晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，能够防止在晶片的内部发生了反射、散射的激光束对器件造成破坏。该晶片的加工方法包含如下的步骤：改质层形成步骤，在晶片的内部形成沿着分割预定线的改质层；以及分割步骤，对晶片赋予力而以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割，改质层形成步骤包含：往路改质层形成步骤；返路改质层形成步骤；以及相移掩模反转步骤，在往路改质层形成步骤之后且在返路改质层形成步骤之前，或者在返路改质层形成步骤之后且在往路改质层形成步骤之前，使该相移掩模反转，以使得向晶片照射的该激光束的相位的分布在X轴方向上反转。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，利用透过性的激光束对晶片的内部进行改质。
技术介绍
在以移动电话或个人计算机为代表的电子设备中，包含集成电路等器件的器件芯片是必须的构成要素。器件芯片例如是通过以下方式得到的：利用多条分割预定线(间隔道)对由硅等半导体材料制成的晶片的正面侧进行划分，在各区域中形成器件，然后，通过沿着该分割预定线对晶片进行分割。作为对晶片进行分割的方法之一，公知有如下的方法：从晶片的背面侧照射透过性的激光束并使其会聚于晶片的内部，从而对该晶片的内部进行改质，形成比其他区域脆的改质层(改质区域)(例如，参照专利文献1)。在沿着分割预定线形成了改质层之后，只要对晶片施力便能够以该改质层为起点将晶片分割成多个器件芯片。专利文献1：日本特开2002-192370号公报在上述方法中，由于使用透过晶片的波长的激光束，所以从晶片的背面侧照射的激光束的一部分未被吸收而是到达晶片的正面侧。因此，例如，在从改质层不规则地伸展出微细的裂纹的情况下，有时被该裂纹反射、散射的激光束到达正面侧的器件而使器件受到破坏。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于，提供一种新的晶片的加工方法，能够防止在晶片的内部反射、散射的激光束对器件造成破坏。根据本专利技术的一个方式，提供晶片的加工方法，使用激光加工装置对在由多条分割预定线划分的正面侧的各区域内形成有器件的晶片进行加工，该激光加工装置具有：保持构件，其对晶片进行保持；激光束照射构件，其对该保持构件所保持的晶片照射具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层；以及加工进给构件，其使该保持构件和该激光束照射构件相对地在X轴方向上移动，其中，该激光束照射构件包含：振荡器，其脉冲振荡出该激光束；聚光器，其对该振荡器振荡出的该激光束进行会聚而对晶片进行照射；以及相移掩模，其配置在该振荡器与该聚光器之间，使向该聚光器引导的该激光束的一部分与剩余的一部分之间形成180度的相位差，以使得向该晶片照射的该激光束的强度分布具有在X轴方向上分离的两个峰，该晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，一边按照使该激光束会聚于晶片的内部的条件从晶片的背面侧向晶片的与该分割预定线对应的区域照射该激光束，一边使该保持构件和该激光束照射构件相对地在X轴方向上移动，从而在晶片的内部形成沿着该分割预定线的改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片赋予力而以该改质层为起点沿着该分割预定线对晶片进行分割，该改质层形成步骤包含如下的步骤：往路改质层形成步骤，一边使该激光束照射构件相对于该保持构件向该X轴方向的一侧相对地移动，一边对晶片照射该激光束；返路改质层形成步骤，一边使该激光束照射构件相对于该保持构件向该X轴方向的另一侧相对地移动，一边对晶片照射该激光束；以及相移掩模反转步骤，在往路改质层形成步骤之后且在返路改质层形成步骤之前，或者在返路改质层形成步骤之后且在往路改质层形成步骤之前，使该相移掩模反转，以使得向该晶片照射的该激光束的相位的分布在X轴方向上反转。在本专利技术的一个方式中，也可以是，在该往路改质层形成步骤中，通过该相移掩模使形成该X轴方向的另一侧的该峰的该激光束的相位相对于形成该X轴方向的一侧的该峰的该激光束的相位滞后180度，在该返路改质层形成步骤中，通过该相移掩模使形成该X轴方向的一侧的该峰的该激光束的相位相对于形成该X轴方向的另一侧的该峰的该激光束的相位滞后180度。并且，在本专利技术的一个方式中，也可以是，该振荡器所振荡出的该激光束的波长为1300nm以上且1400nm以下。在本专利技术的一个方式的晶片的加工方法中，使用包含相移掩模的激光束照射构件，向晶片照射具有在X轴方向上分离的两个峰的强度分布的激光束。由此，能够防止在晶片的内部发生了反射、散射的激光束对器件造成破坏。通过激光束的两个峰来控制裂纹伸展的方向，将裂纹从改质层向不规则的方向伸展的可能性抑制为较低，抑制了因该不规则的裂纹产生的激光束的反射、散射，从而能够防止器件被破坏。并且，在本专利技术的一个方式的晶片的加工方法中，在往路改质层形成步骤之后且在返路改质层形成步骤之前，或者在返路改质层形成步骤之后且在往路改质层形成步骤之前，使相移掩模反转，以使得向晶片照射的激光束的相位的分布在X轴方向上反转。由此，即使保持构件与激光束照射构件的相对移动方向发生改变，也能够按照一定的加工条件对晶片进行高精度地加工。附图说明图1是示意性地示出激光加工装置的结构例的立体图。图2是示意性地示出激光束照射单元的结构例的图。图3的(A)是示意性地示出相移掩模的结构例的俯视图，图3的(B)是示意性地示出相移掩模的结构例的侧视图。图4是示意性地示出穿过相移掩模等的激光束的情形的图。图5是示意性地示出晶片等的结构例的立体图。图6的(A)和图6的(B)是示意性地示出通过往路改质层形成步骤在晶片的内部形成改质层的情形的局部剖视侧视图。图7是示意性地示出通过往路改质层形成步骤形成的改质层的配置等的俯视图。图8是示意性地示出通过相移掩模反转步骤使相移掩模反转后的状态的图。图9的(A)和图9的(B)是示意性地示出通过返路改质层形成步骤在晶片的内部形成改质层的情形的局部剖视侧视图。标号说明11：晶片；11a：正面；11b：背面；13：分割预定线(间隔道)；15：器件；17：粘合带；19：框架；21、21a、21b：改质层；L：激光束；L1：第1激光束；L2：第2激光束；P1、P2：峰；2：激光加工装置；4：基台；6：卡盘工作台(保持构件)；6a：保持面；8：水平移动机构(加工进给构件、分度进给构件)；10：X轴导轨；12：X轴移动工作台；14：X轴滚珠丝杠；16：X轴脉冲电动机；18：Y轴导轨；20：Y轴移动工作台；22：Y轴滚珠丝杠；24：Y轴脉冲电动机；26：工作台安装座；28：盖；30：支承构造；30a：柱部；30b：臂部；32：激光束照射单元(激光束照射构件)；34：照相机；36：振荡器；38：调整器；40：反射镜；42：相移掩模；42a：边界；44：第1区域；46：第2区域；48：透镜。具体实施方式参照附图对本专利技术的一个方式的实施方式进行说明。本实施方式的晶片的加工方法包含改质层形成步骤和分割步骤。在改质层形成步骤中，向晶片照射具有在X轴方向上分离的两个峰的强度分布的激光束，在晶片的内部形成沿着分割预定线的改质层(改质区域)。在分割步骤中，以该改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割。以下，对本实施方式的晶片的加工方法进行详述。图1是示意性地示出在本实施方式的晶片的加工方法中使用的激光加工装置2的结构例的立体图。如图1所示，激光加工装置2具有搭载各构成要素的基台4。在基台4的上表面设置有水平移动机构(加工进给构件、分度进给构件)8，该水平移动机构8使对晶片11(参照图5等)进行吸引、保持的卡盘工作台(保持构件)6在X轴方向(加工进给方向)和Y轴方向(分度进给方向)上移动。水平移动机构8具有固定在基台4的上表面的、与X轴方向大致平行的一对X轴导轨10。在X轴导轨10上以能够滑动的方式安装有X轴移动工作台12。在X轴移动工作台12的背面侧(下表面侧)设置有螺母部(未图示)，该螺母部与大致平行于X轴导轨10的X轴滚珠丝杠14螺合。X本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，使用激光加工装置对在由多条分割预定线划分的正面侧的各区域内形成有器件的晶片进行加工，该激光加工装置具有：保持构件，其对晶片进行保持；激光束照射构件，其对该保持构件所保持的晶片照射具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层；以及加工进给构件，其使该保持构件和该激光束照射构件相对地在X轴方向上移动，该晶片的加工方法的特征在于，该激光束照射构件包含：振荡器，其脉冲振荡出该激光束；聚光器，其对该振荡器所振荡出的该激光束进行会聚而对晶片进行照射；以及相移掩模，其配置在该振荡器与该聚光器之间，使向该聚光器引导的该激光束的一部分与剩余的一部分之间形成180度的相位差，以使得向该晶片照射的该激光束的强度分布具有在X轴方向上分离的两个峰，该晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，一边按照使该激光束会聚于晶片的内部的条件从晶片的背面侧向晶片的与该分割预定线对应的区域照射该激光束，一边使该保持构件和该激光束照射构件相对地在X轴方向上移动，从而在晶片的内部形成沿着该分割预定线的改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片赋予力而以该改质层为起点沿着该分割预定线对晶片进行分割，该改质层形成步骤包含如下的步骤：往路改质层形成步骤，一边使该激光束照射构件相对于该保持构件向该X轴方向的一侧相对地移动，一边对晶片照射该激光束；返路改质层形成步骤，一边使该激光束照射构件相对于该保持构件向该X轴方向的另一侧相对地移动，一边对晶片照射该激光束；以及相移掩模反转步骤，在往路改质层形成步骤之后且在返路改质层形成步骤之前，或者在返路改质层形成步骤之后且在往路改质层形成步骤之前，使该相移掩模反转，以使得向该晶片照射的该激光束的相位的分布在X轴方向上反转。...

【技术特征摘要】
2017.11.28 JP 2017-2278471.一种晶片的加工方法，使用激光加工装置对在由多条分割预定线划分的正面侧的各区域内形成有器件的晶片进行加工，该激光加工装置具有：保持构件，其对晶片进行保持；激光束照射构件，其对该保持构件所保持的晶片照射具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层；以及加工进给构件，其使该保持构件和该激光束照射构件相对地在X轴方向上移动，该晶片的加工方法的特征在于，该激光束照射构件包含：振荡器，其脉冲振荡出该激光束；聚光器，其对该振荡器所振荡出的该激光束进行会聚而对晶片进行照射；以及相移掩模，其配置在该振荡器与该聚光器之间，使向该聚光器引导的该激光束的一部分与剩余的一部分之间形成180度的相位差，以使得向该晶片照射的该激光束的强度分布具有在X轴方向上分离的两个峰，该晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，一边按照使该激光束会聚于晶片的内部的条件从晶片的背面侧向晶片的与该分割预定线对应的区域照射该激光束，一边使该保持构件和该激光束照射构件相对地在X轴方向上移动，从而在晶片的内部形成沿着该分割预定线的改质层；以及分割步骤，...

【专利技术属性】
技术研发人员：植木笃，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP