The present invention discloses a nanostructured semiconductor. The nanostructured semiconductor takes indium oxide, tin oxide, titanium dioxide and other metal oxide semiconductors as the main body of the present invention, aiming at improving its performance through nanostructured semiconductor materials, and the relationship between the nanostructured semiconductor structure and the gas sensitive and photocatalytic properties of materials. A moisture-resistant trimethylamine gas (TMA) sensitive material (LISc) was prepared by loading La0.7Sr0.3FeO3 nanoparticles onto In2O3/SnO2 composite reticulated nanofibers (ISc).
【技术实现步骤摘要】
一种纳米结构的半导体
本专利技术涉及纳米半导体领域,其中所涉及一种纳米结构的半导体。
技术介绍
半导体材料在催化、传感、光学器件及光电转化等众多领域具有重要的应用价值。伴随纳米技术的发展,传统的块体半导体材料已无法满足现代工业对材料的需求。纳米结构的半导体材料与块体材料相比具有粒子尺寸小,比表面积大,表面活性位点多等优点,材料的纳米结构化为优化材料性能提供了无限可能,甚至在解决环境与能源问题上也被寄予了厚望。尤其是功能导向的半导体纳米材料的设计合成已成为现阶段的研究热点之一。经济社会持续发展带来的环境以及能源问题促使人们不断探索新的解决途径。在经济高速发展的过程中,环境中的有毒,有害,易燃,易爆气体的监测与控制已成为必须解决的问题之一,而气体传感器的出现为解决这一问题开辟了新的途径。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述问题,从而提供一种纳米结构的半导体。本专利技术以氧化铟、氧化锡、及二氧化钛等金属氧化物半导体为研究主体,以通过半导体材料纳米结构化提高其性能为目的,纳米结构与材料气敏、光催化性能之间的关系。通过在In2O3/SnO2复合网状纳米纤维(ISc)上负载La0.7Sr0.3FeO3纳米粒子获得了一种具有抗湿能力的三甲胺气体(TMA)敏感材料(LISc)。当湿度达到85%时,此传感材料制成的传感器对1ppmTMA仍有很灵敏的响应,灵敏度可以达到6。经过60天连续测试后,我们可以看出在不同浓度的TMA气氛中,LISc传感器的响应随时间延长几乎不变,说明其稳定性很高。高效、灵敏、稳定的TMA敏感性能主要得益于所得复合材料的异质结构和多孔网状结构。采用异丙醇 ...
【技术保护点】
1.一种纳米结构的半导体,本专利技术以氧化铟、氧化锡、及二氧化钛等金属氧化物半导体为研究主体,以通过半导体材料纳米结构化提高其性能为目的,纳米结构与材料气敏、光催化性能之间的关系,通过在In2O3/SnO2复合网状纳米纤维(ISc)上负载La0.7Sr0.3FeO3纳米粒子获得了一种具有抗湿能力的三甲胺气体(TMA)敏感材料(LISc)。
【技术特征摘要】
1.一种纳米结构的半导体,本发明以氧化铟、氧化锡、及二氧化钛等金属氧化物半导体为研究主体,以通过半导体材料纳米结构化提高其性能为目的,纳米结构与材料气敏、光催化性能之间的关系,通过在In2O3/SnO2复合网状纳米纤维(ISc)上负载La0.7Sr0.3FeO3纳米粒子获得了一种具有抗湿能力的三甲胺气体(TMA)敏感材料(LISc)。2.根据权利要求1所述的当湿度达到85%时,此传感材料制成的传感器对1ppmTMA仍有很灵敏的响应,灵敏度可以达到6,经过60天连续测试后,我们可以看出在不同浓度的TMA气氛中,LISc传感器的响应随时间延长几乎不变,说明其稳定性很高,高效、灵敏、稳定的T...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:泰瑞科微电子淮安有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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