半导体装置结构的形成方法制造方法及图纸

提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含形成第一层于第二层上方。此方法包含在第一层中形成第一凹口和第二凹口，第一凹口比第二凹口窄。此方法包含在第一凹口和第二凹口中形成第一覆盖层，在第一凹口中的第一覆盖层比在第二凹口中的第一覆盖层薄。此方法包含移除第一凹口中的第一覆盖层和覆盖第一底表面的第一覆盖层，以在第二凹口中的第一覆盖层中形成第一开口。此方法包含通过第一凹口和第一开口移除第一部分和第二部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构的形成方法
本专利技术实施例涉及半导体技术，且特别涉及半导体装置结构的形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)工业已经历了快速成长。在集成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了加工与制造集成电路的复杂性。在集成电路的发展史中，功能密度(即每一芯片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件(或线路))缩小。此元件尺寸微缩化的工艺一般来说具有增加生产效率与降低相关费用的益处。然而，由于部件(feature)尺寸持续缩减，制造工艺持续变的更加难以进行，且组件(或线路)的临界尺寸一致性持续变的更加难以控制。因此，形成越来越小尺寸的可靠的半导体装置是个挑战。
技术实现思路
在一些实施例中，提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含形成第一层于第二层上方；在第一层中形成第一凹口和第二凹口，其中第一凹口比第二凹口窄，且第一凹口和第二凹口分别暴露出第二层的第一部分和第二部分；在第一凹口和第二凹口中形成第一覆盖层，其中在第一凹口中的第一覆盖层比在第二凹口中的第一覆盖层薄，且第一覆盖层覆盖第二凹口的第一内壁和第一底表面；移除第一凹口中的第一覆盖层和覆盖第二凹口的第一底表面的第一覆盖层，以在第二凹口中的第一覆盖层中形成第一开口；以及通过第一凹口和第一开口移除第二层的第一部分和第二部分。在一些其他实施例中，提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含在一层中形成第一凹口和第二凹口，其中第一凹口比第二凹口窄；在第一凹口和第二凹口中形成第一覆盖层，其中在第一凹口中的第一覆盖层比在第二凹口中的第一覆盖层薄，且第一覆盖层覆盖第二凹口的第一内壁和第一底表面；移除第一凹口中的第一覆盖层和覆盖第一底表面的第一覆盖层；以及将填充层填充至第一凹口和第二凹口中。在另外一些实施例中，提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含在一层中形成凹口，其中凹口具有两相对第一内壁和两相对第二内壁，第一内壁间隔开第一距离，第二内壁间隔开第二距离，且第一距离小于第二距离；在凹口中沉积第一覆盖层，其中覆盖第一内壁的第一覆盖层比覆盖第二内壁的第一覆盖层薄；以及移除凹口的第一内壁和底表面上的第一覆盖层。附图说明根据以下的详细说明并配合说明书附图可以更加理解本专利技术实施例。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种部件并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。图1A-图1H为依据一些实施例的形成半导体装置结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。图2A-图2G为依据一些实施例的形成半导体装置结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。图3A-图3G为依据一些实施例的形成半导体装置结构的工艺的各种阶段的上视图。图3A-1至图3G-1为依据一些实施例的显示沿图3A-图3G的剖面线I-I’的半导体装置结构的剖面示意图。图3A-2至图3G-2为依据一些实施例的显示沿图3A-图3G的剖面线II-II’的半导体装置结构的剖面示意图。图4A-图4C为依据一些实施例的形成半导体装置结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。图5A-图5C为依据一些实施例的形成半导体装置结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。附图标记说明：110层112、114、142、144、147、312、322凹口120、140遮罩层130抗反射层142a、144a、147a、147b、147c、147d、S1、S2内壁142b、144b、147e、B1、B2底表面142e、144e上缘146、154、314顶表面150、160、310、320、330、510、520覆盖层152、162开口170结构332a、332b侧壁410基底412主动区420绝缘层430栅极堆叠432栅极电极层434功函数层436栅极介电层440间隔层450源极/漏极结构460蚀刻停止层470介电层532、534接触插塞TH1、TH2、TH3、TH4、TH5、TH6、TH7通孔D1、D2、D2’、D2”、D2”’、D3距离T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12、T13、T14、T15、T16厚度W1、W1’、W1”、W2、W3、W4、W5、W6、W6’、W7、W8宽度具体实施方式要了解的是以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施提供的主体的不同部件。以下叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化公开内容的说明。当然，这些仅为范例并非用以限定本专利技术。例如，以下的公开内容叙述了将一第一部件形成于一第二部件之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一部件与上述第二部件是直接接触的实施例，亦包含了尚可将附加的部件形成于上述第一部件与上述第二部件之间，而使上述第一部件与上述第二部件可能未直接接触的实施例。此外，公开内容中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字是为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。再者，为了方便描述附图中一元件或部件与另一(多个)元件或(多个)部件的关系，可使用空间相关用语，例如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似的用语。除了附图所示出的方位之外，空间相关用语也涵盖装置在使用或操作中的不同方位。所述装置也可被另外定位(例如，旋转90度或者位于其他方位)，并对应地解读所使用的空间相关用语的描述。应当理解的是，可提供额外的操作于本专利技术实施例的方法之前、本专利技术实施例的方法中和本专利技术实施例的方法之后，且在本专利技术实施例的方法的其他实施例中，可取代或消除所述的一些操作。图1A-图1H为依据一些实施例的形成半导体装置结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。依据一些实施例，如图1A所示，提供层110。依据一些实施例，层110可为单层结构或多层结构。依据一些实施例，层110由绝缘材料制成。依据一些实施例，绝缘材料包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、低介电常数(low-k)材料、极低介电常数(extremelow-k，ELK)材料、硼硅酸盐玻璃(borosilicateglass，BSG)、磷硅酸盐玻璃(phosphoricsilicateglass，PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(borophosphosilicateglass，BPSG)、氟硅酸盐玻璃(fluorinatedsilicateglass，FSG)、聚合物材料、一种或多种其他合适材料或前述的组合。在一些其他实施例中，层110由导电材料制成。依据一些实施例，导电材料包含金属，例如铜、铝、钨、金、银或前述的组合。在一些实施例中，层110为基底。层110为块材(bulk)半导体基底，例如半导体晶圆。举例来说，层110为硅晶圆。层110可包含硅或其他元素半导体材料，例如锗。在一些其他实施例中，层110包含化合物半导体。化合物半导体可包含硅锗、砷化镓、碳化硅、砷化铟、磷化铟、其他合适的化合物半导体或前述的组合。在一些实施例中，层110包含绝缘层上覆半导体(semiconductor-on-insulator，SOI)基底。绝缘层上覆半导体基底可通过使用晶圆接合工艺、硅膜转移工艺、植氧分离(separationbyimplantation本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一第一层于一第二层上方；在该第一层中形成一第一凹口和一第二凹口，其中该第一凹口比该第二凹口窄，且该第一凹口和该第二凹口分别暴露出该第二层的一第一部分和一第二部分；在该第一凹口和该第二凹口中形成一第一覆盖层，其中在该第一凹口中的该第一覆盖层比在该第二凹口中的该第一覆盖层薄，且该第一覆盖层覆盖该第二凹口的一第一内壁和一第一底表面；移除该第一凹口中的该第一覆盖层和覆盖该第二凹口的该第一底表面的该第一覆盖层，以在该第二凹口中的该第一覆盖层中形成一第一开口；以及通过该第一凹口和该第一开口移除该第二层的该第一部分和该第二部分。

【技术特征摘要】
2017.11.27 US 62/590,787;2018.08.17 US 16/104,3771.一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一第一层于一第二层上方；在该第一层中形成一第一凹口和一第二凹口，其中该第一凹口比该第二凹口窄，且该第一凹口和该第二凹口分别暴露出该第二层的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈玺中，林志轩，赵家忻，邱意为，许立德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71