所述掺杂膜层接触。将第一掺杂层与第一电极分开，可以有效的屏蔽第一电极的高复合作用，显著地降低表面复合，给电池提供良好的表面钝化，从而提高太阳电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种钝化接触结构及太阳能电池
本专利技术一般涉及太阳能电池
，具体涉及一种钝化接触结构及太阳能电池。
技术介绍
目前的太阳电池片结构均是在太阳电池的表面制备一层掺杂层，然后再在其上制备介质膜层及金属电极。在这种情况下，金属电极和掺杂层接触的区域直接接触。通常情况下由于金属和半导体接触形成了载流子复合中心，造成太阳电池载流子的复合速率极高，影响钝化性能，从而造成电池性能的大幅下降。因此需要有较好的办法降低金属复合对钝化带来的影响。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种钝化接触结构及太阳能电池。为了克服现有技术的不足，本专利技术所提供的技术方案是：一种钝化接触结构，其特殊之处在于：包括基底、第一掺杂层、钝化隧穿层、掺杂膜层、第一介质膜层和第一电极；所述基底的第一表面区域上设置所述第一掺杂层；所述第一掺杂层背离所述基底的表面至少局部区域上设置所述钝化隧穿层；所述钝化隧穿层背离所述第一掺杂层的表面局部区域上设置所述掺杂膜层；所述第一掺杂层、所述掺杂膜层和所述钝化隧穿层表面共同形成的区域上设置所述第一介质膜层；所述第一电极穿过所述第一介质膜层与所述掺杂膜层接触。进一步地，所述钝化隧穿层与所述第一掺杂层的面积大小相同，所述第一介质膜层设置于所述钝化隧穿层和所述掺杂膜层表面共同形成的区域上。进一步地，所述钝化隧穿层与所述掺杂膜层的面积大小相同，所述第一介质膜层设置于所述第一掺杂层、所述钝化隧穿层和所述掺杂膜层的表面共同形成的区域上。进一步地，所述掺杂膜层包括半导体材质和掺杂元素，所述半导体材质包括多晶硅和非晶硅中的一种或多种；所述掺杂元素包括第五主族元素或第三主族元素中的一种。进一步地，所述掺杂元素的浓度大于1×1015个/cm3。进一步地，所述掺杂膜层的厚度为5-300nm。进一步地，所述钝化隧穿层包括氧化硅、氮氧化硅、非晶硅、氧化铝、氧化钛、氮化硅和碳化硅中的一种。进一步地，所述钝化隧穿层的厚度为0.1-5nm。进一步地，所述第一掺杂层的方块电阻为50ohm/sq-300ohm/sq。第二方面，本专利技术还提供了一种太阳能电池，其特殊之处在于：包括第二介质膜层、第二电极和所述的钝化接触结构，所述基底的第二表面区域上设置所述第二介质膜层，所述第二电极穿过所述第二介质膜层与所述基底接触。进一步地，所述钝化接触结构中的所述基底为p型硅基底，第一掺杂层为n型的掺杂层，掺杂膜层为n型的掺杂膜层。进一步地，所述掺杂膜层包括半导体材质和掺杂元素，所述半导体材质包括多晶硅和非晶硅中的一种或多种；所述掺杂元素包括第五主族元素中的一种。进一步地，所述第一介质膜层和所述第二介质膜层均包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的一种或多种。第三方面，本专利技术还提供了一种太阳能电池，其特殊之处在于：包括第二掺杂层、第二介质膜层、第二电极和所述的钝化接触结构，所述基底的第二表面区域上设置所述第二掺杂层，所述第二掺杂层上设置所述第二介质膜层，所述第二电极穿过所述第二介质膜层与所述第二掺杂层接触。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术的钝化接触结构包括基底，所述基底的第一表面区域上设置所述第一掺杂层，所述第一掺杂层背离所述基底的表面至少局部区域上设置所述钝化隧穿层，所述钝化隧穿层背离所述第一掺杂层的表面局部区域上设置所述掺杂膜层，所述第一掺杂层、所述掺杂膜层和所述钝化隧穿层表面共同形成的区域上设置所述第一介质膜层；所述第一电极穿过所述第一介质膜层与所述掺杂膜层接触。将第一掺杂层与第一电极分开，可以有效的屏蔽第一电极的高复合作用，显著地降低表面复合，给电池提供良好的表面钝化，从而提高太阳能电池的转换效率。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本专利技术实施例提供的钝化接触结构的第一种结构图；图2为本专利技术实施例提供的钝化接触结构的第二种结构图；图3为本专利技术实施例提供的钝化接触结构的第三种结构图；图4为本专利技术实施例提供的p型硅基底单面太阳能电池的第一种结构图；图5为图4中第一电极的分布示意图；图6为图4中第二电极的分布示意图；图7为本专利技术实施例提供的p型硅基底双面太阳能电池结构图；图8为图7中第一电极的分布示意图；图9为图7中第二电极的分布示意图；图10为本专利技术实施例提供的包括第二接触电极掺杂层的p型硅基底双面太阳能电池结构图；图11为本专利技术实施例提供的n型硅基底双面太阳能电池的结构图；图12为本专利技术实施例提供的p型硅基底双面太阳能电池的第二种结构图。图中：1-基底，2-第一掺杂层，3-钝化隧穿层，4-掺杂膜层，5-第一介质膜层，6-第二介质膜层，7-第一接触电极，8-第一连接电极，9-第二接触电极，10-第二连接电极，11-第二接触电极掺杂层，12-合金层。具体实施方式下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与专利技术相关的部分。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。如
技术介绍
中提到的，目前的太阳电池片结构均是在太阳电池的表面制备一层掺杂层，然后再在其上制备介质膜层及金属电极。在这种情况下，金属电极和掺杂层接触的区域直接接触。通常情况下由于金属和半导体接触形成了载流子复合中心，造成太阳电池载流子的复合速率极高，影响钝化性能，从而造成电池性能的大幅下降。因此需要有较好的办法降低金属复合对钝化带来的影响。参见图1，本实施例提供一种钝化接触结构，包括基底1、掺杂层第一掺杂层2、钝化隧穿层、掺杂膜层、第一介质膜层5和第一电极；所述基底1的第一表面区域上复合设置所述掺杂层第一掺杂层2；所述掺杂层第一掺杂层2背离所述基底1的表面至少局部区域上复合设置所述钝化隧穿层3；所述钝化隧穿层3背离所述掺杂层第一掺杂层2的表面局部区域上复合设置所述掺杂膜层4；所述掺杂层第一掺杂层2、所述掺杂膜层4和所述钝化隧穿层3表面共同形成的区域上复合设置所述第一介质膜层5；所述第一电极穿过所述第一介质膜层5与所述掺杂膜层4接触。第一电极是金属电极，第一电极穿过第一介质膜层5后仅与掺杂膜层4形成接触，由于第一电极与第一掺杂层2发射极并不接触，因此屏蔽了金属接触的高复合影响，这样可以大幅降低上述太阳电池钝化接触区的复合速率，从而提高电池转换效率。参见图2，作为一种可实现方式，所述钝化隧穿层3与所述第一掺杂层2的面积大小相同，所述第一介质膜层5设置于所述钝化隧穿层3和所述掺杂膜层4表面共同形成的区域上。参见图3，作为一种可实现方式，所述钝化隧穿层3与所述掺杂膜层4的面积大小相同，所述第一介质膜层5设置于所述第一掺杂层2、所述钝化隧穿层3和所述掺杂膜层4的表面共同形成的区域上。本申请对基底1、第一掺杂层2和掺杂膜层4没有特别限制，以本领域技术人员熟知的太阳能电池的基底1即可，本领域技术人员可以根据实际应用情况和产品性能进行选择调整。可以遵循的原则是：采用具有第一导电类型的基底1，采用具有第二导电类型的第一掺杂层2和掺杂膜层4。当然地，也可以遵循的原则是：采用具有第一导电类型的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钝化接触结构，其特征在于：包括基底、第一掺杂层、钝化隧穿层、掺杂膜层、第一介质膜层和第一电极；所述基底的第一表面区域上设置所述第一掺杂层；所述第一掺杂层背离所述基底的表面至少局部区域上设置所述钝化隧穿层；所述钝化隧穿层背离所述第一掺杂层的表面局部区域上设置所述掺杂膜层；所述第一掺杂层、所述掺杂膜层和所述钝化隧穿层表面共同形成的区域上设置所述第一介质膜层；所述第一电极穿过所述第一介质膜层与所述掺杂膜层接触。

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触结构，其特征在于：包括基底、第一掺杂层、钝化隧穿层、掺杂膜层、第一介质膜层和第一电极；所述基底的第一表面区域上设置所述第一掺杂层；所述第一掺杂层背离所述基底的表面至少局部区域上设置所述钝化隧穿层；所述钝化隧穿层背离所述第一掺杂层的表面局部区域上设置所述掺杂膜层；所述第一掺杂层、所述掺杂膜层和所述钝化隧穿层表面共同形成的区域上设置所述第一介质膜层；所述第一电极穿过所述第一介质膜层与所述掺杂膜层接触。2.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：所述钝化隧穿层与所述第一掺杂层的面积大小相同，所述第一介质膜层设置于所述钝化隧穿层和所述掺杂膜层表面共同形成的区域上。3.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：所述钝化隧穿层与所述掺杂膜层的面积大小相同，所述第一介质膜层设置于所述第一掺杂层、所述钝化隧穿层和所述掺杂膜层的表面共同形成的区域上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的钝化接触结构，其特征在于：所述掺杂膜层包括半导体材质和掺杂元素，所述半导体材质包括多晶硅和非晶硅中的一种或多种；所述掺杂元素包括第五主族元素或第三主族元素中的一种。5.根据权利要求4所述的太阳电池的钝化接触结构，其特征在于，所述掺杂元素的浓度大于1×1015个/cm3。6.根据权利要求1所述的太阳电池的钝化接触结构，其特征在于，所述掺杂膜层的厚度为5-300nm。7.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，童洪波，靳玉鹏，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32